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11.
本文研究了非晶态Fe87-xSixB13(x=0,9.6,14.5)合金的饱和磁化强度、电阻率与温度的关系。得到样品的居里温度TC和晶化温度Tcr随Si含量的增加而明显提高。低温下的热磁关系符合布洛赫的T3/2定律,计算出自旋波劲度系数D从x=0时的62meV·A2增加到x=14.5时的111meV·A2。从D值和Handrich理 关键词:  相似文献   
12.
我们在磁场中分别测量了最佳掺杂的YBa2Cu3O7-δ、钙0.2掺杂的Y1-xCaxBa2Cu3O7-δ及钙0.5掺杂的Pr1-xCaxBa2Cu3O7-δ薄膜的电阻温度关系.利用最近Zhang et al.[Phys.Rev.B71(2005),052502]提出的热激活能的分析方法对薄膜的磁通特性进行了分析、比较与讨论.  相似文献   
13.
电场中Rydberg原子的常数标度能谱方法   总被引:2,自引:0,他引:2  
标度能谱理论能够简化外场谱及可以经典方法理解原子外场谱而倍受关注。本文报道了用于电场中Rydberg原子常数标度能谱实验研究的装置以及有关的计算机控制、采集及处理系统。该系统对能量E和电场F进行同步控制以保持标度能谱ε=E/F为常数,并成功地得到Rydberg态Sr原子在标度能ε=-3.0时的标度能谱,经过傅里叶变换,获得了电场中Sr原子的电子回归谱。  相似文献   
14.
近年来,羟自由基(^.OH)对DNA氧化损伤已受到广泛关注,但是很少研究^.OH对RNA的氧化损伤。其实,RNA与DNA一样,也是核酸的两大组分之一,也有许多重要功能。所以^.OH攻击RNA也会引起重后果,会造成细胞功能衰退甚至细胞死亡等。为此,我们建立了Vit.C-CuSO4-Phen-H2O2-PNA这一产生和测定^.OH氧化损伤RNA的化学发光体系,以便加强^.OH氧化损伤RNA的研究。通过对本体系测定条件的研究,得出了本体系最佳组方是:Vit.C,CuSO4,Phen,H2O2和RNA,浓度分别为350μmol/L,55μmol/L,350μmol/L,0.2mol/L和20μg/mL,体系pH为5.5,体系终体积为1mL。随后,利用本体系检测了槲皮素,咖啡酸,黄芩甙和芦丁抗^.OH氧化损伤RNA的作用,发现这四种抗氧化剂均能有效抑制^.OH氧化损伤RNA的分子机理,结果发现,^.OH清除剂硫脲几乎抑制全部发光,推测是因硫脲清除了引发剂^.OH所致;O^-.2清除剂SOD只能抑制小部分发光;^1O2清除剂叠氮化钠和苯甲酸都能抑制绝大部分发光。这些事实提示,^.OH是RNA氧化损伤的引发剂;O^-.2只是导致RNA氧化损伤的次要因素,^1O2才是导致RNA氧化损伤的最主要因素。  相似文献   
15.
烟气中Hg的氧化机理的研究   总被引:6,自引:1,他引:6  
本文对Hg与Cl2在烟气中的氧化反应进行了热力平衡计算和动力学计算。平衡计算的结果表明有CI元索存在时Hg的氧化率为100%,而在相同的条件下动力学计算纺果为Hg的氧化率在20%~80%之间变化,与实验结果吻合。实际的氧化反应是一种超平衡状态,不能达到理想的平衡状态。因此应采用动力学与热力平衡分析相结合的方法研究Hg在烟气中的反应机理。同时,计算结果显示Cl含量对Hg的氧化率的影响很大.  相似文献   
16.
近几年,人们在超冷费米气体的实验和理论研究方面取得了一系列激动人心的进展,比如分子玻色—爱因斯坦凝聚的成功实现和BCS-BEC渡越过程的大量研究。在本文中,我们对超冷费米气体中的这些进展进行了介绍,并讨论了今后几年的发展趋势。  相似文献   
17.
光谱辐照度是光谱辐射计量中最基本的参数,是研究各种辐射源及光电探测器特性的重要依据。为提高光谱辐照度的测量精度和量值溯源等问题,国防科工委光学计量一级站采用BB3200K高温黑体作为基准的辐射源,以新型辐射测温法为基础,通过一系列光辐射理论和几何原理推导出辐射温度与辐射光功率之间的关系;通过对光辐射功率的绝对测量,并结合低温辐射计,从而完成了光谱辐照度量值的精度测量。该理论奠基了以探测器为基础的新的光辐射量传体系。主要介绍了在光谱辐照度标准装置的项目中复现光谱辐照度所建立的数学模型及新的测试方法,给出了测量结果,并简要介绍了基于该理论的测量装置的组成及原理。  相似文献   
18.
应用DTA,XRD,SEM等手段研究了Li2O_Al2O3_SiO2_P2O5系统微晶玻璃的析晶过程和相组成。采用模拟计算方法考察了不同的析晶条件。引入适量的Al2O3等难熔物组分来改变析晶条件及残留玻璃相的组成和粘度。通过抑制主晶相(Li2O.2SiO2)晶粒的生长,最终获得了晶粒尺寸为0.1~0.3μm的透明微晶玻璃。  相似文献   
19.
金刚石膜合成条件下的鞘层与等离子体参数分布   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文报导了在用热阴极直流放电等离子体化学气相沉积(通常也称EACVD.即电子辅助化学气相沉积)方法合成金刚石的条件下的等离子体密度、电子温度、等离子体空间电位分布及基片附近等离子体鞘结构,并讨论其对成膜的影响.  相似文献   
20.
以SiH4与H2作为前驱气体,采用射频等离子增强化学气相沉积技术制备了纳米晶硅薄膜.利用Raman散射和红外吸收光谱等技术,对不同氢稀释比条件下薄膜的微观结构和键合特性进行了研究.结果表明,随着氢稀释比增加,薄膜的晶化率明显提高,而氢稀释比过高时,薄膜晶化率呈现减少趋势.红外吸收光谱分析表明,纳米晶硅薄膜中氢的键合模式与薄膜的晶化特性密切相关.随着氢稀释比增加,薄膜中整体氢含量和SiH2键合密度明显减少,而在高氢稀释比条件下,氢稀释比增加导致薄膜中SiH2键合密度和整体氢含量增加.  相似文献   
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