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以气相法二氧化硅为载体,链状胺和环胺为功能化试剂,制得一系列二氧化硅-胺基复合载体,通过配位反应得到二氧化硅负载胺-钯(Ⅱ)配合物,进一步还原得到二氧化硅负载胺-钯(0)配合物.采用IR、XRD、XPS、ICP技术对配合物进行表征,并研究了配合物的制备、反应条件以及配体差异对其催化碘苯与丙烯酸的Heck反应的性能.结果表明,该类催化剂在较低的温度下(70~90℃)即可较好地催化该反应,生成反式产物;还原后催化剂具有更好的催化活性和良好的重复使用性能;具有链状胺基配体的催化剂随着N原子数目的增加,催化活性呈上升趋势,而具有环状胺基配体的催化剂活性明显低于前者. 相似文献
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WU ZHONG-LI ZHU YONG-TAI XIA GUO—ZHONG LIU Bu-SHENG LI FA-WEI FAN GUO-YING 《中国物理C(英文版)》1979,3(2):244-246
The deep inelastic scattering of 71.5 12C ions on a 27Al target was measured.ΔE-E telescope was used to identify the reaction products.The contour plots in the E-θ plane for the measured cross sections in the C.M.S.for B and Be show the generalfeatures of quasi-elastic scattering at grazing angles and the deep inelastic scatteringridge extending from smaller angles and flattening at larger ones.Two special featuresmay be worthwhile to mention.First,there are some fine structures near the Q.E.peak.Secondly,the average C.M.kinetic energy of the completely damped part is notequal to the Coulomb energy of the final state. 相似文献
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本文理论研究了内含等离子体的Fabry-Perot干涉仪的光学开关和双稳现象。在均匀平面波的近似下得到了表述透射光强是入射激光强度的多值函数。并且给出了双稳态工作方式的临界失谐和开关强度的一般公式。最后还给出了数值实例。
关键词: 相似文献
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采用磁控溅射方法在ITO表面沉积了不同厚度的ZnS超薄膜作为有机发光二极管(OLEDs)的缓冲层,使典型结构(ITO/TPD/Alq3/Al)的OLEDs的发光性能得到改善。ZnS缓冲层厚度对器件性能影响的实验结果表明,当ZnS缓冲层厚度为5nm时,器件电流密度提高了近2倍,亮度提高了2倍;当ZnS缓冲层厚度为10nm时,器件发光的电流效率提高18%,器件的性能得到改善。宽禁带的ZnS缓冲层对空穴从阳极到有机功能层的注入有阻碍作用,促进器件载流子平衡,提高了器件发光效率,改善了器件性能。 相似文献
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本文使用详细的化学反应机理模拟了C2H6/O2/N2/AR层流对冲扩散火焰中多环芳烃的生成动力学过程。反应机理包括96种组分的502个基元反应。通过数值计算分析了层流对冲火焰的结构和主要反应物、中间物质和反应产物的浓度变化,并与相关文献的实验结果进行了比较。结果表明,数值模拟在燃烧过程和PAH生成规律上与实验结果是一致的,但在某些组分的定量预报上存在一定的差别。 相似文献
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设计了一种基于场效应晶体管的量子点场效应单光子探测器(quantum dot field effect transistor,QDFET),建立了二维电子气(two-dimensional electron gas,2DEG)的薛定谔方程和泊松方程,通过对薛定谔方程和泊松方程的自洽求解,对2DEG的载流子浓度进行了模拟。模拟结果显示,AlGaAs的Al组分、δ掺杂层的掺杂浓度以及隔离层的厚度对于2DEG的载流子浓度均有影响。为了使2DEG具有较高的载流子浓度,AlGaAs的Al组分应为0.2~0.4,δ掺杂浓度应为6~8×10~(13)/cm~2,隔离层厚度应在50nm以下。通过对2DEG的载流子浓度进行研究,可以掌握2DEG载流子浓度的影响因素,从而通过优化QDFET结构,可提高2DEG的载流子浓度。这对于高灵敏度QDFET的制备具有重要的意义和应用价值。 相似文献