首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   602920篇
  免费   4507篇
  国内免费   1670篇
化学   292169篇
晶体学   8323篇
力学   32360篇
综合类   17篇
数学   98433篇
物理学   177795篇
  2021年   5060篇
  2020年   5491篇
  2019年   6235篇
  2018年   18184篇
  2017年   18072篇
  2016年   17285篇
  2015年   6964篇
  2014年   10728篇
  2013年   23839篇
  2012年   21852篇
  2011年   31538篇
  2010年   21648篇
  2009年   21945篇
  2008年   26785篇
  2007年   28607篇
  2006年   18893篇
  2005年   17883篇
  2004年   16946篇
  2003年   15897篇
  2002年   14894篇
  2001年   14995篇
  2000年   11637篇
  1999年   8913篇
  1998年   7792篇
  1997年   7621篇
  1996年   7156篇
  1995年   6424篇
  1994年   6382篇
  1993年   6168篇
  1992年   6468篇
  1991年   6973篇
  1990年   6675篇
  1989年   6560篇
  1988年   6405篇
  1987年   6213篇
  1986年   5951篇
  1985年   7492篇
  1984年   7857篇
  1983年   6607篇
  1982年   6886篇
  1981年   6408篇
  1980年   6082篇
  1979年   6574篇
  1978年   6819篇
  1977年   6700篇
  1976年   6640篇
  1975年   6349篇
  1974年   6169篇
  1973年   6488篇
  1972年   4754篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
991.
An energy model has been used to calculate the critical thickness h c of YBaCuO thin films and YBaCuO based superlattices within an isotropic or anisotropic approximation. The critical thickness of single layers calculated from the anisotropic model (16 nm) is in good agreement with the previously published experimental values which are spread out from 4 to 20 nm. In the case of superlattices, relaxation appears to be governed by the critical thickness of the elementary sub-layers and is then better evaluated through the calculation performed for YBaCuO single layers. XRD measurements on YBa2Cu3O7/PrBa2Cu3?xGaxO7 superlattices grown on {100{ SrTiO3 have evidenced a tetragonal stress in the YBaCuO ab plane which remains expanded when the YBaCuO elementary layer thickness is lower than 4.8 nm (4 YBaCuO cells). However the critical temperature of the shortest period superlattices is only slightly affected by this expanded stress in contrast to the effect of an elastic stress externally applied along the ab plane of YBaCuO thin films.  相似文献   
992.
993.
We compare the computational possibilities of the radio-wave refraction-scattering method (RWRSM) and the parabolic-equation method (PEM) in determining the statistical characteristics of radio waves in a medium with large-scale inhomogeneities. It is shown that on the whole the applicability limits of the RWRSM are similar to the corresponding limits of the PEM. However, unlike the PEM, the RWRSM makes it possible, in a number of cases, to use simple means to solve radio-wave-refraction problems in a thick layer with large-scale inhomogeneities.Radiophysical Research Institute, Nizhny Novgorod. Translated from Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii, Radiofizika, Vol. 38, No. 11, pp. 1118–1123, November, 1995.  相似文献   
994.
995.
ESR shows that V(IV) may occur in isolated or interacting vanadium-oxygen groups on the surfaces of catalytically active P-V and Ti-V-bearing silica gels; there is a relationship between the V(IV) content and the phthalic anhydride selectivity in the oxidation of o-xylene.Translated from Teoreticheskaya i Éksperimental'naya Khimiya, Vol. 28, No. 3, pp. 277–282, May–June, 1992.  相似文献   
996.
997.
998.
Summary The liquid-liquid extraction of Mo(VI) from different acid solutions by zinc diethyldithiocarbamate in chloroform is described. This extractant allows the separation of nanogram to milligram quantities of Mo from even gram quantities of many other elements. The separation of Mo can be made selective by appropriate choice of the composition of the aqueous phase, by back-extraction of Mo and/or the coextracted elements, and by masking Mo with hydrogen peroxide. These techniques were adapted for the determination of Mo in several reference materials by radiochemical neutron activation analysis via 99Mo.  相似文献   
999.
1000.
Institute of Bioorganic Chemistry, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences. Translated from Zhurnal Strukturnoi Khimii, Vol. 33, No. 6, pp. 157–183, November–December, 1992.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号