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1.
采用基于第一性原理的密度泛函理论研究了四角晶相二氧化铪(t-HfO2)体相及 其(001)表面的原子几何与电子结构.理论计算结果表明,t-HfO2(001)表面不会 产生重构现象.与体相电子结构相比, t-HfO2(001)表面态密度明显高于体相态 密度.其次,表面原子的态密度更靠近费米能级(EF),价带往低能量处移动,并 有表面态产生.计算结果表明了t-HfO2表面禁带宽度明显低于体相的禁带宽度. t-HfO2(001)的表面态产生以及表面禁带宽度减小是由于Hf原子与O原子的配位 数减少,表面原子周围的环境发生变化而引起的.
关键词:
密度泛函理论
2(001)')" href="#">t-HfO2(001)
表面电子结构 相似文献
2.
报道了一种弥散型金属薄膜逾渗系统的制备方法和研究结果。从实验发现这种新型的逾渗系统具有异常的R-I关系、三次谐波系数与独特的电流临界规律。分析表明:这些特性与此类薄膜逾渗结构随电流增大而逐渐变化的过程有关,是由沿膜横向逐渐变化的局域隧道电流(LDTC)与跳跃电导(LDHC)效应引起的。 相似文献
3.
We measure and calculate the aerial image modulation (AIM) of human retina for visible wavelengths based on the individual eye model. By employing the optical design software ZEMAX, we obtain the modulation transfer function (MTF) of human eye in visible wavelengths. Using CSV-1000 and VAF-1000, the contrast sensitivity function (CSF) and the visual acuity (VA) for the same eye are measured. Then the AIM of human retina could be acquired by the relations between MTF and CSF and between MTF and VA. The AIM of human retina is independent of MTF, and the values of AIM for normal eyes (without retina disease) are similar, so the assembly average for large numbers of normal eyes can be a standard AIM curve, which is helpful for the diagnosis of diseases in the retina system. 相似文献
4.
5.
6.
本文得到Ω满足Dini型条件时,Marcinkiewicz积分交换子μΩ,b(f)的端点估计:|{x∈R~n:μΩ,b(f)(x)>λ}|≤c‖b‖BMO∫_(R~n)(|f(x)|)/λ(1+log+(|f(x)|)/λ)dx. 相似文献
7.
采用Dirac Brueckner-Hartree-Fock理论方法, 计算了零温核物质中每核子的结合能、压强和单核子能量, 着重讨论了不同的T矩阵协变表示对核物质中Hugenholtz-Van Hove(HVH)定理满足程度的影响. 结果表明: 不同的协变表示对核子自能各分量的动量相关性和密度依赖性均有重要影响, 进而对核介质中HVH定理的满足程度产生重要影响. 在完全的膺矢量表示下, HVH定理遭到了相当大程度的破坏, 从而体现出基态关联效应对单核子性质的重要性, 并与非相对论BHF理论方法得到的结论一致, 因而完全的膺矢量表示要优于膺标量表示. 相似文献
8.
Crystal-Orientation Dependent Evolution of Edge Dislocations from a Void in Single Crystal Cu 下载免费PDF全文
The micro-void growth by dislocation emission under tensile loading is explored with focus on the influence of crystal orientations. Based on the elastic theory, a dislocation emission criterion is formulated. It is predicted that the preferential location of dislocation nucleation and its threshold stress are dependent on the crystal orientation. Large-scale molecular dynamics (MD) simulations are also performed for single crystal copper to illustrate the dislocation evolution pattern associated with a nano-void growth. The results are in line with those given by the theoretical prediction. As revealed by MD simulations, the characteristics of void growth at micro-scale depend greatly on the crystal-orientation. 相似文献
9.
采用低压金属有机化合物气相沉积法(LP-MOCVD)生长并制作了1.6—1.7μm大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器.采用应变缓冲层技术,得到质量良好的大应变InGaAs/InP体材料.器件采用了4个大应变的量子阱,加入了载流子阻挡层改善器件的温度特性.1.66μm和1.74μm未镀膜的3μm脊型波导器件阈值电流低(小于15mA),输出功率高(100mA时大于14mW).从10—40℃,1.74μm激光器的特征温度T0=57K,和1.55μm InGaAsP分布反馈激光器的特征温度相当.
关键词:
MOCVD
InGaAs/InGaAsP
应变量子阱
分布反馈激光器 相似文献
10.
利用傅里叶光学方法,建立了一个基于远场的多束超短脉冲相干合成的理论模型。研究了一个口径为50 cm,脉宽为1 ps的超短脉冲相干合成系统的各种误差对脉冲远场时域和空域特性的影响。结果表明:若要求远场的一倍衍射极限区域的积分能量分布达到理想情况下的90%,该系统的相位延迟误差小于0.63,沿x方向角度误差小于0.37 μrad,沿y方向角度误差小于0.34 μrad;若要求远场叠加脉冲的时域展宽小于25%,系统的剩余啁啾因子应小于1.32(不考虑相位延迟)或1.52(考虑0.63的相位延迟)。 相似文献