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空间的微重力给晶体生长提供了一个消除自然对流、由纯扩散控制的生长环境,为提高晶体质量创造了条件,引起晶体生长研究人员的关注.中国科学院物理研究所和日本东京大学电子工程系合作,1992年在中国第14颗返回式卫星上成功地生长了一根φ6 mm×30 mm外形完整的GaSb单晶.对空间生长的晶体的研究显示:晶体在空间生长部分无Ⅰ类生长条纹,表明晶体生长时既无自然对流也没有Marangoni对流.位错密度测定表明,晶体在空间生长期间熔体未与坩埚器壁接触时生长的晶体位错密度接近于零,而熔体与坩埚器壁接触后位错密度迅速增高.详细叙述了该晶体的生长和研究,分析了微重力对晶体生长的影响,并对空间晶体生长的发展提出看法. 相似文献
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INFLUENCE OF INTERFACE KINETICS ON THE RELAXATION BEHAVIOR IN SOLUTION SYSTEM FOR CRYSTAL GROWTH UNDER MICROGRAVITY 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
The influence of the interface kinetics at the growth face of a crystal and at the surface of material of solute source on the relaxation behavior in a solution system for crystal growth under microgravity is studied. Because the variation of the solution density caused by the solute concentration change can be omitted and only that caused by the temperature change is taken into account, the interface kinetics does not influence the relaxation behaviors of the fluid velocity and the temperature distribution index Sθ (see text). The relaxations of the concentration distribution index Sφ (see text) and dimensionless average growth rate of crystal \bar{V}cg are calculated under the square pulsed fluctuations of the gravity level or the temperature at the growth face of crystal. Introduction of the interface kinetics makes the value of Sφ enlarged and the perturbation peak of the Sφ-τ curve caused by the gravity level or temperature fluctuation lowered. While the perturbation peak and the valley of the \bar{V}cg-τ curve caused by the negatively and positively pulsed temperature fluctuation, respectively, is lowered and shallowed by the interface kinetics. 相似文献
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在单晶硅和经离子注入的硅样品上测得了反射三次谐波。像我们的理论计算中所证明的那样,当样品绕表面法线转动时,线偏振的三次谐波强度显示了晶体的旋转对称性,对于轻注入的样品,存在一个注入剂量的临界值,高于此值,三次谐波信号与转动无关。作为剂量的函数,三次谐波强度对晶格损伤极为敏感。这使三次谐波技术可以在半导体工艺中用作监测离子注入的均匀程度。
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本文对被动锁模激光器的涨落模型作了改进。用计算机对脉冲在激光器中发展的过程作模拟计算,从增益系数达到阈值时开始计算,并按自发辐射计算确定初值光强。计算中考虑了泵浦速率、激光上能级寿命及激光在增益介质处和在可饱和吸收体处的光束截面比。对钕玻璃和Nd:YAG两种情况作了计算。计算结果表明:(1)当泵浦速率超过阈值15—20%时,就得不到置信度超过93%的完善锁模。(2)最佳的光束截面比对于钕玻璃为1/2到1之间,对于Nd:YAG大于2。(3)为获得完善的锁模,染料透过率必须在一定范围之内(与损耗系数及光束截面比有关)。如果用同一种染料,对于钕玻璃的染料透过率应该高于对于Nd:YAG的透过率。最后指出了Glenn的计算中的一些缺点。
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