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61.
Generalized KKM Type Theorems in FC-Spaces with Applications (I) 总被引:1,自引:0,他引:1
Xie Ping Ding 《Journal of Global Optimization》2006,36(4):581-596
The class KKM(X,Y) (resp., s-KKM(X,Y,Z)) of set-valued mappings with KKM (resp., s-KKM) property is introduced in FC-spaces without any convexity structure. Some generalized KKM (resp., s-KKM) type theorems are proved in FC-spaces under much weak assumptions. As applications, some new section theorems and coincidence theorems are established in FC-spaces. These theorems generalize many known results in literature. The further applications of these results will be given in a follow-up paper. 相似文献
62.
63.
Jing Ping YANG Shi Hong CHENG Xiao Qian WANG 《数学学报(英文版)》2007,23(3):467-478
This paper investigates bivariate recursive equations on excess-of-loss reinsurance. For an insurance portfolio, under the assumptions that the individual claim severity distribution has bounded continuous density and the number of claims belongs to R1 (a, b) family, bivariate recursive equations for the joint distribution of the cedent's aggregate claims and the reinsurer's aggregate claims are obtained. 相似文献
64.
65.
Bistable Behaviour of N Two-Level Atoms Interacting with the Field inside a High-Q Cavity Containing a Nonlinear Kerr-Like Medium 下载免费PDF全文
Taking the intensity-dependent coupling between atoms and cavity mode into account, we investigate a system consisting of N homogeneously broadened two-level atoms interacting with the field inside a single-mode Fabry- Perot cavity containing a nonlinear Kerr-like medium. We derive the steady-state bistable behaviour of the system, and further analyse in details the influence of several critical parameters on the bistable behaviour. 相似文献
66.
切变模量和转动惯量实验的改进 总被引:2,自引:1,他引:1
设计了一种基于垂直轴定理的新型吊钩,对切变模量和转动惯量实验进行了改进,使之成为既可测定金属丝切变模量和环、柱等刚体的转动惯量,又可验证反映转动惯量重要性质的平行轴定理及垂直轴定理的多功能实验仪. 相似文献
67.
p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成和性能研究 总被引:1,自引:1,他引:0
以高纯ZnO为靶材,氩气为溅射气体,利用射频磁控溅射技术在石英衬底上生长出纤锌矿结构的富锌ZnO薄膜.薄膜沿(002)择优取向生长,厚约为1.2μm,呈现电绝缘特性.将溅射的ZnO薄膜在10-3Pa,510~1 000 K的温度范围等温退火1 h,室温Hall测量结果表明ZnO薄膜的导电性能经历了由绝缘—n型—p型—n型半导体的变化.XPS测试表明ZnO薄膜的Zn/O离子比随退火温度的升高而降低,但一直是富锌ZnO,说明未掺杂的富锌ZnO也可以形成p型导电.p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成可归因于VZn受主浓度可以克服VO和Zni本征施主的补偿效应. 相似文献
68.
69.
He Ping LIU Xuan Yuan ZHENG 《数学学报(英文版)》2006,22(2):425-430
We consider the commutators of the HSrmander multiplier with CMO-functions on the Heisenberg group. The result of compactness on L^P spaces is proved. 相似文献
70.