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171.
研究了应用于锂二次电池正极的新型高能量密度存贮材料Li(AlxCo1-x)O2 (x=01—05)的磁性.发现Al3+的掺杂可导致Co3+中d电子自旋态发生变化,即有部分d电子进入高自旋态.伴随Co3+中电子状态的改变,材料结构演化也发生了相应变化,表现为c/a比增大明显减缓,较好地解释了材料结构对Vegard定律的正偏离.这对材料的微观结构与性能设计具有重要意义.
关键词:
锂电池材料
Li(AlxCo1-x)O2
磁性
自旋态
结构演化 相似文献
172.
173.
174.
本文主要讨论了当非负位势 V(x)属于某逆Holder类时,由一致椭圆算子L=-div(A(x))+V(x)所定义的 Riesz变换在 Lp空间的有界性。 相似文献
175.
就如何在4英寸热氧化硅衬底上沉积高质量的磁性隧道结纳米多层薄膜材料和如何利用光刻方法微加工制备均匀性较好的磁性隧道结方面做了初步研究,并对磁性隧 道结的磁电性质及其工作特性进行了初步测量和讨论.利用现有的光刻设备和工艺条 件在4英寸热氧化硅衬底上直接制备出的磁性隧道结,其结电阻与面积的积 矢的绝对误差在10% 以内,隧穿磁电阻的绝对误差在7% 以内,样品的磁性隧道结性质具有较好的均匀性和一致性,可以满足研制磁随机存储器存储单元演示器件的基本要求.
关键词:
磁性隧道结
隧穿磁电阻
磁随机存储器
4英寸热氧化硅衬底 相似文献
176.
利用相干渡越辐射(CTR)测量短和超短电子束团长度是国际上束测领域新发展的频域测量技术.文中理论分析和数值计算了北京自由电子激光装置的皮秒级的射频电子束团序列产生的CTR,当辐射波长在长于束长(4ps)时,渡越辐射发生相干增强效应;与非相干渡越辐射相比,当λ≥2πσz时,增强的倍数约等于束团中粒子的数目(108);CTR从亚毫米波到毫米波段呈宽带连续谱特性;渡越辐射能量主要集中在轴线附近,宏脉冲辐射能量高达几毫焦.设计采用偏振型束团长度测量系统,利用CTR自相关技术,实验测量该束团序列的纵向长度,并藉助傅里叶变换光谱法,推求束团电子分布. 相似文献
177.
178.
A scheme for teleporting a three-particle state is proposed when three pairs of entangled particles are used as quantum channels. Quantum teleportation can be successfully realized with a certain probability if the receiver adopts an appropriate unitary-reduction strategy. The probability of successful teleportation is determined by the smaller coetficients of the three entangled pairs. 相似文献
179.
在超高真空分子束外延(MBE)生长技术中,反射式高能电子衍射仪(RHEED)能实时显示半导体和金属外延生长过程,给出薄膜表面结构和平整度的信息,成为MBE必备的原位表面分 析仪.为了研究氧化物薄膜如高温超导(YBa2Cu3O7) 、铁电薄膜(Sr1-xBax TiO3)及它们的同质和异质外延结构的生长机理,获得高质量的符合各种应用 需要的氧化 物多层薄膜结构,在常规的制备氧化
关键词:
高温超导薄膜
RHEED 相似文献
180.
应用广义胞映射方法研究了参激和外激共同作用的Duffing-van der Pol振子的随机分岔.以 系统参数通过某一临界值时,如果系统的随机吸引子或随机鞍的形态发生突然变化,则认为 系统发生随机分岔为定义,分析了参激强度和外激强度的变化对于随机分岔的影响.揭示了 随机分岔的发生主要是由于系统的随机吸引子与系统的随机鞍碰撞产生的.分析表明,广义 胞映射方法是分析随机分岔的有力工具,这种全局分析方法可以清晰地给出随机分岔的发生 和发展.
关键词:
随机分岔
全局分析
广义胞映射方法
随机吸引子
随机鞍 相似文献