中物院远红外自由电子激光实验研究

中国工程物理研究院基于射频直线加速器技术的远红外自由电子激光(FIR-FEL)实验取得阶段性进展,于2005年3月24晚8时30分首次出光, 并多次重复. 中心波长115μm, 谱宽1%.介绍了实验系统的主要组成部分和主要实验结果.     

Gain Characteristics of Er^3＋-Doped Phosphate Glass Fibres

An erbium-doped phosphate glass fibre has been drawn by the rod-in-tube technique in our laboratory. The gain for the Er^3＋-doped phosphate glass fibre with different pump powers and with different input signal wavelengths is investigated. The 2.2-cm-long fibre, pumped by a single-mode 980-nm fibre-pigtailed laser diode, can provide a net gain per unit length greater than 1.SdB/cm. The pump threshold is about 50mW at the wavelength of 1534nm, and below 70roW at 1550nm. The gain linewidth of the Er^3＋-doped phosphate glass fibre is greater than 34 nm and can cover the C band in optical communication networks.     

等离子体氧轰击硅生成缺陷的研究

本文对等离子体氧轰击硅产生的缺陷进行了研究。发现等离子体氧轰击在硅中引入两个缺陷E₁(E_c—0.46eV)及E₂(E_c—0.04eV)。测量了缺陷的光电离截面谱,分析表明,缺陷E₂的电子声子相互作用很强,其Frank-Condon移动达0.76eV,缺陷E₁的电子声子相互作用较小,其Frank-Condon移动为0.04eV。由实验结果得到与缺陷E₁、E₂相耦合的声子模分别为hω_p⁽¹⁾=28meV,hω_p⁽²⁾=20meV。 关键词：     

Large time behavior of the solutions to the Boltzmann equation with specular reflective boundary condition

In this paper a half space problem for the one-dimensional Boltzmann equation with specular reflective boundary condition is investigated. It is shown that the solution of the Boltzmann equation time-asymptotically converges to a global Maxwellian under some initial conditions. Furthermore, a time-decay rate is also obtained.     

一种基于能带工程设计的CaAsSb/InP异质结双极晶体三极管

异质结晶体三极管（HBT）的性能与其材料体系密不可分，利用能带工程可以大大优化器件的结构，提高器件性能，文章从分析HBT的能带结构及设计要求入手，介绍了一种利用能带工程设计的基于GaAsSb/InP材料体系的新型HBT器件的结构及其性能，分析了该器件与其它材料体系器件相比所具有的优异特性，说明了对HBT的各区材料，其带边的相对位置所起的重要作用，最后，文章还报道了近期的实验情况，说明了GaAsSb/InP体系HBT的实际性能与理论预言一致。     

Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长

以硒化氢（H2Se）和二甲基锌为源材料，生长温度是300℃时，用低压金属有机化学气相沉积（LP－MOCVD）系统在Si(111)衬底上外延生长了ZnSe薄膜。通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜的能量色散（EDS）以及光致发光（PL）实验验证ZnSe外延膜的质量，在X射线衍射谱中只有一个强的ZnSe(111)面衍射峰，这说明外延膜是（111）取向的单晶薄膜，在能量色散谱中除了Si,Zn和Se原子外，没有观测到其他原子，说明ZnSe外延膜中杂质含量较少。ZnSe外延膜中Zn/Se原子比接近1，有较好的化学配比。在ZnSe外延膜的77K光致发光谱中没有观测到与深中心发射相关的发光峰，表明ZnSe外延膜的晶格缺陷密度较小。77K时的近带边发射峰447nm在室温时移至465nm附近。     

电子辐照诱发固态相变导致的氮化硼纳米结构生长

报道了N+离子轰击产生的氮化硼(BN)纳米结构,及在电子辐照时结构演化的高分辨透射电子显微镜的原位测定结果.应当强调的是,这种类富勒烯和发夹结构的演化,实际上是电子辐照诱发固态相变的发展,观察中发现的一些BN颗粒、卷曲物,可以被认为是类富勒烯等纳米结构形成的前体或早期阶段.提出了一种类富勒烯等结构的电子辐照动力学模型,并进行了讨论. 关键词： 氮化硼 电子辐照 透射电子显微镜 氮化硼纳米形成物     

求解非线性方程的一个新方法

提出了一种求解非线性方程的数值方法，此方法不需要导数的计算，其收敛阶与抛物线法相同，但计算量要比抛物线法小得多。     

Duffing方程的唯三周期解问题

考虑Duffing方程x+g(x,t)=h(t),在g(x,t)满足简单的凸凹性条件。以及g＇(x,t)跨越第一共振点时,本文指出,当强迫振动项h(t)充分小时,所讨论的Duffing方程的2π周期解恰有三个.     

硼砂与氯化铵合成hBN反应机理的研究

 研究了以硼砂、氯化铵为原料在氨气气氛下合成hBN 的反应机理。指出氯化铵在反应中的主要作用是与硼砂反应形成可阻止硼砂颗粒团聚的高熔点膜层；而氨气的主要作用就是提供大量参与反应的NH₃分子，增加了反应几率；新生成的hBN则进一步隔离高度熔融的硼砂团粒，防止玻璃相的生成。