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11.
12.
The modulation instability of an intense circularly polarized laser beam propagating in an unmagnetized, cold electron–positron–ion
plasma is investigated. Adopting a generalized Karpman method, a three-dimensional nonlinear equation is shown to govern the
laser field. Then the conditions for modulation instability and the temporal growth rate are obtained analytically. In order
to compare with the usual electron–ion plasmas, the effect of positron concentration is considered. It is found that the increase
in positron-to-electron density ratio shifts the instability region towards higher vertical wave numbers but does not cause
displacement along the parallel wave number direction, and the growth rate increases as the positron-to-electron density ratio
increases. 相似文献
13.
采用一步水热合成法合成NiO-WO3纳米立方块,以WO3为主体,引入p型半导体NiO构建NiO-WO3 p-n异质结。通过扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对相应的微观结构进行了分析表征,表明产物为单斜相WO3,由尺寸大小均匀的纳米立方块组成,平均粒径100 nm左右,引入NiO后WO3纳米立方块的形貌基本保持不变。 将NiO-WO3纳米立方块制成气敏元件并测验了其对甲醛气体的敏感特性。 气敏测试结果表明,构建NiO-WO3异质结可显著地提高WO3传感器对甲醛气体的敏感特性。 特别是5%NiO-WO3异质结纳米立方块结构传感器,其在200 ℃下对0.134 mg/L甲醛的灵敏度达到18.5,且具有快速响应-恢复特性、良好的稳定性及对甲醛的良好选择性。 传感器性能提升的原因主是界面处p-n异质结的形成和NiO的高催化活性。 相似文献
14.
以工业固体废弃物铬铁废渣和粉煤灰为主体原料,研究了在单因素下引入不同含量的铬铁废渣和粉煤灰对制备建筑陶瓷砖的性能和显微结构的影响.通过固相反应制备了晶相为SiO2、3Al2O3· 2SiO2、FeAl2O4、MgAl1.5Cr0.5O4的陶瓷砖.利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜以及能谱(EDS)对陶瓷砖进行了表征分析,并考察了在不同含量下的铬铁废渣和粉煤灰的条件下对所制试样的线收缩率、吸水率、体积密度、抗折强度以及显微结构的变化特征.结果表明:当铬铁废渣和粉煤灰引入量都是35 g,西矿陶土40 g,石英4 g时,所制备的建筑陶瓷砖试样的综合性能最优. 相似文献
15.
选用铝矾土作为铝源,煤矸石为硅源,氟化铝和五氧化二钒为添加剂,通过固相反应原位制备了主晶相为莫来石相的晶体.利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜以及相应的EDS等手段对莫来石进行了表征分析,并考察了在不同铝硅比的条件下对所制试样的显气孔率、吸水率、体积密度、抗折强度以及显微结构的变化特征.结果表明:当铝矾土与煤矸石的铝硅摩尔比为3.05:2时,显气孔率为23.6;、吸水率为10.55;、体积密度为2.3 g/cm3、抗折强度为114 MPa,试样的综合性能最优. 相似文献
16.
研究了谷斑皮蠹性信息素的主要活性组份为14-甲基-8-十六碳烯醛, 报导了新合成路线, 其关键步骤是以2-溴丁烷的格氏试剂与1,4-二溴丁烷在Li2CuCl4存在下发生偶联反应, 制得的1-溴-5-甲基庚烷, 它与金属锂、CuI和CH≡CH反应而得高纯度顺式双键构型产物, 脱保护基再经PCC氢化即得目的物14-甲基-顺-8-十六碳烯醛. 相似文献
17.
扩展琼斯矩阵在研究Solc滤波器离轴消光比中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
根据广泛使用的双折射材料的性质以及滤波器入射角有限的特点,讨论了晶体中o光和e光的关系;根据光的折射定律,将光在晶体表面的折射效果表述为输入、输出折射率矩阵;建立了从入射面坐标系到晶体本征坐标系的坐标变换矩阵;推出了简化的扩展琼斯矩阵。整个过程物理思想清楚,每个矩阵表示的物理意义直观、明确,得到的结果简单,计算量小。用于Solc滤波器消光比的研究,给出了在任意入射角下计算多块晶片Solc滤波器传输特性的一般表达式,对Solc滤波器锥光干涉图作了数值模拟。适用于计算各种类型双折射滤波器的离轴消光比。 相似文献
18.
假设了一定的相互作用哈密顿量,计算了自旋为1/2。而服从狄拉克波动方程的粒子衰变产物的角分布,计算了自旋为3/2而服从赖列泰—许温格波动方程的粒子的衰变产物的角分布。讨论了宇称守恒相互作用和宇称不守恒相互作用强度之间的比例和不对称系数α的关系。指出利用费曼—盖尔曼的普适费米相互作用推导得的Λ超子衰变产物的角分布不对称因子和实验数值一致。指出假使在重正化以后矢量耦合和赝矢量耦合常数不再相等,那末不对称因子的数值可能有相当大的改变。因此准确测定α的数值有助于费曼—盖尔曼普适费米相互作用的重正化效应的研究。服从赖列泰—许温格波动方程,自旋为3/2的粒子衰变产物和实验上得到的的Λ超子衰变产物的角分布不可能符合。这和李政道和杨振宁的一般结论一致。 相似文献
19.
本文利用重正化了的费米型V-A弱相互作用计算μ介子被质子吸收时所产生的辐射俘获现象。在计算中利用了余列多维奇等所指出的μ介子在俘获前停留在K层的单重态上的理论结果。计算的结果与李政道等忽略强相互作用的影响及忽略μ介子原子由三重态至单态的跃迁所得到的结果有很大的不同。我们得到当完全不考虑强相互作用的影响时μ介子被质子俘获时不能放出γ辐射的结论。其次我们考虑了两方面的强相互作用影响,一方面考虑了核子反常磁矩的影响,另一方面又考虑了强相互作用对V-A弱相互作用的重正化效应。计算结果指出:反常磁矩的贡献只为重正化效应的5%左右。由重正化效应所产生的辐射俘获几率只有李政道等所给出的几率的14%,放出的光子不再是100%右旋的,估计约有20%的左旋光子。 相似文献
20.
塑料表面改性对其摩擦学性能影响 总被引:4,自引:1,他引:3
论述了采用离子注入、气相沉积、激光熔敷和等离子喷涂等表面改善塑料摩擦学性能方面的研究现状和进展,分析了塑料表面离子注入改性的机理,指出采用合适的表面改性工艺可有效地提高塑料表面的硬度并进而提高其耐磨性,从而进一步延长塑料的使用寿命 ,扩大其段А 相似文献