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从固体模型理论的结果出发,计算了生长于Si(100)衬底上x值小于085的Si1-xGex合金材料(能带结构为类Si结构)的间接带隙与应变的关系,结 果表明,应变的S iGe材料的带隙和完全弛豫状态下材料的带隙之差与应变呈线性关系.基于这一结果,提出了 用测量带隙来间接测定SiGe/Si应变状态的方法.用带隙法和x射线双晶衍射法测量了不同应 变状态下的SiGe/Si多量子阱材料的应变弛豫度,两者可以较好的符合,表明带隙法测量SiG e应变弛豫度是可行的.
关键词:
SiGe合金
应变
带隙 相似文献
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卡尔曼滤波法用于ICP-AES分析时,在白色噪音情况下能给出准确的分析结果,当试样的某些组分未知时,测量噪音将不是白色的,分析结果将不准确。本文提出了一种加权增量卡尔曼滤波法来解决这个问题。 相似文献
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金刚石膜合成条件下的鞘层与等离子体参数分布 总被引:1,自引:0,他引:1
本文报导了在用热阴极直流放电等离子体化学气相沉积(通常也称EACVD.即电子辅助化学气相沉积)方法合成金刚石的条件下的等离子体密度、电子温度、等离子体空间电位分布及基片附近等离子体鞘结构,并讨论其对成膜的影响. 相似文献