首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   60444篇
  免费   11526篇
  国内免费   20506篇
化学   45178篇
晶体学   2336篇
力学   4605篇
综合类   1932篇
数学   9148篇
物理学   29277篇
  2024年   836篇
  2023年   1029篇
  2022年   2449篇
  2021年   2513篇
  2020年   2367篇
  2019年   2443篇
  2018年   2300篇
  2017年   2967篇
  2016年   2368篇
  2015年   3091篇
  2014年   3873篇
  2013年   4863篇
  2012年   4735篇
  2011年   5082篇
  2010年   5063篇
  2009年   5137篇
  2008年   5694篇
  2007年   5126篇
  2006年   4937篇
  2005年   4328篇
  2004年   3392篇
  2003年   2434篇
  2002年   2478篇
  2001年   2509篇
  2000年   2521篇
  1999年   1452篇
  1998年   815篇
  1997年   579篇
  1996年   572篇
  1995年   538篇
  1994年   520篇
  1993年   524篇
  1992年   449篇
  1991年   342篇
  1990年   330篇
  1989年   326篇
  1988年   218篇
  1987年   210篇
  1986年   164篇
  1985年   136篇
  1984年   147篇
  1983年   103篇
  1982年   85篇
  1981年   94篇
  1980年   66篇
  1979年   81篇
  1978年   26篇
  1977年   21篇
  1965年   19篇
  1959年   25篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
111.
C60和C60/C70的激光脱附飞行时间质谱分析   总被引:1,自引:1,他引:1  
王深义  王培南 《光学学报》1993,13(6):85-489
采用激光脱附并直接测量离子的方法对实验室提取的C_(60)/C_(70)以及进一步分离得到的纯C_(60)进行了飞行时间质谱分析,并讨论了质谱分析过程中实验条件对结果的影响.  相似文献   
112.
Aluminium films with various thickness between 700 nm and 1μm were deposited on Si (100) substrates, and 400 keV N2+ ions with doses ranging from 4.3×1017 to 1.8×1018 N/cm2 were implanted into the alu-minium films on silicon, Rutherford Backscattering (RBS) and channeling, secondary ion mass spectroscopy (SIMS), Fourier transform infrared spectra (FTIR), X-ray diffraction (XRD), transmission electron microscopy (TEM) and spreading resistance probes (SRP) were used to characterize the synthesized aluminium nitride. The experiments showed that when the implantation dose was higher than a critical dose Nc, a buried stoichiometric AlN layer with high resistance was formed, while no apparent AlN XRD peaks in the as-implanted samples were observed; however, there was a strong AlN(100) diffraction peak appearing after annealing at 500 ℃ for 1h. The computer program, Implantation of Reactive Ions into Silicon (IRIS), has been modified and used to simulate the formation of the buried AlN layer as N2+ is implanted into aluminium. We find a good agreement between experimental measurements and IRIS simulation.  相似文献   
113.
The complexes of polyurethane containing double bonds with LiClO4 were formed, and cross-linked films were produced by UV radiation, All of the films were uniform, transparent, flexible and smooth-faced with a considerable mechanical strength. The ionic conductivities of the films of several series of polymers with different molecule weights of PEG segment were measured, of which the highest is 8.09×10-5S·cm-1 at 300K under anhydrous atmosphere. Also the conductivity is deeply influenced by the molecule weight of the soft segment PEG of the polyurethane and the content of LiClO4. The transport number of Li+ is about 0.57. Structure characteristic measurement much as DSC, XRD, IR etc., have been done and the conductive mechanism is discussed.  相似文献   
114.
顾思洪  李白文 《物理学报》1993,42(7):1025-1030
本文用一种有解析形式的势模型波函数计算了Mg原子的振子强度和能级寿命,并与实验和其他理论计算结果作了比较。结果表明对于Mg原子大量组态混合程度很弱的态,用单组态波函数进行计算是完全可行的。  相似文献   
115.
赵新  李崔 《波谱学杂志》1993,10(1):85-89
用ESR方法研究了红薯淀粉在γ射线预辐照下,产生的淀粉自由基特性及其室温下的自由基衰减动力学反应。结果表明在室温条件下,淀粉自由基的相对浓度随辐射剂量的增大而增加。自由基相对浓度的室温衰减用二级反应动力学处理,求得了衰减速率常数和淀粉自由基反应的半衰期。  相似文献   
116.
利用非等强度、等脉冲相关技术测量甲酚紫染料吸收恢复时间。实验结果给出了甲酚紫染料吸收恢复时间为158ps。  相似文献   
117.
李天初  谭小地 《光学学报》1993,13(2):85-188
提出了一种高精度测量液体折射率的新方法一“干涉逼近法”.这种方法可以在测量过程中监视被测液体温度不均匀性给测量带来的误差.由于受温度测量的限制,其测量液体折射率的不确定度在1×10~(-6)到4×10~(-5)(2σ)之间,具体值取决于液体折射率的温度系数.  相似文献   
118.
王瑞波  李淳飞 《光学学报》1993,13(11):017-1020
本文报道用光不双稳开关构成多位数序列全加器的方法,并用非线性干涉滤光片双稳开关进行了原理性实验演示,完成了四位二进制数的全加运算。  相似文献   
119.
基于随机效应Wiener退化模型的剩余寿命预测   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
针对退化率较高的产品具有不稳定的退化路径以及产品个体差异对退化过程的影响,建立了一种新的随机效应退化模型,即漂移参数和扩散参数均为随机变量且两者之间呈线性关系的Wiener退化过程模型.基于该模型获得了产品剩余寿命分布与可靠度函数,同时设计了估计模型参数的EM(expectation maximization)算法.最后,通过分析钛合金疲劳裂纹数据以及与现有模型结果的比较,验证了所建模型的有效性和准确性.  相似文献   
120.
用绝对频率精度优于1.2MHz的CO_2激光边带光谱仪记录了SF_6分子v_3带Q支的多普勒受限吸收谱,光谱范围在CO_2激光10P(16)支线中心两侧,距支线中心8.0~12.4 GHz。用内插法以<6MHz的均方误差测量了百余条跃迁谱线的频率,并标识出Q_Z、Q_R、Q_X、Q_W、Q_A等亚支的谱线,量子数J从26到83。用最小二乘法拟合实验数据得到了v_3带的部分光谱常数。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号