全文获取类型
收费全文 | 161522篇 |
免费 | 16778篇 |
国内免费 | 9468篇 |
专业分类
化学 | 82793篇 |
晶体学 | 1634篇 |
力学 | 11904篇 |
综合类 | 515篇 |
数学 | 41117篇 |
物理学 | 49805篇 |
出版年
2024年 | 232篇 |
2023年 | 1999篇 |
2022年 | 2743篇 |
2021年 | 3188篇 |
2020年 | 3896篇 |
2019年 | 3467篇 |
2018年 | 12766篇 |
2017年 | 12297篇 |
2016年 | 10036篇 |
2015年 | 4933篇 |
2014年 | 5383篇 |
2013年 | 6839篇 |
2012年 | 11612篇 |
2011年 | 18310篇 |
2010年 | 10852篇 |
2009年 | 11046篇 |
2008年 | 11991篇 |
2007年 | 13439篇 |
2006年 | 4957篇 |
2005年 | 5060篇 |
2004年 | 4383篇 |
2003年 | 4180篇 |
2002年 | 3066篇 |
2001年 | 2049篇 |
2000年 | 1887篇 |
1999年 | 1991篇 |
1998年 | 1784篇 |
1997年 | 1718篇 |
1996年 | 1756篇 |
1995年 | 1436篇 |
1994年 | 1224篇 |
1993年 | 1088篇 |
1992年 | 910篇 |
1991年 | 845篇 |
1990年 | 691篇 |
1989年 | 559篇 |
1988年 | 428篇 |
1987年 | 365篇 |
1986年 | 380篇 |
1985年 | 307篇 |
1984年 | 193篇 |
1983年 | 154篇 |
1982年 | 141篇 |
1981年 | 95篇 |
1980年 | 88篇 |
1979年 | 54篇 |
1914年 | 45篇 |
1912年 | 40篇 |
1909年 | 41篇 |
1908年 | 40篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 46 毫秒
911.
针对磷化铟(InP)复合沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的特点,对常规单沟道HEMT的小信号物理模型进行了修正,提出了一种新的用于复合沟道HEMT的小信号物理模型,用商用器件模拟软件ISE(integrated systems engineering)对其进行了仿真验证,对比了实测和仿真的I-V特性及转移特性曲线,重点研究了在InGaAs/InP双层沟道中考虑量子效应后的电场和电流密度随着不同栅电压的变化趋势,研究结果表明,由于在沟道中存在量子效应,在栅下靠源端低电场区域,电流主要分布在InGaAs沟道
关键词:
高电子迁移率晶体管
复合沟道
物理模型
磷化铟 相似文献
912.
利用SHS等离子喷涂技术,将经过机械团聚法制备的Fe2O3-Al复合粉体送入等离子焰流,沉积出厚度约为400 μm的复合涂层.利用XRD,SEM 和TEM等检测手段对涂层的成分和组织进行了分析,测定了涂层的显微硬度、断裂韧性以及耐磨性.结果表明涂层为具有纳米结构的FeAl2O4-Al2O3-Fe纳米复合组织;涂层的显微硬度为HV100g870;断裂韧性是普通Al2O3涂层的2倍;无润滑磨损的耐磨性是普通Al2O3涂层的2.5倍. 相似文献
913.
采用真空熔融缓冷方法制备了单相β-Zn4Sb3以及含有过量Zn的β-Zn4Sb3块体热电材料.在300—700K的温度范围内测试了材料的电导率、Seebeck系数和热导率,研究了β-Zn4Sb3化合物中过量Zn的分布状态及其对材料热电性能的影响规律.结果表明:过量的Zn作为第二相较均匀的分布在β-Zn4Sb3的晶界上,随着Zn含量增加,材料电导率和热导率上升,Seebeck系数下降,Zn第二相的引入能有效提高材料的功率因子,Zn过量2at%的材料在700K时其ZT值达到1.10. 相似文献
914.
915.
916.
Features of the total disintegration events of heavyemulsion targets caused by 4.5A GeV/c16O
下载免费PDF全文
![点击此处可从《中国物理》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
Total disintegration events produced by 4.5\,A GeV/c $^{16}$O--AgBr interactions are
analysed to investigate the characteristics of secondary charged particles produced
in such collisions. The multiplicity distributions of grey, black, and relativistic
charged particles can be well represented by Gaussian distribution. The average
multiplicity of grey particles is found to increase with the mass of projectile
increasing, while that of black particles is found to decrease with the mass of
projectile increasing. This result is in good agreement with the prediction of
fireball model. Finally, the linear dependence between grey and black particles is
observed, but there is no distinct dependence between the production of relativistic
charged particles and the target excitation. 相似文献
917.
The melting curve of MgSiO分子动力学 MgSiO3钙钛矿 熔化温度 高压 melting temperature, molecular dynamics, high pressure Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos 10274055 and 10376021),the Natural Science Foundation of Gansu Province, China (Grant No 3ZS051-A25-027) and the Scientific Research Foundation of Education Bureau of Gansu Province, China (Grant No 0410-01). 2005-01-12 5/8/2005 12:00:00 AM The melting curve of MgSiO3 perovskite is simulated using molecular dynamics simulations method at high pressure. It is shown that the simulated equation of state of MgSiO3 perovskite is very successful in reproducing accurately the experimental data. The pressure dependence of the simulated melting temperature of MgSiO3 perovskite reproduces the stability of the orthorhombic perovskite phase up to high pressure of 130GPa at ambient temperature, consistent with the theoretical data of the other calculations. It is shown that its transformation to the cubic phase and melting at high pressure and high temperature are in agreement with recent experiments. 相似文献
918.
Hongjun Zhang 《Tetrahedron letters》2006,47(23):3905-3908
A highly efficient total synthesis of 7-deoxypancratistatin is described. The synthesis features the ready preparation of the phenanthridone skeleton by a Stille-IMDAF cycloaddition cascade. The resulting cycloadduct is converted into a key aldehydic intermediate, which is then induced to undergo a stereospecific decarbonylation reaction using Wilkinson’s catalyst to set the trans B-C ring junction of the target molecule. 相似文献
919.
利用原子力显微镜分析了ZnO薄膜在具有本征氧化层的Si(100)和Si(111)基片上的表面形貌 随沉积时间的演化. 通过对薄膜生长形貌的动力学标度表征,研究了射频反应磁控溅射条件 下,ZnO薄膜的成核过程及生长动力学行为. 研究发现,ZnO在基片表面的成核过程可分为初 期成核阶段、低速率成核阶段和二次成核阶段. 对于Si(100)基片,三个成核阶段的生长指 数分别为β1=1.04,β2=0.25±0.01,β3=0.74;对 于Si(11
关键词:
ZnO薄膜
磁控溅射
生长动力学
成核机制 相似文献
920.