密蒙花总黄酮抗氧化活性

用对DPPH自由基清除率来考察密蒙花的体外抗氧化活性大小,并与同浓度的Vc做比较。结果表明,密蒙花对DPPH自由基清除作用比Vc强,密蒙花是一种良好的天然抗氧化剂来源。     

黑鱾（Girellaleonina）淀粉酶与蛋白酶的活力研究

通过测定1＋龄黑鱾的胃、盲囊、肝脏和肠道4个消化组织中蛋白酶和淀粉酶活性,并研究其与温度及pH值的关系,可以为黑纪的合理投饵提供理论依据．实验设9个温度梯度（10～50℃）和14个pH缓冲液梯度（pH2．0～9．0）,用淀粉-碘显色法测淀粉酶活力,用福林-酚试剂法测蛋白酶活力．结果表明：黑纪盲囊、肠道中淀粉酶和蛋白酶活力均较高,最适温度为35℃,淀粉酶最高活力为每克鲜组织46．02U和42．61U蛋白酶最高活力为每克鲜组织156．52u和147．79U;胃中酶的最适温度为40℃,肝脏中淀粉酶温度要求稍低,最适温度为30℃,酶活力值也最低;胃淀粉酶和胃蛋白酶最适pH值分别为6．5和3．5,盲囊、肠道和肝脏组织中的最适pH值相近,为7．0-8．0．可以认为黑鲍胃中主要存在着酸性蛋白酶,胃是食物蛋白质初步分解消化的场所;Q10值充分反映了温度对消化酶活力的影响,当温度从10℃上升至20℃时。2种消化酶活力增幅显著,可作为开始投饵的温度指标．     

碳纳米纤维负载Co3S4复合材料的合成及其在染料敏化太阳电池对电极的应用

采用水热法合成四硫化三钴（Co₃S₄）催化材料,并利用球磨和喷涂技术将其制备成对电极,结合新型无碘电解液Co²⁺/Co³⁺用于染料敏化太阳电池（dye-sensitized solar cells,简称DSCs）来研究其光电性能。测试结果显示,基于Co₃S₄对电极,DSCs的能量转化效率（power conversion efficiency,简称PCE）只有6.06%,远远低于Pt对电极（8.05%）。为了提高Co₃S₄的催化能力,采用静电纺丝技术制备碳纳米纤维（electrospun carbon nanofibers,简称ECs）,结合水热法制备出不同负载量的碳纳米纤维负载四硫化三钴（Co₃S₄/ECs）复合催化材料用于对电极,结果表明,Co₃S₄/ECs的PCE最高可达（8.22±0.08）%,优于Pt对电极。     

交换半环中理想的实根

在交换半环范畴中引进和研究理想的实根,从而将实代数学中有关结果推广到交换半环上。如下结果被建立:在半环中,一个理想的实根恰等于包含该理想的所有实理想的交集,并也恰等于包含该理想的所有实素理想的交集。此外,形式更为一般的理想的实根--广义实根被考虑,并获得相应的结果。     

利用模拟退火算法进行油井流入动态研究

油井流入动态是油井举升优化设计的基础 ,目前国内外研究油井流入动态的方法有多种 ,但是各有其不足和局限性 .为此利用模拟退火方法进行油井流入动态方法研究 .与以往的近似算法相比 ,该方法不需要将单相流和多相流分开讨论 ,且无任何假设条件 ,适用范围广 ;通过实例 ,把模拟退火的预测的产量结果与利用 Vogel方程所预测的产量结果进行比较和误差分析 ,结果表明 ,该算法的误差是非常小的 .因此 ,利用该算法研究油井流入动态非常可行 .     

氢气氛区熔硅单晶热处理缺陷形成机理

本文用X射线衍射形貌法、红外吸收光谱法和金相腐蚀坑法,探讨了氢气氛区熔硅单晶热处理缺陷的形成机理。在生长态晶体中存在着三种Si-H键,对应的红外吸收峰波长分别为4.55微米、4.75微米和5.13微米。随着加热过程的进行,Si—H键逐渐分解而消失。5.13微米吸收峰的消失温度是450℃,4.55微米吸收峰的消失温度是600℃,4.75微米吸收峰的消失温度是700℃。晶体中的热处理缺陷是由于氢沉淀造成的,沉淀过程首先是Si—H键分解,然后是氢的扩散和聚集。沉淀过程的激活能是2.4电子伏特(56000卡/克分 关键词：     

自集成透镜InGaAsP／InPDHLED及其离子束铣技术

本文报道在国内首次采用离子束铣技术研制自集成透镜InGaAsP/InP DH LED的实验结果。采用烘烤正性光致抗蚀剂来形成球状掩膜适合于离子束铣,且重复性很好。为了获得光洁的刻蚀表面,刻蚀条件均已最优化。     

熔融织构YBCO的磁性

测量了熔融织构YBCO样品从1.5K到89K的磁化曲线。磁场H平行于c轴时,在1.5K,7K和10K观察到磁通跳跃,在15—83K的温度区间观察到峰值现象。详细分析了磁化曲线和磁临界电流的各向异性。讨论了晶粒之间连接的性质和主要的钉扎中心。 关键词：     

提高全息图衍射效率的一种方法

本文介绍用稀释显影提高全息图衍射效率的方法。给出了稀释显影的特性曲线以及衍射效率与显影时间、曝光量之间的关系。得到了三种全息干板的高衍射效率。 关键词：     

金属与GaAs接触界面的分析

本文应用二次离子质量分析仪、X射线衍射,电子探针、扫描电子显微镜对Pt.Mo,Ti,Al与GaAs之间的界面(经过不同温度的热处理)进行冶金学性能和相应的电学性质分析,并对结果进行了讨论。由此提出了作为优良GaAs肖特基结的金属,应具有的物理特性以及结的制作原则。 关键词：