黑鱾（Girellaleonina）淀粉酶与蛋白酶的活力研究

通过测定1＋龄黑鱾的胃、盲囊、肝脏和肠道4个消化组织中蛋白酶和淀粉酶活性,并研究其与温度及pH值的关系,可以为黑纪的合理投饵提供理论依据．实验设9个温度梯度（10～50℃）和14个pH缓冲液梯度（pH2．0～9．0）,用淀粉-碘显色法测淀粉酶活力,用福林-酚试剂法测蛋白酶活力．结果表明：黑纪盲囊、肠道中淀粉酶和蛋白酶活力均较高,最适温度为35℃,淀粉酶最高活力为每克鲜组织46．02U和42．61U蛋白酶最高活力为每克鲜组织156．52u和147．79U;胃中酶的最适温度为40℃,肝脏中淀粉酶温度要求稍低,最适温度为30℃,酶活力值也最低;胃淀粉酶和胃蛋白酶最适pH值分别为6．5和3．5,盲囊、肠道和肝脏组织中的最适pH值相近,为7．0-8．0．可以认为黑鲍胃中主要存在着酸性蛋白酶,胃是食物蛋白质初步分解消化的场所;Q10值充分反映了温度对消化酶活力的影响,当温度从10℃上升至20℃时。2种消化酶活力增幅显著,可作为开始投饵的温度指标．     

Gd_(1-x)Zn_xMnO_3系列化合物Rietveld结构分析

利用标准的固相反应法在1 350 ℃烧结了Gd(1-x)ZnxMnO3(x=0,0.2,0.4,0.6,0.8)样品.利用X射线衍射(XRD)对其晶体结构进行了研究.X射线衍射测量表明样品的单胞仍然具有正交结构.用Rielveld方法进行了结构精修,结果表明,随着Zn掺杂浓度的变化,导致A位原子半径的变化,样品的晶格常数、晶胞体积Mn-O键长、Mn-O-Mn键角随之变化.在Zn掺杂浓度x=0.4时,这种变化达最大.     

基于FPGA的RFID防碰撞算法的硬件实现

采用改进型二进制树搜索算法,优化了二进制树搜索路径、仲裁中断信道传输及高效随机数产生器的设计,用Verilog HDL语言在RTL级对全算法模块进行了描述,并用ModelSim软件进行功能仿真及时序验证,在Stratix EP1S10F484C5器件上进行防碰撞现场可编程门阵列(FPGA)综合,使射频识别技术(RFID)系统兼容基于位碰撞及非基于位碰撞两种识别机制的硬件设计得以实现.实验结果表明:该改进算法执行效率接近50%,比传统算法具有更高的时分多址(TDMA)信号利用率及平均识别效率,能满足多标签的快速准确识别,起到良好的防碰撞作用.     

多孔阳极氧化铝膜形成机理的研究

为了探讨多孔阳极氧化铝膜的形成机理,在0．3mol／L的草酸溶液中,通过二次阳极氧化法制备了多孔氧化铝膜．X射线衍射和扫描电镜测量表明,本实验制备了高度有序的、非晶态结构的多孔氧化铝膜．通过分析阳极氧化过程中的电解电流随时间变化的关系,研究了多孔氧化铝膜的形成机理．     

As+注入硅的紫外-可见椭圆偏振光谱

本文采用椭圆偏振光谱法研究了剂量为1×10¹⁶—3×10¹²cm^-2的As⁺注入硅,及其在700℃退火后的光学性质。得出:当As⁺注入剂量增大到某一程度后,便呈非晶特性。低于临界剂量的样品,其n-λ,ε₂-λ关系曲线随剂量的增大而往下方移动,呈有规律变化;退火后,在大于4000?波段,n-λ与ε₂-λ曲线基本恢复到单晶硅状态。但在小于4000?的紫外区却未完全恢复,注入剂量越大,偏离单晶硅就越大。并指出,紫外光区是离子注入硅的信息敏感区;用有效质量模型计算出注入剂量与损伤度的关系。计算结果与实验符合得较好。 关键词：     

百万大气压下的压强校准及5.5 Mbar静压强的获得

进行了百万大气压下,静水压和非静水压条件下的压力校准,同时观察到金刚石砧容器中红宝石R线红移至830nm处,由校准公式算得对应的压强为5.5Mbar。 关键词：     

等离子体氧轰击硅生成缺陷的研究

本文对等离子体氧轰击硅产生的缺陷进行了研究。发现等离子体氧轰击在硅中引入两个缺陷E₁(E_c—0.46eV)及E₂(E_c—0.04eV)。测量了缺陷的光电离截面谱,分析表明,缺陷E₂的电子声子相互作用很强,其Frank-Condon移动达0.76eV,缺陷E₁的电子声子相互作用较小,其Frank-Condon移动为0.04eV。由实验结果得到与缺陷E₁、E₂相耦合的声子模分别为hω_p⁽¹⁾=28meV,hω_p⁽²⁾=20meV。 关键词：     

准连续主动锁模调QNd:YLF振荡器

顺利建成了用于磷酸盐钕玻璃激光核聚变系统的准连续主动锁模调Q Nd:YLF振荡器。报道了其稳定性、可靠性和高信噪比的特性。     

声光器件的换能器带宽和镀层厚度的确定

根据压电换能器的Mason等效电路,就36°у切LN/PM声光器件和x切LN/TeO₂声光器件以及各种镀层材料和厚度计算了换能器损耗TL随规一化频率f/f₀的变化关系,由此可确定各镀层的厚度和器件的换能器带宽,还给出器件的电输入阻抗z_i在阻抗圆图上随f/f₀变化的轨迹,它可作为器件性能测试的理论依据。 关键词：     

层状多硫代锑(Ⅲ)酸镉(Ⅱ)化合物(1,4-DABH2)Cd2Sb2S6的溶剂热合成与表征

利用溶剂热方法合成了层状多硫代锑髥酸镉髤化合物(1,4-DABH2)Cd2Sb2S6(1)(1,4-DAB=1,4-丁二胺),并通过红外光谱、热重分析对其进行了表征,用X-射线衍射测定了化合物的单晶结构。单晶解析表明,化合物属正交晶系,Cmca空间群,Mr=750.77,a=0.860 3(5)nm,b=0.898 7(6)nm,c=2.273(2)nm,V=1.758(2)nm3,Z=4,λ=0.071 073 nm,R=0.032,wR=0.106 7。晶体结构中含有六元环的Cd2SbS3和八元环的Cd2Sb2S4的阴离子网络层状[CdSbS3]nn-,双质子化的有机阳离子在阴离子层之间以氢键N-H…S形式连接。另外紫外-可见漫反射光谱研究表明,化合物为半导体。