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91.
朱来义 《数学进展》1995,24(4):327-334
有界单连通区域G,其边界θG=Г∈(1,α),α〉0。本计算节以广义Faber多项式φn(z)的零点为插值结点的Lagrange插值多项式的逼近性质,得到了它对A(G↑-)中的函数的一致逼近阶和平均逼近阶的估计,并且得到了它对E^p(G)中函数的平均逼近阶的估计,还指出关于平均逼近阶的估计是不可改进的。  相似文献   
92.
ACOMPLETEMETRICOFPOSITIVECURVATUREONR~nANDEXISTENCEOFCLOSEDGEODESICS¥ZHUDAXIN(DepartmentofMathematics,TianjinUniversitylTianj?..  相似文献   
93.
The impact of fabrication errors on a planar waveguide demultiplexer is analyzed based on an analytical method. The explicit expression of the transfer function taking into account phase and amplitude errors is presented in order to analyze the loss and crosstalk of the demultiplexer caused by fabrication errors. A basic requirement for the demultiplexer with a certain crosstalk criterion can be easily obtained. Using an etched diffraction grating demultiplexer as an example, it is shown that the analytical results have a good agreement with results from a numerical method.  相似文献   
94.
95.
从日本冲绳采回枝管藻,用毛细管将成熟多室孢子囊挑出,在试验室条件下培养,可长成孢子体.用光学显微镜和透射电子显微镜观察发现:孢子释放后形成盘状体附着在基质上,念珠状同化丝从盘状体中间分生.同化丝可从中间部位产生分支,多室孢子囊位于部分同化丝的近端部;同化丝大量产生后基部细胞平行排列,中空,形成假薄壁组织,而后孢子体进入伸长生长阶段;在每个盘状体细胞和同化丝细胞中都有多个色素体和线粒体,蛋白核突出于色素体其他部分,类脂体存在于类囊体中;在同化丝的细胞壁上存在缺口;对同化纤毛而言,色素体和线粒体数量少,紧贴细胞膜,质壁分离严重,在细胞壁上存在“通道”.  相似文献   
96.
The new phenylpropanoid diglycoside ligusinenoside A ( 1 ), and the two new 8,4′‐oxyneolignan(‘8‐O‐4′‐neolignan’) diglycosides ligusinenosides B ( 2 ) and C ( 3 ), together with nine known compounds, were isolated from the rhizomes of Ligusticum sinensis Oliv. The structures of 1 – 3 were elucidated on the basis of spectroscopic analyses.  相似文献   
97.
Raman scattering studies were performed on hot-wall chemical vapor deposited (heteroepitaxial) silicon carbide (SiC) films grown on Si substrates with orientations of (1 0 0), (1 1 1), (1 1 0) and (2 1 1), respectively. Raman spectra suggested that good quality cubic SiC single crystals could be obtained on the Si substrate, independent of its crystallographic orientation. Average residual stresses in the epitaxially grown 3C-SiC films were measured with the laser waist focused on the epilayer surface. Tensile and compressive residual stresses were found to be stored within the SiC film and in the Si substrate, respectively. The residual stress exhibited a marked dependence on the orientation of the substrate. The measured stresses were comparable to the thermal stress deduced from elastic deformation theory, which demonstrates that the large lattice mismatch between cubic SiC and Si is effectively relieved by initial carbonization. The confocal configuration of the optical probe enabled a stress evaluation along the cross-section of the sample, which showed maximum tensile stress magnitude at the SiC/Si interface from the SiC side, decreasing away from the interface in varied rate for different crystallographic orientations. Defocusing experiments were used to precisely characterize the geometry of the laser probe in 3C-SiC single crystal. Based on this knowledge, a theoretical convolution of the in-depth stress distribution could be obtained, which showed a satisfactory agreement with stress values obtained by experiments performed on the 3C-SiC surface.  相似文献   
98.
本文从光学角度出发提出了一种经济实用、精度高的测量亚共析碳钢中碳的含量的新方法。阐述了该方法的测量原理,即以金相试样表面对光的反射程度来判定其含碳量,并给出了有关经验公式及数据处理方法。  相似文献   
99.
α‐Cyclodextrin (α‐CD) has been complexed with various poly(ethylene glycol) (PEG) derivatives in aqueous solution. It has been found that the end groups of PEG derivatives affect the complexation kinetics greatly, but have only a little influence on the thermodynamic behavior. By increasing the hydrophobicity of end groups, the complexation speeds up rapidly. On the other hand, the bulky end groups slow down the threading of polymeric guests into the cavity of CD. By changing the hydrophobicity and the size of end groups, the complexation rate can be adjusted in the range of several orders of magnitudes, which should be quite useful in the design of new supramolecular systems. © 2006 Wiley Periodicals, Inc. J Polym Sci Part B: Polym Phys 44: 2050–2057, 2006  相似文献   
100.
盛勇  蒋刚  朱正和 《物理学报》2002,51(3):501-505
类氢类氦类锂镁离子经中间双激发态进行的双电子复合过程在研究惯性约束聚变电子温度中占有很重要的地位.用准相对论方法计算了双电子复合经不同Rydberg态跃迁通道的复合速率系数,并给出不同离化度离子的双电子复合速率系数随电子温度的变化规律.显示出离子的相关能对峰值的电子温度有很大影响,当类氢离子跃迁通道的旁观电子角动量为1时双电子复合系数最大,而类锂离子是旁观电子角动量为3时最大. 关键词: 双电子复合 镁离子 角动量  相似文献   
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