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本文对用C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度的方法进行了理论和实验分析. pn结的存在所造成的埋沟MOS结构C-V曲线的畸变为沟道载流子浓度的提取带来一些问题. SiC/SiO2界面上界面态的存在也会使提取出的数值与实际数值产生偏差. 本文首先从理论上分别分析了沟道深度和界面态对沟道载流子浓度提取结果的影响,然后对两种沟道深度的埋沟MOS结构C-V曲线进行了测试,提取出了沟道掺杂浓度. 在测试中,采用不同的扫描速率,分析了界面态对提取结果的影响. 理论分析结果和实验测
关键词:
C-V法
SiC
隐埋沟道MOSFET
沟道载流子浓度 相似文献
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Despite its capability of high spatial resolution, simulation of turbulent flows with traditional Lagrangian (front tracking) scheme is often discouraged by numerical instability caused by clustering of marker nodes and topological changes of fronts. Contour advection surgery (CAS), being a robust front tracking scheme, can limit the growth of front complexity during simulation without jeopardizing accuracy or efficiency. This allows it to open up an advantage over traditional front-tracking schemes. It has already been demonstrated that CAS, with incorporation of the reaction sheet model, can accurately simulate the propagation and advection of a turbulent premixed V-shaped flame. In this study, it is further tested with 10 values of vortex circulation. A range of upstream turbulence levels of 1.8–19.8% was obtained. Results indicate that upstream turbulence increase the average flame length, flame zone area and the overall burning rate. Flame surface density Σ was also estimated. Maximum values of Σ obtained lie in the range 0.1–1.4 mm−1. Skewness towards the burnt region was observed in all profiles of Σ. Similar to results from laboratory experiments, it was found that Σ values decreases with upstream turbulence. From this study, the ability of CAS to cope with intense turbulence is demonstrated and a better quantitative understanding on the scheme has also been acquired. 相似文献
77.
The first-order harmonic balance method via first Fourier coefficient is used to construct an approximate frequency-amplitude relation for a Duffing-harmonic oscillator. This relation is in agreement with the result obtained by the Ritz procedure. 相似文献
78.
79.
在有效质量近似理论下,利用转移矩阵和有效垒高方法研究了有限磁场下含结构缺陷的多组分超晶格中局域电子态的性质.在考虑各组分层有效质量的失配时,外加磁场会导致磁耦合效应的出现.磁耦合效应不仅引起局域电子能级的量子化,并且随着朗道指数或磁场强弱的变化,局域能级及其局域程度都会发生显著移动,特别是对高能区域的局域电子态影响更大.此外,还计算了电子输运系数,讨论了含结构缺陷的三组分超晶格中局域电子能级与输运谱透射禁区中的共振透射峰的关系,发现两者之间有着很好的对应关系,为相应的实验研究提供了依据.
关键词:
超晶格
局域电子态
磁场 相似文献
80.
唐瑞平 《高等学校化学学报》1991,12(4):532-536
通过测定平带电位,澄清了OH~-离子在CdSe电极上的吸附情况,发现在S、S~(2-)、OH~-溶液中S~(2-)离子优先吸附,结合旋转环盘电极测量,证明n-CdSe电极在多硫溶液界面上的电荷转移过程。 相似文献