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81.
用单光束扫描法测量了在532nm处一种新型非晶态分子材料5,5′Bis(dimesitylboryl)2,2′bithiophene的非线性折射率和吸收系数样品非线性透射特性的分析表明,在靠近线性吸收区的532nm处有饱和吸收存在由三能级饱和模型和Zscan法确定了饱和强度、非线性折射率的实部和虚部研究结果表明:这种新型非晶态分子材料具有非常好的光子学应用前景. 相似文献
82.
83.
以Nd∶YAG激光器抽运光学参变振荡器 /光学参变放大器做为激发源 ,得到了NO分子在 2 2 0~ 35 0nm波长范围内的双光子激光诱导荧光光谱 ,并将其归属于A2 Σ(ν′ =0 )→X2 Π(ν″ =1~ 8)跃迁 ,用最小二乘法拟合获得NO分子X2 Π态振动常量″ωe =(190 4 .7± 7.3)cm-1,″ωe ″xe =(14 .2± 1.2 )cm-1,″ωe″ye=- (0 .0 2 18± 0 .0 0 91)cm-1,及平衡位置的力常量k =(1.5 99± 0 .0 12 )× 10 3 N·m-1。计算了所得跃迁谱带的弗兰克康登因子及相对荧光强度 ,结果与实验观测值相符。这可为用激光诱导荧光光谱技术探测大气污染物NO分子提供理论及实验参考 相似文献
84.
多孔氧化铝模板制备ZnS纳米线阵列及其光致发光谱 总被引:4,自引:1,他引:4
利用阳极氧化铝(AAO)模板,采用电化学沉积方法制备出了ZnS纳米线阵列。扫描电子显微镜(SEM)结果显示,AAO模板孔洞分布均匀,孔径基本一致(约50nm),孔口呈六边形。TEM结果显示硫化锌纳米线的直径约50nm(与AAM模板孔径一致),长度约为20μm(与AAM模板厚度一致)。电子衍射结果表明ZnS纳米线为多晶结构。比较了AAO模板组装ZnS纳米线阵列前后的光致发光谱,所得光谱显示,组装了ZnS纳米线阵列的模板的光致发光谱比没有组装的空模板相比多出两个发射峰,分别位于409,430nm,且其发光强度随激发波长的增长而增强。解谱分析表明,这即为ZnS纳米线阵列的发光光谱的两个发射峰,是由导带与受主能级间的跃迁发光和施主与受主能级间的复合跃迁发光共同作用所致。发现由于纳米线尺寸的单一性,发射峰窄化明显,半峰全宽较小,这种现象在其他文献中未曾报道过。 相似文献
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87.
根据半导体激光器远场光束呈椭圆斑,输出功率、光谱特性、寿命、温度以及输出具有偏振性等光学特性,本文讨论了半导体激光系统的特殊设计问题。着重研讨半导体激光器输出功率的稳定,椭圆光束的准直和整圆等。 相似文献
88.
89.
90.