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41.
Hydrogenchalcogenido complexes of general composition (η5-C5R5)(CO)3M(EH) (R = H, CH3; M = Cr, Mo, W; E = S, Se) can be obtained by three different routes, sometimes in quite good yields. Thus, the sulfur and selenium derivatives can be synthesized by insertion of the respective elements into the metal-hydrogen bonds of the precursor compounds (η5-C5R5)(CO)3MH. This species also reacts with potassium selenocyanate to yield the hydrogenselenido derivatives (η5-C5R5)(CO)3M(SeH) which can also be obtained by treatment of the methyl complexes (η5-C5R5)(CO)3M(CH3 (M = Mo, W) with HBF4 and Li[SeH]. The corresponding hydrogentellurido compounds are probably formed by these preparative methods but appear to be quickly converted into either the dinuclear tellurium bridge products (μ-Te)[(η5-C5R5)(CO)3M]2 (M = Mo) or into the hydrido complexes (η5-C5R5)(CO)3MH (M= Mo, W) by release of elemental tellurium.  相似文献   
42.
An apparatus has been designed and implemented to measure the elastic tensile properties (Young's modulus and tensile strength) of surface micromachined polysilicon specimens. The tensile specimens are “dog-bone” shaped ending in a large “paddle” for convenient electrostatic or, in the improved apparatus, ultraviolet (UV) light curable adhesive gripping deposited with electrostatically controlled manipulation. The typical test section of the specimens is 400 μm long with 2 μm×50 μm cross section. The new device supports a nanomechanics method developed in our laboratory to acquire surface topologies of deforming specimens by means of Atomic Force Microscopy (AFM) to determine (fields of) strains via Digital Image Correlation (DIC). With this tool, high strength or non-linearly behaving materials can be tested under different environmental conditions by measuring the strains directly on the surface of the film with nanometer resolution.  相似文献   
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50.
We report spectroscopic ellipsometry studies in the energy range of 0.5-5 eV on samples of 1-10 bilayers of polymer and HgTe nanocrystals, which exhibit strong transitions at higher critical points in the dispersion relation. We show that the dispersion relation for nanocrystals can be modelled with the same concepts for critical points as used in semiconductor bulk optics. We find an energy shift of up to 0.4 eV of the critical points to higher energies compared to the HgTe bulk properties, caused by quantum confinement in the nanocrystals, which increases with decreasing nanocrystal size.  相似文献   
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