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G. Krausch T. Detzel H. Bielefeldt R. Fink B. Luckscheiter R. Platzer U. Wöhrmann G. Schatz 《Applied Physics A: Materials Science & Processing》1991,53(4):324-329
Growth and melting behaviour of thin indium films on Ge(100) have been investigated by Auger-electron spectroscopy (AES), atomic force microscopy (AFM) and perturbed angular correlation (PAC) spectroscopy, respectively. At room temperature inidium is found to grow in three-dimensional islands even at submonolayer coverages. A very rough film surface is observed for thicknesses up to 230 ML. The melting behaviour of such films has been studied by PAC. A reduction of the melting temperature T
m as well as a strong supercooling of the films is observed. The electric field gradient for 111In(111Cd) in the indium islands is determined as a function of temperature and is used to monitor the local crystalline order of the films up to temperatures just below the melting point. 相似文献
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Görgen JJ Comfort JR Tinsley JR Averett T DeKorse J Franklin B Ritchie BG Kyle G Klein A Berman B Burleson G Cranston K Faucett JA Jarmer JJ Knudson JN Penttilä S Tanaka N Brinkmöller B Dehnhard D Yen YF Hoibråten S Breuer H Flanders BS Khandaker MA Naples DL Zhang D Barlett ML Hoffmann GW Purcell M 《Physical review letters》1991,66(17):2193-2196
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