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871.
872.
Determination of trace elements in Wuxi fallen ice by INAA   总被引:1,自引:0,他引:1  
The concentrations of 14 elements, including Ir, Au, Co, Cr, Fe, Sr, Rb, K, Ta, Zn, Sb, Ba, Sc and Se, in the Wuxi fallen ice were determined by neutron activation analysis. The experimental results show that the relative concentration ratios of Ir/Co, Ir/Cr and Ir/Sc etc. in the ice water (0.0069, 0.00024 and 0.11, respectively) are quite close to those of Type C1 chondrite (0.0102, 0.00021 and 0.092, respectively), which implies that the fallen ice might be a piece of extraterrestrial substance.  相似文献   
873.
874.
报道了利用零色散在780nm处的光子晶体光纤与纳焦耳量级的飞秒激光脉冲相互作用的实验结果.实验使用35fs,中心波长810—840nm,单脉冲能量可达14nJ的飞秒激光光源获得了超过一个倍频程的平坦超连续光谱(500—1100nm).在不同功率、不同中心波长、不同啁啾和有无直流成分的多种飞秒脉冲激光的条件下,研究了超连续光谱的产生情况.并对一系列现象进行了对比,分析了超连续光谱产生的机制. 关键词: 光子晶体光纤 飞秒脉冲激光 超连续光谱  相似文献   
875.
Two flow visualization techniques, the shadowgraph and the hydrogen bubbles, are combined to facilitate simultaneous observation of the vertical velocity profile and the density interfaces in a stratified mixing layer in an annulus. The experimental setup is described and some examples of the resulting photographs are presented and discussed.  相似文献   
876.
等离子体辅助沉积HfO_2/SiO_2减反、高反光学薄膜   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文报导了用等离子体辅助(Plasma-IAD)沉积技术沉积HfO2/SiO2减反及高反光学薄膜。在波长1064nm处,HfO2/SiO2减反膜透过率大于99.5%,HfO2/SiO2高反膜反射率大于99.5%。  相似文献   
877.
本文考虑截断回归模型,给出了基于截断数据估计回归参数的一种新方法,此处并不设定残差分布.我们使用早先的关于误差分布非参数估计的结果,在某些正则条件下建立了估计量的相合性.并给出实例说明我们的结果是Heckman(1979)-项工作的本质改进.  相似文献   
878.
879.
In this paper, surface photovoltage technique (SPV) was applied to the study of photovoltaic and gas sensitive properties of TCNQ polycrystal. It was found that SPV shows two peaks at 390 nm(P1) and 480 nm (P2) in the ultraviolet-visible range. And they are opposite in phase. The results of gaseous adsorption confirm that P, shows the acceptor characteristics, while PI shows that of donor. During adsorption, donor gas interacts with conjugated II * orbital, acceptor gas with the terminal group C=N .  相似文献   
880.
三元有序合金GaxIn1-xP(x=0.52)的时间分辨谱   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
在室温和低温下,测试了有序Ga0.52In0.48P的时间分辨光致发光谱.对实验结果的分析表明,有序GaInP的发光呈双指数规律衰退.室温下,快过程的时间常数在128~250ps范围,低温77K下则都有所变慢,大约在186~564ps范围内;慢过程的时间常数根据不同样品有很大差异,室温下大约在308~1832ps之间变化,低温77K下,则在纳秒量级,最长的甚至达到28ns以上.对两个过程的时间常数随激发功率密度变化的研究表明,快过程对应于有序区域中载流子的复合,慢过程则对应于有序区域和无序区域的空间分离中 关键词: 时间分辨光致发光谱 III-V族半导体 有序合金  相似文献   
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