KLiSO4单晶的电学性质

我们证实了KLiSO₄为Li离子导体。通过测定样品中的电位分布,确定其载流子为间隙Li离子和Li空位。其电流弛豫在一定时域内遵从负幂次衰减规律。与之对应,在一定频域内存在与频率成负幂次关系的介电色散。在相变温度附近,本底电流、直流电导率和表观介电常数除发生跃变外还出现一个尖锐的小峰。此峰只有在变温速率较慢时才能观察到,表明该相变具有弛豫过程。 关键词：     

GaAs1-xPx:N束缚激子的压力行为

本文研究了77K温度下GaAs_0.15P_0.85:N样品的静压光致发光。在P>10kbar时,可清楚地观察到NN₁的发光。同时,观察到压力下N_x带发光猝灭及谱带窄化现象。结果表明,压力效应明显地加强了N_x→NN₁的热助能量转移过程。对N_x能级和NN₁能级的压力行为进行了分析和拟合计算,得到相应能级的压力系数及波函数中各能谷的有关参数。 关键词：     

掺Cr半绝缘GaAs中Si离子注入的载流子分布尾研究

本文研究了掺Cr半绝缘GaAs中²⁸Si⁺注入后的载流子浓度分布尾,包括退火温度和时间的影响。应用计算机模拟了分布尾对GaAsMESFET器件输出特性的影响,与实测结果符合,表明分布尾会造成器件输出特性异常。讨论了产生分布尾的原因,认为与GaAs衬底中残留Si等浅施主杂质和高温退火时Cr再分布有关。 关键词：     

N-(1-H-苯并三唑基-3-氧)-(E)-3-甲氧基-巴豆酸酰胺的合成、晶体结构及量子化学计算

以(E)-3-甲氧基-巴豆酸和1-羟基苯并三唑为原料合成了标题化合物,通过~1H NMR等进行了表征,并通过XRD衍射测定了晶体结构,晶体属于单斜晶系,P2_1/c空间群。晶胞参数为a=1.4001(3)nm,b=1.0014(2)nm,c=1.5699(3)nm,α=90°,β=100.13(3)°,γ=90°,D+x=1.429g/cm~3,Z=8,F(000)=976,μ=0.11mm~(-1),最终偏差因子R_1=0.063,ωR_2=0.141。使用Gaussian 03程序,用量子化学中的密度泛函理论(DFT),在B3LYP/6-311G(d,p)基组下计算了该化合物的优化结构参数、电荷分布、分子总能量。算得的键长键角数据和单晶衍射数据相符合。结果表明计算得到的分子几何优化结构可靠,所用的计算方法可靠。     

Optimal portfolio for a defined-contribution pension plan under a constant elasticity of variance model with exponential utility

Based on the Lie symmetry method, we derive the explicit optimal invest strategy for an investor who seeks to maximize the expected exponential (CARA) utility of the terminal wealth in a defined-contribution pension plan under a constant elasticity of variance model. We examine the point symmetries of the Hamilton-Jacobi-Bellman (HJB) equation associated with the portfolio optimization problem. The symmetries compatible with the terminal condition enable us to transform the (2+ 1)-dimensional HJB equation into a (1+ 1)-dimensional nonlinear equation which is linearized by its infinite-parameter Lie group of point transformations. Finally, the ansatz technique based on variables separation is applied to solve the linear equation and the optimal strategy is obtained. The algorithmic procedure of the Lie symmetry analysis method adopted here is quite general compared with conjectures used in the literature.     

Continuous-time dynamic risk measures by backward stochastic Volterra integral equations

Continuous-time dynamic convex and coherent risk measures are introduced. To obtain existence of such risk measures, backward stochastic Volterra integral equations (BSVIEs, for short) are studied. For such equations, notion of adapted M-solution is introduced, well-posedness is established, duality principles and comparison theorems are presented. Then a class of dynamic convex and coherent risk measures are identified as a component of the adapted M-solutions to certain BSVIEs.     

Soliton Solutions to Coupled Integrable Dispersionless Equations

In this paper, by introducing a new transformation, the bilinear form of the coupled integrable dispersionless （CID） equations is derived. It will be shown that this bilineax form is easier to perform the standard Hirota process. One-, two-, and three-soliton solutions are presented. Furthermore, the N-soliton solutions axe derived.     

对羟基苯乙酮分子印迹聚合物的制备及性能研究

采用分子印迹技术,以对羟基苯乙酮为模板分子,丙烯酰胺为功能单体,乙二醇二甲基丙烯酸酯为交联剂,合成了对模板分子对羟基苯乙酮具有良好选择性的印迹聚合物.通过静态平衡结合法以及Scatchard分析法研究了该聚合物的结合能力和选择性能.结果表明,该印迹聚合物平衡离解常数Kd=0.415 mmol/L,最大表观结合量Qmax=144.79 μmol/g.红外光谱研究表明聚合物中存在着与模板分子相互作用的特征基团.     

液氦温区La2/3Ca1/3Mn1-xCuxO3(x=0.15)体系的磁电阻弛豫效应

实验上研究了液氦温区La2/3Ca1/3Mn1-xCuxO3(x=0.15)单相多晶样品给定磁场下的电阻随时间的变化,发现磁电阻随时间变化并非遵从对数规律而是呈指数型变化行为.对这一指数型磁电阻弛豫行为的可能起因进行了讨论,指出这是与Mn位上Cu掺杂将额外磁性杂质引入到样品中有关.     

n-Hg_(0.80)Mg_(0.20)Te界面积累层中二维电子气的输运特性研究

通过变磁场霍耳测量研究了MBE生长的Hg0 .80 Mg0 .2 0 Te薄膜在 1 5— 2 5 0K温度范围内的输运特性 .采用迁移率谱 (MS)和多载流子拟合过程 (MCF)相结合的方法对实验数据进行了分析 ,由该方法获得的结果和ShubnikovdeHass(SdH)振荡测量的结果都证明材料中存在二维 (2D)电子和三维 (3D)电子 .其中 2D电子主要来自于Hg1-xMgxTe CdTe的界面积累层或Hg1-xMgxTe与真空界面附近的积累层 .3D电子迁移率随温度的变化关系表明了Hg1-xMgxTe中的电子散射机理与Hg1-xCdxTe中的非常相似 :在低温下电离杂质散射 (考虑了屏蔽效应 )起主导地位 ,而温度在 10 0K以上时 ,晶格散射占主导地位 .