首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   218763篇
  免费   2322篇
  国内免费   705篇
化学   112641篇
晶体学   3417篇
力学   9582篇
综合类   5篇
数学   25275篇
物理学   70870篇
  2021年   1775篇
  2020年   1941篇
  2019年   2148篇
  2018年   2820篇
  2017年   2717篇
  2016年   4013篇
  2015年   2578篇
  2014年   3879篇
  2013年   9739篇
  2012年   7888篇
  2011年   9552篇
  2010年   6448篇
  2009年   6287篇
  2008年   8649篇
  2007年   8845篇
  2006年   8507篇
  2005年   7696篇
  2004年   7149篇
  2003年   6273篇
  2002年   6038篇
  2001年   6599篇
  2000年   5105篇
  1999年   3945篇
  1998年   3181篇
  1997年   3239篇
  1996年   3032篇
  1995年   2771篇
  1994年   2619篇
  1993年   2483篇
  1992年   2840篇
  1991年   2811篇
  1990年   2739篇
  1989年   2516篇
  1988年   2578篇
  1987年   2581篇
  1986年   2394篇
  1985年   3193篇
  1984年   3431篇
  1983年   2802篇
  1982年   3037篇
  1981年   2956篇
  1980年   2872篇
  1979年   2939篇
  1978年   3034篇
  1977年   3040篇
  1976年   3076篇
  1975年   2821篇
  1974年   2790篇
  1973年   2921篇
  1972年   1830篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
991.
A novel method to eliminate T3 from gross sera/plasma based on prior treatment with 8-anilino-1-naphthalene sulphonic acid has been standardized. This method is rapid with a minimum loss of protein and uses only small quantities of charcoal. The treated sera have been tested for acceptance in the RIA system for routine assays.  相似文献   
992.
993.
SiC films doped with aluminum (Al) were prepared by the rf-magnetron sputtering technique on p-Si substrates with a composite target of a single crystalline SiC containing several Al pieces on the surface. The as-deposited films were annealed in the temperature range of 400-800 °C under nitrogen ambient. The thin films have been characterized by X-ray diffraction (XRD), Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) and scanning electron microscopy (SEM). The results show that the introduction of Al into films hinders crystalline formation process. And with the increase of annealing temperature, more Si particles are formed in the films, which strongly affect the optical absorption properties. The photoluminescence (PL) spectra of the samples show two peaks at 370 nm and 412 nm. The intensities of the PL peaks are evidently improved after Al doped. We attribute the origin of the two PL peaks to a kind of Si-related defect centres. The obtained results are expected to have important applications in modern optoelectronic devices.  相似文献   
994.
The Gelfand-Zetlin basis is adapted toSU(N) q forq a root of unit. Extra parameters are incorporated in the matrix elements of the generators to obtain all the invariants corresponding to the augmented center. A crucial identity is derived and proved, which guarantees the periodicity of the action of the generators. Full periodicity is relaxed by stages, some raising and lowering operators remaining injective while others become nilpotent with corresponding changes in the dimension of the representation. In the extreme case of highest weight representations. all the raising and lowering operators are nilpotent. As an alternative approach an auxiliary algebra giving all the periodic representations is presented. An explicit solution of this system forN=3, while fully equivalent to the G.-Z. basis, turns out to be much simpler.  相似文献   
995.
Translated from Zhurnal Prikladnoi Spektroskopii, Vol. 54, No. 6, pp. 1004–1010, June, 1991.  相似文献   
996.
997.
998.
999.
1000.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号