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61.
用紧耦合方法研究C4+和O6+与He原子碰撞 总被引:2,自引:0,他引:2
用双中心原子轨道紧耦合方法计算了C4+-He以及O6+-He碰撞的单俘获总截面,入射离子的能量范围为10~100keV/amu,所得计算结果在实验误差范围内与实验值很好符合.对满壳层入射离子,研究了单俘获截面随入射离子电荷态的变化,并讨论了原子轨道展开波函数数目对计算结果的影响.p 相似文献
62.
设Λ={λn}n∞=1为正的实数数列,且当n→∞时,有λn↘0.本文给出了当λn≤Mn-1/2,n=1,2,…,(其中M>0为一正常数)时Müntz系统{xλn}的有理函数在Lp[0,1]空间的逼近速度,主要结论为Rn(f,Λ) Lp≤CMω(f,n-1/2)Lp,1≤p≤∞. 相似文献
63.
64.
挖坑机钻头主轴纵向振动系统模型的建立与控制 总被引:1,自引:0,他引:1
首先利用弹性杆理论和H am ilton变分原理建立了挖坑机钻头主轴及钻尖在工作过程中由于外激励的作用使钻尖与土壤互相作用而产生纵向振动的动力学模型,同时给出边界条件和初始条件.其次通过把系统外激励函数当作控制变量,利用Banach空间几何性质证明了此系统存在唯一最优控制元. 相似文献
65.
本文讨论AFC^*一代数中的一些映射的线性性质和它们的局部性质之间的关系.研究AFC^*一代数A上的保持乘法的局部自同构Ф在A中矩阵单位系上的作用。证明了Ф是A上的自同构。对于UHF代数上满等距的结构,还证明了UHF代数上的2-局部(满线性)等距是线性的. 相似文献
66.
A series of complexes formed between halogen-containing molecules and ammonia have been investigated by means of the atoms in molecules (AIM) approach to gain a deeper insight into halogen bonding. The existence of the halogen bond critical points (XBCP) and the values of the electron density (Pb) and Laplacian of electron density (V2pb) at the XBCP reveal the closed-shell interactions in these complexes. Integrated atomic properties such as charge, energy, polarization moment, volume of the halogen bond donor atoms, and the corresponding changes (△) upon complexation have been calculated. The present calculations have demonstrated that the halogen bond represents different AIM properties as compared to the well-documented hydrogen bond. Both the electron density and the Laplacian of electron density at the XBCP have been shown to correlate well with the interaction energy, which indicates that the topological parameters at the XBCP can be treated as a good measure of the halogen bond strength In addition, an excellent linear relationship between the interatomic distance d(X…N) and the logarithm of Pb has been established. 相似文献
67.
68.
69.
70.
采用5d-4f跃迁的稀土Ce3+-冠醚配合物(Ce-二环己基并-18-冠-6,Ce-DC18C6)作为发光掺杂剂,4,4'-二(9-咔唑基)联苯(CBP)为基质,设计制备了紫外发光器件:ITO/CuPc/Ce-DC18C6:CBP/Bu-PBD/LiF/Al,首次观测到峰位于376nm的Ce3+离子的紫外电致发光。通过对比器件的EL谱与Ce3+-冠醚配合物薄膜的PL谱发现,EL光谱中有部分来自Ce3+配合物中的Ce3+离子的。这种5d-4f电子跃迁的掺杂质量分数为3%时,该UV-发光器件的最大辐射功率为13μW/cm2。 相似文献