Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si （111） Substrates using a GaN Intermedial Layer

GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si（111） substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional （3D） mode to the 2I） one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy （TEM） measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer.     

湍流燃烧二阶矩模型的大涡模拟验证

对美国Sandia国家实验室测量的甲烷-空气湍流射流火焰进行了三维大涡模拟(LES),其统计的时均量以及脉动量符合实验测量值,且和RANS代数二阶矩湍流燃烧模型模拟结果大致符合。LES统计得到的化学反应率系数脉动和甲烷浓度脉动的互关联与对应的时均量梯度的乘积分布趋势相同,大小幅值的位置也相对应,与二阶矩湍流燃烧模型的封闭假设相符,验证了二阶矩代数燃烧模型的合理性。     

HER磁镜上硬X射线和热电子测量

一、引言 磁镜运行中,为了要知道它在电子回旋共振加热(ECRH)下形成热电子的参数,我们测量了硬X射线能谱、硬X射线发射的时间特性、不同磁场强度下形成热电子环的位置、以及热电子的脉冲幅度分布等。 HER是中国科学院等离子体物理研究所简单型磁镜装置,它的几何尺寸是,真空室长     

聚偏氟乙烯辐射效应的研究——II.晶区辐射损伤点的研究

研究了聚偏氟乙烯 (PVDF)晶体结构与辐射效应的关系 .利用不同的热处理条件 ,获得了 7种不同规整性、不同结晶度的样品 ;通过对其辐射效应的研究 ,探讨了材料结晶区和晶区内不同部位的辐射效应以及这些不同的结构对材料辐射效应的影响 .使用示差扫描量热分析 (DSC)测量样品零熵产生相变温度、结晶度等随吸收剂量的改变 ,以及不同退火条件样品的辐射效应 .讨论了PVDF样品晶体辐射损伤与样品结构的关系 .利用电子自旋共振谱仪 (ESR)测量不同辐照后样品残余自由基的浓度及这些残余自由基加热条件下的不同命运 .结合DSC分析及X射线衍射分析得到晶体辐射损伤是从晶体表面折叠圈区和晶体茎杆内部缺陷区同时开始的结论     

电子碰撞诱导原子从低激态向高激态弛豫

本文根据空心阴极放电中电子能量分布的物理图象,分析了原子从低激态向高激态弛豫的可能途径。建立高低激态集居数密度增量的关系。讨论高激态集居数密度增量获得可观量的条件。根据此条件分别选取钠原子的基态3s~2S_(1/2)和铜原子的亚稳态4s~2D_(3/2)为与激光共振的下能级,并激发具有较大自发发射几率的3s~2S_(1/2)→3p~2P°_(1/2)(和3p~2P°_(3/2))和4s~2D_(3/2)→4p~2P°_(1/2)跃迁,在远离上能级的高激态上观测到敏化荧光,并精确测得这些态的自发发射系数比值,而在更高激态上没有观测到敏化荧光,表明讨论中提出的条件是合理的。     

反光板(合作目标)反射率测量仪

本文介绍了反光板（合作目标）反射率测量仪的研制。仪器采用对称双光路比较测量法，给定两束相等光通量的光束，分别作为参考光束和测试光束，并用分束器实现原光路取样，从而解决了合作目标反光板入射光线与反射光线重合不能用常规测试方法来检测的难题。由于采用对称双光路的方法，入射光通量是相对恒定的，不受外界因素影响，从而使反射率测量仪达到精度高、重复性好和环境要求低的设计要求。     

铁电体表面效应的唯象理论及其与横场Ising模型的关系

分析了铁电体横场Ising模型与Landau唯象理论的关系,得出了有表面的铁电体的Landau自由能表达式,指出原有的表达式中面积分部分仅含与极化平方成正比的项只在特殊情况下成立,一般情况下还应包含与极化四次方成正比的项.利用所得出的自由能表达式,计算了铁电薄膜自发极化和Curie温度与厚度的关系,使原先用唯象理论不能理解的一些实验现象得到了解释     

晶态-非晶态复合锂离子导体的电学性质

本文研究了晶态LiCl-非晶态Li₂O·3B₂O₃复合锂离子导体的电学性质。实验发现这种晶态-非晶态新型复合离子导体的电学性质变化具有新的现象,即在宏观电导率σ_m-组成曲线上出现了电导率增加的“双峰”效应。相应地,在表观活化能E_m-组成曲线和介电常数ε_m-组成曲线上出现了“双谷”。本文还详细讨论了这些实验现象,得到了与理论相符合的结果。 关键词：     

电子顺磁共振“AsGa”的光淬灭行为与EL2亚稳态机理

根据Goltzene等人最近关于原生LEC,HB,压缩变形和中子辐照GaAs中电子顺磁共振(EPR)“As_Ga”谱低温光淬灭实验结果,结合Baraff和Schlüter最近关于EL2亚稳态的理论计算,本文认为可进一步证实作者之一在1981年提出的EL2(As_GaV_AsV_Ga)缺陷模型,同时还对Wager和Van Vechten最近提出的EL2(As_GaV_AsV_Ga)的亚稳态机理加以评述和修正。 关键词：     

金属表面在反射方向产生光学二次谐波的研究(Ⅰ)

用Rudnick和Stern引入的唯象参数“a”和“b”来描述表面电流,本文推导了金属表面在反射方向产生的光学二次谐波的表达式.由此证明了:从谐波信号随入射光偏振态的变化可以直接得到关于参数“a”的信息.和过去的实验相比,这种方法能更加精确、可靠地测定“a”的数值.