空间非相干多分量光束构成的非相干耦合屏蔽孤子对

两束本身具有空间非相干性的非相干多分量光束可以在光折变介质中形成非相干耦合 屏蔽孤子对，利用相干密度法得到了亮 亮、暗 暗型耦合孤子对的解，并研究了构成 非相干孤子对分量光束的相干组分的传播特性. 关键词： 空间非相干多分量光束 耦合孤子对 相干密度 相干组分     

离子束合成钇硅化物的结构及红外谱特征

将稀土金属钇离子注入到n型单晶Si(111)中制备出钇硅化物埋层.利用x射线衍射、卢瑟福背散射和傅里叶红外吸收谱测量分析了样品的结构、原子的埋层分布和振动模式.结果表明，Y离子在注入过程中已与基底中的Si原子形成了YSi2结构相.真空下的红外光辐照处理促使YSi2择优取向生长，埋层中Si与Y的平均原子浓度比由24下降为20，与六方YSi2的化学计量比一致.还给出了钇硅化物的特征红外吸收谱.     

高斯光束计算平板波导自由传输区远场分布及其修正

对近轴近似条件下求解亥姆霍兹方程得到的高斯光束显式传播公式做了分析，同时，基于基尔霍夫衍射理论，在菲涅耳近似的条件下给出了相应的高斯光束在远场的传播公式，在此基础上，对近轴近似条件做出了定量分析，给出了这个近似条件引入的误差，提出了一种计算高斯光束远场分布的修正方法，并采用有限差分-光束传播方法(FD-BPM)来检验各种方法的准确性。把这种修正方法应用到平面光集成波导器件，如阵列波导光栅(AWG)、蚀刻衍射光栅(EDG)等器件的设计和模拟中，可以大大降低工作的复杂性，同时可以得到精确的结果。     

Duffing-van der Pol振子随机分岔的全局分析

应用广义胞映射方法研究了参激和外激共同作用的Duffing-van der Pol振子的随机分岔.以 系统参数通过某一临界值时，如果系统的随机吸引子或随机鞍的形态发生突然变化，则认为 系统发生随机分岔为定义，分析了参激强度和外激强度的变化对于随机分岔的影响.揭示了 随机分岔的发生主要是由于系统的随机吸引子与系统的随机鞍碰撞产生的.分析表明，广义 胞映射方法是分析随机分岔的有力工具，这种全局分析方法可以清晰地给出随机分岔的发生 和发展. 关键词： 随机分岔 全局分析 广义胞映射方法 随机吸引子 随机鞍     

Effects of Evanescent Space-Harmonics on the Transmission Characteristics of a Gaussian Beam by Cylindrical Wire Grids

When electromagnetic waves propagate through a wire grid, there will be some evanescent space harmonics generated around the wire grid. In this paper, we mainly investigate their effects on the transmission characteristics of a Gaussian beam by cylindrical wire grids. The results are compared with those without taking account of evanescent space-harmonics.     

一种新的超分辨记录点的读出技术

提出一种新的超分辨记录点的读出技术—超分辨反射膜技术，详细分析了其原理。用该技术，以Sb为超分辨反射膜，SiN为介电层，在激光波长为632．8nm和光学头的数值也径为0．40的读出光学系统中实现了直径为380nm的超分辨记录点的读出。同时研究了Sb薄膜厚度对读出信噪比的影响规律，发现最佳的Sb薄膜厚度为28～30nm，所得的信噪比为38～40dB。     

完全Rees矩阵半群的分解及性质

用等价关系Q^~出了完全Rees矩阵半群的一种分解．而且得到了它的每个Q^~一类的表示．     

Study of the pulsed laser vapor doping of Si(1 0 0) with KrF excimer laser and BCl3 gas

The properties of pulsed laser vapor doping on p-Si(1 0 0) with a KrF (248 nm) excimer pulsed laser (248 nm) and BCl₃ gas are reported in this paper. The doped samples are characterized by the resistance measured using a four-probe method, since the sheet resistance changes with the carrier concentration of the sample. The doping effects with the variation of laser energy density, pulse number, and the pressure of BCl₃ were investigated in terms of the sheet resistance. In this way, the optimized parameters were obtained and used for the positive heavy doping on p-Si(1 0 0) and p-Si(1 1 1). Then, using a square mesh under the above conditions, an image doping was completed. Finally, the metal–semiconductor Ohmic contacts were realized by plating Ag and Cu films on the doped surface.     

相对论二极管电子枪设计的分析解与实验的比较

本文对轴对称场二极管区电子运动所遵循的近似轨迹方程进行数值求解,以此做为设计相对论二极管电子枪的依据,与实验结果相比较,符合较好。