首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   40357篇
  免费   7779篇
  国内免费   8716篇
化学   30771篇
晶体学   895篇
力学   2456篇
综合类   873篇
数学   5066篇
物理学   16791篇
  2024年   86篇
  2023年   675篇
  2022年   1270篇
  2021年   1454篇
  2020年   1652篇
  2019年   1713篇
  2018年   1494篇
  2017年   1614篇
  2016年   1832篇
  2015年   2077篇
  2014年   2513篇
  2013年   3150篇
  2012年   3559篇
  2011年   3727篇
  2010年   3034篇
  2009年   2957篇
  2008年   3216篇
  2007年   2816篇
  2006年   2732篇
  2005年   2251篇
  2004年   1896篇
  2003年   1505篇
  2002年   1540篇
  2001年   1451篇
  2000年   1228篇
  1999年   901篇
  1998年   608篇
  1997年   538篇
  1996年   509篇
  1995年   392篇
  1994年   409篇
  1993年   357篇
  1992年   259篇
  1991年   258篇
  1990年   213篇
  1989年   163篇
  1988年   141篇
  1987年   138篇
  1986年   106篇
  1985年   80篇
  1984年   59篇
  1983年   62篇
  1982年   47篇
  1981年   34篇
  1980年   33篇
  1979年   27篇
  1977年   9篇
  1976年   10篇
  1975年   11篇
  1959年   9篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
131.
The effects of Si doping on the structural and electrical properties of Ge2Sb2Te5 film are studied in detail. Electrical properties and thermal stability can be improved by doping small amount of Si in the Ge2Sb2Te5 film. The addition of Si in the Ge2Sb2Te5 film results in the increase of both crystallization temperature and phase-transition temperature from face-centered cubic (fcc) phase to hexagonal (hex) phase, however, decreases the melting point slightly. The crystallization activation energy reaches a maximum at 4.1 at.% and then decreases with increasing dopant concentration. The electrical conduction activation energy increases with the dopant concentration, which may be attributed to the increase of strong covalent bonds in the film. The resistivity of Ge2Sb2Te5 film shows a significant increase with Si doping. When doping 11.8 at.% of Si in the film, the resistivity after 460 °C annealing increases from 1 to 11 mΩ cm compared to the undoped Ge2Sb2Te5 film. Current-voltage (I-V) characteristics show Si doping may increase the dynamic resistance, which is helpful to writing current reduction of phase-change random access memory.  相似文献   
132.
合成了两种新型噻吩基卟啉-5,15-二(2-噻吩基)-2,8,12,18-四乙基-3,7,13,17-四甲基卟啉7a(45.1%)和5,15-二(2-联噻吩基)-2,8,12,18-四乙基-3,7,13,17-四甲基卟啉7b(61.2%),并研究了它们的光谱性质,其中荧光光谱的最大发射峰蜂都在631nm处,量子产率分别为4.1%(7a)和1.4%(7b)。  相似文献   
133.
对Sn-C60薄膜进行紫外可见光吸收,X-射线衍射和扫描电镜的测定结果显示,薄膜样品紫外可见光吸收的两个短波段吸收峰比纯C60薄膜的吸收峰显著下降,说明Sn-C60薄膜的电子光吸收跃迁为间接跃迁,能带中有杂质能级的存在;样品的X射线衍射峰则对应于面心立方结构;扫描电镜结果显示薄膜为纳米级颗粒组成。  相似文献   
134.
方允  罗洋城  何家忠 《大学物理》2002,21(10):11-12,42
求解电子运动的二阶微分方程,在旋转波近似下,介质在外场突然变化时产生的瞬态感应极化与外场同频,但相位总是落后,最大落后为π/2;振幅大小与初态有关,随时间按指数规律衰减,衰减快慢由介质的阻尼系数决定。  相似文献   
135.
有界连通区域上Dirichlet空间及其算子   总被引:1,自引:0,他引:1  
王晓峰  姚正安 《数学学报》2006,49(4):893-898
本文主要讨论了有界连通区域Dirichlet空间上Toeplitz算子的Fredholm性质,计算了符号在C1中的Toeplitz算子的本性谱和Fredholm指标.  相似文献   
136.
Spectrum Simulation of Li-Like Aluminium Plasma   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
X-ray emission spectra for L-shell of Li-like aluminium ions are simulated by using the flexible atomic code based on the collisional radiative model. Atomic processes including radiative recombination, dielectronic recombination, collisional ionization and resonance excitation from the neighbouring ion (Al^9+ and Al^11+ ) charge states of the target ion (Al^10+) are considered in the model. In addition, the contributions of different atomic processes to the x-ray spectrum are analysed. The results show that dielectronic recombination, radiative recombination, collisional ionization and resonance excitation, other than direct collisional excitation, are very important processes.  相似文献   
137.
The phase boundary theory and the contact rule of phase regions are compared, and some weaknesses of the latter are manifested. The comparison between the Gupta’s method and the boundary theory method for constructing multicomponent isobaric sections is also presented.  相似文献   
138.
表面肌电信号把神经肌肉活动和肌肉收缩联系起来,已被视为一种估计肌肉疲劳比较客观的方法,但也存在一些不足。另一方面,超声已广泛应用于医学诊断和研究,在骨骼肌方面也有不少研究报道,但还未见文献报道超声用于肌肉疲劳的估计。本文介绍一套自行开发的新的同步连续采集B超图像、力矩和肌电信号的采集系统,并利用它对肱二头肌的肌肉疲劳进行了估计。试验表明在30秒的肌肉疲劳过程中,肌肉厚度会以非线性的方式增加。  相似文献   
139.
We have studied the interracial reactions between amorphous LaAlO3 thin films and Si substrates, using high- resolution transmission electron microscopy and x-ray photoelectron spectroscopy. It has been shown that the interracial layer between LaAlO3 film and Si substrate chemical states show that the ratio of La 4d3/2 to Al 2p is SiLaxAlyOz. The depth distributions of La, Si and Al of the interfacial layer remains unchanged with the depth compared to that of the LaAlO3 film. Moreover, the Si content, in the interracial layer gradually decreases with increasing thickness of the interracial layer. These results strongly suggest that the Al element is not deficient in the interracial layer, as previously believed, and the formation of a SiLaxAlyOz interracial layer is mainly due to the diffusion of Si from the substrate during the LaAlO3 film deposition. With the understanding of the interracial layer formation, ones can control the interface characteristics to ensure the desired performances of devices using high-k oxides as gate dielectrics.  相似文献   
140.
Recently, miniature H2 generator to power fuel cells for portable/micro electronic devices and passenger propulsion has been the focus of intense research activities1-3. One of the strategies is to find simple CO-free H2 production with novel microreactor…  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号