退火Ge/Fe多层膜的固相反应与磁性

研究并发现在退火Ge/Fe多层膜中表面的晶化和生成化合物的温度均高于内部,并仔细探讨了Raman谱的反常,研究了在退火过程中物相变化与磁性的关系. 关键词：     

低温湿氧氧化提高多孔硅发光的稳定性

用低温湿氧氧化方法对多孔硅进行后处理,获得了光致发光强度强、发光稳定的样品,顺磁共振谱表明这种样品表面的悬挂键密度较小,通过对样品红外光谱的测试和分析,指出SiH(O₃),SiH(SiO₂),SiH₂(O₂)结构的产生是实验中多孔硅稳定性提高的原因. 关键词：     

多晶铁电薄膜的相变——应力和晶粒尺寸效应

用掠入射X射线衍射法观察到钛酸铅多晶铁电薄膜表面层与体内的相变温度不同,表面层的结构参数也有异于体内;唯象地把多晶铁电薄膜抽象为一个表面层为细晶粒、低应变层,体内为粗晶粒、高应变层的两层结构,根据应力和晶粒尺寸效应对铁电相变的影响,解释了钛酸铅多晶铁电薄膜的相变特征 关键词：     

等离子体噻吩聚合膜的研究及I+注入的掺杂效应

以噻吩为单体,在等离子体环境中聚合成致密的有机膜。利用Rutherford背散射(RB2S)和质子弹性反冲(ERD)、傅里叶红外谱(FTIR)测定了膜的成分和结构;从近红外-可见-紫外光的反射和透射谱,运用传递矩阵方法研究了膜的光学性质;此外,还探讨了24keV的I⁺离子束的注入对等离子体噻吩聚合膜的掺杂效应。结果表明,注入层内电荷载流子的输运机理可用Mott的可变自由程跳跃(VRH)理论给以解释。 关键词：     

β-C3N4,β-Si3N4和β-Ge3N4的能带结构

采用基于密度泛函理论的线性丸盒轨道原子球近似(LMTO-ASA)从头计算方法,研究了β-C₃N₄,β-Si₃N₄和β-Ge₃N₄的能带结构,得到了它们的能隙分别为:4.1751,5.1788和4.0279eV。对于β-C₃N₄,由于N的部分2p电子占据了非键轨道,禁带宽度较窄;对于β-Si₃N_{4关键词：}     

体温计模型的临界行为

提出一个可用离散朗之万方程描述的体温计模型.该体温计的特点是其温度示数只能随外界温度的升高而上升,当外界温度降低时,其示数却不能下降.根据体温计示数这种只升不降的特点,定义了“停顿”事件.用随机行走的理论解析地推导了停顿时间分布函数数值模拟和解析结果都显示这种分布函数呈幂律形式D(s)∝s^-ξ,揭示出在这一过程中所表现出的临界性. 关键词：     

遗传算法在激光束整形中的应用

采用遗传算法设计了一个8台阶二元光学元件,可用菲涅耳变换系统将高斯光束变换成均匀圆光束,均匀区能量转换效率达到87％,输出波形比较理想。将遗传算法设计的结果同稳相法和输入输出法设计的结果进行比较,发现在同时降低量化台阶数和增大最细线条宽度的条件下,用遗传算法进行设计并制作出的激光束整形元件仍可以得到满意的变换结果。 关键词：     

CN薄膜结构特性的研究

利用离化团束(ICB)方法在Si(111)衬底上生长了CN薄膜。X光衍射(XRD)分析表明薄膜呈β-C₃N₄晶态结构,X射线光电子能谱(XPS)测定薄膜含N量为20％,并且观察到C1_s和N1_s芯能级谱中存在双峰。红外吸收光谱呈现C—N和C≡N的吸收峰。高能反射式电子衍射(RHEED)也证实薄膜中存在晶态物质。薄膜的努氏显微硬度值达到6200kgf·mm^-2。 关键词：     

双原子耦合摆阵中孤子的振幅回归现象

利用带阻尼参数激励的一维双原子非线性耦合摆阵，实验上观察到局域孤子的摆幅随激励参数的变化，而呈现稳定的、准周期的、周期的或随机的现象，并在理论上用一个五次非线性Ｓｃｈｒ?ｄｉｎｇｅｒ方程来解释     

核核碰撞中不稳定轻核的方位角各向异性发射

利用符合的粒子粒子关联测量，研究了２５ＭｅＶ／ｕ^４０Ａｒ＋^１９７Ａｕ反应中不稳定轻核的在平面发射和出平面发射．对于中速的不稳定轻核，观测到在平面发射几率增大，这表明该反应系统中存在旋转效应．该现象随碰撞参数增大更为强烈，而随着不稳定核激发态能量的升高稍有变弱