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51.
单甲基原位改性SiO2疏水减反膜的制备与性能研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
 在碱性条件下通过TEOS和MTES的共水解缩聚反应制备了单甲基原位改性的SiO2溶胶,并使用提拉法在K9玻璃基片上镀制了疏水减反膜。通过透射电镜(TEM)考察了镀膜溶胶的微结构,分别使用红外光谱(FTIR)分析了薄膜的组分,用原子力显微镜(AFM)观察了薄膜的表面形貌和起伏状况,用紫外可见光谱(UV-vis)考察了薄膜的减反射性能,用接触角仪测量了薄膜对水的接触角。并使用“R-on-1”的方式测量了薄膜在Nd:YAG激光(1 064 nm,1 ns)作用下的损伤阈值。结果表明,通过共水解缩聚反应可以把甲基引入镀膜溶胶簇团中,改善了溶胶簇团的网络结构,使薄膜得到相当好的疏水性能和更好的抗激光损伤性能,同时薄膜能保持较好的减反射性能。  相似文献   
52.
FeS2多晶薄膜电子结构的实验研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
用磁控溅射方法制各纯Fe薄膜,并硫化合成FeS2.采用同步辐射X射线近边吸收谱与X射线光电子能谱研究了薄膜的电子结构.结果表明,合成的FeS2薄膜,在费米能级附近,有较强的Fe 3d态密度存在,同时,在价带谱中2-10eV处有强度较大的S 3p态密度存在;Fe的3d轨道在八面体配位场作用下分别为t2g和eg轨道,实验中由Fe的吸收谱计算得到两分裂能级之差为2.1eV;实验测得FeS2价带结构中导带宽度约为2.4eV,导带上方仍存在第二能隙,其宽度约为2.8eV.  相似文献   
53.
提高微晶硅薄膜太阳电池效率的研究   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了系列微晶硅薄膜太阳电池,指出了气体总流量和背反射电极的类型对电池性能参数的影响.电池的I-V测试结果表明:随反应气体总流量的增加,对应电池的短路电流密度、开路电压和填充因子都有很大程度的提高,结果使得电池的光电转换效率得以提高.另外,ZnO/Ag/Al背反射电极能明显提高电池的短路电流密度,进而也提高了电池的光电转换效率.对气体总流量和背反射电极类型影响电池效率的原因进行了分析. 关键词: 微晶硅薄膜太阳电池 气体流量 ZnO/Ag/Al背反射电极  相似文献   
54.
a-C:F薄膜的热稳定性与光学带隙的关联   总被引:5,自引:0,他引:5       下载免费PDF全文
杨慎东  宁兆元  黄峰  程珊华  叶超 《物理学报》2002,51(6):1321-1325
以CF4和C6H6的混合气体作为气源,在微波电子回旋共振化学气相沉积(ECRCVD)装置中制备了氟化非晶碳薄膜(aC:F),并在N2气氛中作了退火处理以考察其热稳定性.通过傅里叶变换红外吸收谱和紫外可见光谱获得了薄膜中CC双键的相对含量和光学带隙,发现膜中CC键含量与光学带隙之间存在着密切的关联,在高微波功率下沉积的氟化非晶碳膜具有低的光学带隙和较好的热稳定性. 关键词: 氟化非晶碳膜 光学带隙 退火温度 热稳定性  相似文献   
55.
本文给出了一个关联图为圈的非负、半正定矩阵A为完全正的一个充要条件.我们还证明了这样的矩阵A(当A为完全正时)的分解指数即为A的阶数.  相似文献   
56.
全光纤反射式马赫曾德尔干涉型多波长滤波器的研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
对反射式的马赫-曾德尔干涉型多波长滤波器的性能作了较详细的研究,得出了两个耦合器的分光比和两臂的臂长差对其输出谱线的影响,结论对设计制作不同性能指标的该型多波长滤波器具有重要的参考价值。实验上用光纤熔融拉锥法制作了该种器件,实验结果与理论相符合。  相似文献   
57.
差分吸收光谱法测量大气污染的测量误差分析   总被引:20,自引:12,他引:8  
差分吸收光谱技术被广泛地应用于测量大气中微量元素的浓度,尽管该技术利用最小二乘法来反演待测气体的浓度,能够得到很高的测量精度。但是,由于仪器本身的噪声以及测量波段其它气体的干扰等,使得仪器的测量有一定的误差,而且上述因素还决定着仪器的测量下限。对差分吸收光谱方法的测量误差以及引起误差的原因作了详细的分析。  相似文献   
58.
1+1/2对转涡轮叶排轴向间距对性能影响的研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
木文对1+1/2对转涡轮中轴向间距影响进行了初步研究。对不同轴向间距叶栅流场进行了大量时间精确模拟。研究表明,1+1/2对转涡轮高低压转叶间轴向间距成为追求高效率的制约因素,轴向间距为高压转叶喉部宽度是关键点。因此有关小轴向间距下强激波/叶排干扰的研究应该加强。  相似文献   
59.
本文采用椭圆偏振光谱法研究了剂量为1×1016—3×1012cm-2的As+注入硅,及其在700℃退火后的光学性质。得出:当As+注入剂量增大到某一程度后,便呈非晶特性。低于临界剂量的样品,其n-λ,ε2-λ关系曲线随剂量的增大而往下方移动,呈有规律变化;退火后,在大于4000?波段,n-λ与ε2-λ曲线基本恢复到单晶硅状态。但在小于4000?的紫外区却未完全恢复,注入剂量越大,偏离单晶硅就越大。并指出,紫外光区是离子注入硅的信息敏感区;用有效质量模型计算出注入剂量与损伤度的关系。计算结果与实验符合得较好。 关键词:  相似文献   
60.
本文对有界变量线性规划的算法进行了研究,得到了一种解此问题的新算法。文中根据基线算法的算法原理,通过对BL表的旋转,在各变量满足界约束的条件下,使目标函数值不断增大,直至得到有界硬上界,从而得到问题的最优解。文中给出了有界变量线性规划基线算法的计算步骤,并给出了一个例子。与单纯形法相比,采用基线算法解有界变量线性规划操作更简单。迭代次数少,解题速度更快。  相似文献   
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