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991.
Numerical problems that are usually ignored in the dynamic analysis of hydraulic control valves are described, and an analysis of the effects of such problems on the numerical modeling is provided. Previous studies have ignored the effects of changes in the flow coefficient in the orifice, the solenoid force along the spool movement in the valve and an ascending tendency of pressure during reach to the steady state. To eliminate these problems, it was studied a method to substantiate the non-linearity of the pressure loss caused by passing between the orifice and port as well as that caused by interaction with the solenoid. Moreover, the movement of the spool and spring is expressed using the time-delay-element (TDE). The proposed numerical model has been used in the Bond graphs method of a hydraulic control valve and the simulation results have been shown to be accurate. It is known that differences between simulated and experimental results can have a considerable impact on the function of actual systems. The contribution of each parameter is measured separately for the transient state and steady state. Analysis standard observed the first peak value, pressure increase to the steady state and the settling time in the response results.  相似文献   
992.
We apply the recently improved version of the 0–1 test for chaos to real experimental time series of laser droplet generation process. In particular two marginal regimes of dripping are considered: spontaneous and forced dripping. The outcomes of the test reveal that both spontaneous and forced dripping time series can be characterized as chaotic, which coincides with the previous analysis based on nonlinear time series analysis.  相似文献   
993.
董烨  董志伟  周前红  杨温渊  周海京 《物理学报》2014,63(6):67901-067901
介绍了粒子模拟确定高功率微波介质沿面闪络击穿流体模型相关电离参数的方法.对粒子模拟方法 (包括带电粒子动力学方程、次级电子发射以及蒙特卡罗碰撞模型)和流体整体模型方法 (包括连续性方程和能量守恒方程)做了简介.基于自编的1D3V粒子模拟-蒙特卡罗碰撞程序给出了在高(低)气压、不同气体种类以及不同微波场强和微波频率下流体模型电离参数的粒子模拟结果,包括电离频率、击穿时间、平均电子能量、电子能量分布函数类型.研究结果表明:平均电子能量与电子能量分布函数类型关系不大;中低气压下,电子能量接近Maxwell分布,电子能量分布函数类型对电离参数几乎没有影响;中高气压下,电子能量分布函数类型对电离参数有重要影响,其依赖系数X趋于高阶形式.不同气体的电子能量分布函数类型不同,需要利用粒子模拟对电子能量分布函数类型进行标定.同时,电子能量分布函数依赖系数与微波场强和频率也有关系,其随微波场强增加而增大,随微波频率增加而减小.在给定考察范围(微波场强在7 MV/m以下,微波频率在40 GHz以内),中低气压下,平均电子能量随微波场强增加而迅速增大,电离频率随微波场强增加先增大后降低,平均电子能量随微波频率增加而降低,电离频率随微波频率增加先增加后降低;高气压下,平均电子能量随微波场强增加而缓慢增大,电离频率随微波场强增加而增大,微波频率对平均电子能量和电离频率影响不大.  相似文献   
994.
Case-cohort study designs are widely used to reduce the cost of large cohort studies. When several diseases are of interest, we can use the same subcohort. In this paper, we will study the casecohort design of marginal additive hazards model for multiple outcomes by a more efficient version. Instead of analyzing each disease separately, ignoring the additional exposure measurements collected on subjects with other diseases, we propose a new weighted estimating equation approach to improve the efficiency by utilizing as much information collected as possible. The consistency and asymptotic normality of the resulting estimator are established. Simulation studies are conducted to examine the finite sample performance of the proposed estimator, which confirm the efficiency gains.  相似文献   
995.
本文将摄动、边界元、有限元方法结合起来,提出一种求解线性蠕变问题的新方法。该方法不采用一般增量法中在一个时段内各物理量保持不变或作线性变化的假设,加大了计算步长提高了精度。文中构造了边界元摄动格式,构造了包含钢筋在内的边界元有限元耦合摄动格式,并给出了满意的数值结果。  相似文献   
996.
地上生物量(above-ground biomass,AGB)是评价作物长势及其产量估测的重要指标,对指导农业管理具有重要的作用.因此,快速准确地获取生物量信息,对于监测马铃薯生长状况,提高产量具有重要的意义.于马铃薯现蕾期、块茎形成期、块茎增长期、淀粉积累期、成熟期获取成像高光谱影像、实测株高(heigh,H)、地上...  相似文献   
997.
空间数据通常以栅格与矢量两种数据模型进行表达,但由于各自的不同特性,一般采用不同的访问方式.如何采用一致的方式进行多源空间数据访问是当前空间数据共享和互操作的难点之一.基于OGC SFS规范,从实现层次上考虑提出按几何与属性要素组织为几何-属性矢量数据模型(GAFeature model),同时融入了扩展栅格数据模型,通过借鉴设计模式中的提供者模式和桥接模式,提供了一个较为完整的矢量栅格一体化访问管理模型,并进行了实现,使其能支持本地文件类型数据以及WCS、WFS空间信息服务.实验结果表明具备多源空间数据统一访问的能力.  相似文献   
998.
使用密度泛函理论B3LYP/6-311+ G(2d,2p)研究了过氧硝酸的最低能量结构.采用耦合簇方法CCSD(T)/aug-cc-pVDZ首次分别扫描了过氧硝酸沿氧-氮和氧-氧键的分解势能面.计算结果表明在氧-氮势能面上,当O3—N4键长是2.82 ?时,对应的疏松过渡态的能垒是25.6 kcal/mol;在氧$-$氧键的势能面上,当O2—O3键长是2.35 ?时,对应的疏松过渡态的能垒是37.4 kcal/mol.这表明过氧硝酸更容易分解为HO2和NO2.  相似文献   
999.
萨宁  康晋锋  杨红  刘晓彦  张兴  韩汝琦 《物理学报》2006,55(3):1419-1423
研究了HfN/HfO2高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中,负 偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO2高K栅结构的等效 氧化层厚度(EOT)为1.3nm,内含原生缺陷密度较低.研究表明,由于所制备的HfN/HfO2 高K栅结构具有低的原生缺陷密度,因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO2高K栅结构的本征特征,而非工艺缺陷引起的;进一步研究表明,该HfN/HfO2高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO2基栅介质p-MOSFET器件中观察 到的NBTI具有类似的特征,可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征: HfN/HfO2 栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理,即在负 偏置和温度应力作用下,从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的 发生,并由此产生了Si陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散 ,这种Si陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生. 关键词: 高K栅介质 负偏置-温度不稳定性(NBTI) 反应-扩散(R-D)模型  相似文献   
1000.
采用氧化硅材料构建了Cu/SiOx/Al的三明治结构阻变存储器件.用半导体参数分析仪对其阻变特性进行测量,结果表明其具有明显的阻变特性,并且通过调节限制电流,得到了四个稳定的阻态,各相邻阻态的电阻比大于10,并且具有良好的数据保持能力.在不同温度条件下对各个阻态进行电学测试及拟合,明确了不同阻态的电子传输机理不尽相同:阻态1和阻态2为欧姆传导机制,阻态3为P-F(Pool-Frenkel)发射机制,阻态4为肖特基发射机制.根据电子传输机制,建立了铜细丝导电模型并对Cu/SiOx/Al阻变存储器件各个阻态的电致阻变机制进行解释.  相似文献   
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