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121.
J. Jiang B.Y. Jiang C.X. Ren F.M. Zhang T. Feng X. Wang X.H. Liu S.C. Zou 《Applied Surface Science》2006,252(10):3642-3646
Hafnium and platinum were deposited onto molybdenum grids by ion-beam assisted deposition method. Electron-emission characteristics from molybdenum grids with Hf and Pt films, which were contaminated by active electron-emission substances (Ba, BaO) of the cathode, were measured using analogous diode method. The surfaces of grids were analyzed by X-ray diffraction. The results revealed that the reaction between BaO and Hf formed BaHfO3 compound, which greatly reduced the accumulation of BaO on the surface and accordingly decreased grid emission. In contrast, Ba were formed by the decomposition of BaO on the surface of Pt film under high temperature and re-evaporated from its surface, which reduced the active electron-emission substances on the surface of the grid and effectively restrained grid emission. Their mechanisms for grid-emission suppression are discussed and a good method to develop new grid-coating materials is suggested. 相似文献
122.
首先用BFW势函数形式拟合了在CCSD(T)/aug-cc-pVQZ理论水平下计算的He-HCl相互作用能数据,获得了He原子与HCl分子相互作用的各向异性势;然后采用CC近似方法计算了He-HCl碰撞体系的微分散射截面和分波散射截面,并总结了分波散射截面的变化规律.结果表明,拟合势不但表达形式简洁,而且较好地描述了He-HCl系统相互作用的各向异性特征;利用碰撞体系分子间势的量子化学从头计算结果,可解决势能参数难以确定的问题.对进一步研究原子与分子碰撞机理有一定参考价值.
关键词:
各向异性势
势能参数
密耦近似
分波散射截面 相似文献
123.
用射频磁控溅射法在80℃衬底温度下制备出MgxZn1-xO(x=0.16)薄膜,用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)和透射谱研究了退火温度对MgxZn1-xO薄膜结构和光学性质的影响.测量结果显示,MgxZn1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构,并且具有沿c轴的择优取向;随着退火温度的升高,(002)XRD峰强度、平均晶粒尺寸和紫外PL峰强度增大,(002)XRD峰半高宽(F
关键词:
xZn1-xO薄膜')" href="#">MgxZn1-xO薄膜
射频磁控溅射
退火 相似文献
124.
125.
126.
提出一种实现简并光学参量振荡器混沌反控制的方法,用正弦信号调制简并光学参量振荡器的基模衰减率,使简并光学参量振荡器从定态输出转化为混沌态.数值模拟结果表明,选择不同的调制幅度和调制角频率,只要满足系统的最大李雅谱诺夫指数大于零,即可实现不同的混沌轨道重构.通过比较最大李雅谱诺夫指数λmax随调制幅度和调制角频率变化曲线, 指出系统从周期态调制到混沌态比从无亚谐波输出的定态调制到混沌态更容易,有更宽的调制幅度和调制角频率选择范围.
关键词:
简并光学参量振荡器
混沌反控制
调制 相似文献
127.
128.
129.
130.
Feng S.-W. Tsai C.-Y. Cheng Y.-C. Liao C.-C. Yang C.C. Lin Y.-S. Ma K.-J. Chyi J.-I. 《Optical and Quantum Electronics》2002,34(12):1213-1219
A side-bump feature in a photoluminescence (PL) spectrum of an InGaN compound was widely observed. With reasonable fitting to PL spectra with three Gaussian distributions, the temperature variations of the peak positions, integrated PL intensities, and peak widths of the main and first side peaks of three InGaN/GaN multiple quantum well samples with different nominal indium contents are shown and interpreted. The existence of the side peaks is attributed to phonon–replica transitions. The variations of the peak position separations and the decreasing trends of the first side peak widths beyond certain temperatures in those samples were explained with the requirement of phonon momentum condition for phonon–replica transitions. In the sample with 25% nominal indium content, the phonon–replica transition could become stronger than the direct transition of localized states. 相似文献