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The paper presents the application of non-modulation reflectance method for composition profiling of epitaxial AlxGa−xAs/GaAs structures. This non-destructive method is based on spectral measurements and theoretical reflectance spectrum matching. This is a very accurate and sensitive method of determining the Al composition in AlxGa1−xAs layers and structures with resolution down to 1 nm. In this work, the authors describe theoretic principles of this method and present experimental results of characterization of different AlGaAs structures to prove the potential of the worked out method.  相似文献   
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The reaction of benzylthioarylboronic acids protected as N‐butyldiethanolamine esters or as triisopropoxyborates with organolithium bases or lithium diisopropylamide (LDA) has been investigated. The benzylic lithiation occurs selectively using LDA at − 68 °C. The stability of the resultant borio‐lithio intermediates is strongly influenced by the position of the boron atom in the phenyl ring. The reaction with various electrophiles affords new arylboronic acids substituted in the benzylic position. Copyright © 2011 John Wiley & Sons, Ltd.  相似文献   
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