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利用拉曼型的Jaynes-Cummings模型传送两比特的未知原子态 总被引:6,自引:3,他引:3
实现量子态的隐形传送、尤其是多比特量子态的隐形传送在量子信息领域中有非常重要的作用,提出了一种隐形传送两比特未知原子态的方案,在此方案中,用两个两粒子纠缠态代替一个三粒子纠缠态作为量子信道,而且此方案可推广到隐形传送N比特的未知原子态。 相似文献
132.
133.
A facile, rapid and regioselective method for the 1-O-deacylation of peracylated glycopyranoses is described which occurs under mild conditions by absorption onto alumina using microwave irradiation. 相似文献
134.
在超高真空分子束外延(MBE)生长技术中,反射式高能电子衍射仪(RHEED)能实时显示半导体和金属外延生长过程,给出薄膜表面结构和平整度的信息,成为MBE必备的原位表面分 析仪.为了研究氧化物薄膜如高温超导(YBa2Cu3O7) 、铁电薄膜(Sr1-xBax TiO3)及它们的同质和异质外延结构的生长机理,获得高质量的符合各种应用 需要的氧化 物多层薄膜结构,在常规的制备氧化
关键词:
高温超导薄膜
RHEED 相似文献
135.
The structure of the title adduct comprises a phenanthroline derivative 2-phenyl-imidazo[4,5-f]1,10-phenanthroline and a methanol.The composition of the crystalline adduct was characterized as C19H12N4.CH3OH.It belongs to orthorhombic system,space group Pna21 with a=1.3693(4)nm,b=2.2988(7)nm,c=0.51338(15)nm,V=1.6160(8)nm^3.Z=4,and final R1=0.0423.wR2=0.1012 .Crystal structure shows that all the 19 carbon atoms and 4 nitrogen atoms are coplanar.The bond length data indicated that a very extensive conjugation system was formed.This conjugation makes the compound being a potentially excellent energy transformer used for luminescent materials. 相似文献
136.
We establish some liminf theorems on the increments of a (N,d)-Gaussian process with the usual Euclidean norm, via estimating upper bounds of large deviation probabilities on the suprema
of the (N,d)-Gaussian process.
This revised version was published online in June 2006 with corrections to the Cover Date. 相似文献
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The properties of pulsed laser vapor doping on p-Si(1 0 0) with a KrF (248 nm) excimer pulsed laser (248 nm) and BCl3 gas are reported in this paper. The doped samples are characterized by the resistance measured using a four-probe method, since the sheet resistance changes with the carrier concentration of the sample. The doping effects with the variation of laser energy density, pulse number, and the pressure of BCl3 were investigated in terms of the sheet resistance. In this way, the optimized parameters were obtained and used for the positive heavy doping on p-Si(1 0 0) and p-Si(1 1 1). Then, using a square mesh under the above conditions, an image doping was completed. Finally, the metal–semiconductor Ohmic contacts were realized by plating Ag and Cu films on the doped surface. 相似文献
139.
140.