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981.
982.
采用真空熔融缓冷方法制备了单相β-Zn4Sb3以及含有过量Zn的β-Zn4Sb3块体热电材料.在300—700K的温度范围内测试了材料的电导率、Seebeck系数和热导率,研究了β-Zn4Sb3化合物中过量Zn的分布状态及其对材料热电性能的影响规律.结果表明:过量的Zn作为第二相较均匀的分布在β-Zn4Sb3的晶界上,随着Zn含量增加,材料电导率和热导率上升,Seebeck系数下降,Zn第二相的引入能有效提高材料的功率因子,Zn过量2at%的材料在700K时其ZT值达到1.10. 相似文献
983.
提出了一种新型的混沌保密通信破译方法,并破译了混沌直接序列扩频保密通信(简称混沌直扩).针对混沌直扩信号中只有一个混沌吸引子的特点,基于混沌系统广义同步的思想,提出了混沌拟合方法;针对混沌直扩中混沌实值序列和数字信号相乘的特点,充分利用混沌直扩的基本原理和信息码是慢变信号的特性,提出了用无先导卡尔曼滤波混沌拟合的方法估计信息码的破译方法;进一步针对无先导卡尔曼滤波的过程噪声和混沌拟合的拟合误差共同导致的跟踪误差,提出了跟踪误差控制因子的方法,从而将跟踪误差转变成有利因素并加以利用,根据跟踪误差的值域范围破 相似文献
984.
利用3维软件设计了适用于S波段相对论速调管放大器的单重入输入腔,该腔体采用了偏心设计,以便减小耦合孔处的不均匀场对腔间隙场的影响,分析了腔体耦合孔尺寸对腔间隙场均匀性的影响;建立了带输入波导结构的3维输入腔开放腔模型,并应用此模型,采用3维PIC程序模拟了注入微波功率、束直流对输入腔间隙后束流调制的影响。研究结果表明:耦合孔尺寸对腔间隙电场均匀性影响较大,当耦合孔离轴越近时,腔间隙场越不均匀;在结构参数和束参数固定的条件下,基波电流调制深度随着间隙电压的增加而增加,但达到最大基波调制电流的漂移距离几乎不变;在结构参数和注入微波参数固定的条件下,束直流越大,达到最大基波调制电流所需的漂移距离越短。研究结果为腔体的设计和输入腔束流调制实验提供了参考依据。 相似文献
985.
在有效质量近似理论下,采用有效垒高方法,研究了在沿超晶格生长方向加一有限磁场时磁耦合效应对半无限半导体超晶格中表面电子态的影响.当考虑超晶格中阱层和垒层之间电子有效质量的差别时,沿超晶格生长方向的磁场将导致磁耦合效应的出现.研究结果表明,磁耦合效应不仅引起表面电子能级的量子化,而且表面电子能级的大小及其在表面附近的局域程度也依赖于磁场的大小和朗道指数.此外,研究表明布洛赫波数的虚部可以作为一个衡量表面电子态局域程度的物理量.
关键词:
超晶格中的电子态
表面态
磁场 相似文献
986.
根据有限元法单元划分的思想,提出了一种新颖的模拟光腔模式及光束传输的特征向量法. 该方法的关键之处在于基于衍射积分理论构造了一种新的光束传输矩阵,通过求解特征矩阵方程可一次性得到谐振腔的一系列特征向量,每一列特征向量即代表了腔镜上光场的一个确定模式的振幅及相位分布. 并可采用该方法模拟光场传输到腔内或腔外任意地方的场分布. 该方法将传统方法中大量的迭代过程转化成为本征积分方程特征向量的求解过程,并与初值取值无关,且可一次性求得多个模式分布,从而可方便地分析谐振腔的模式鉴别能力. 特征向量法对圆形镜共焦
关键词:
谐振腔
特征向量法
模式分布 相似文献
987.
着重研究了多孔介质BISQ模型中慢纵波的基本特性.给出了BISQ模型下慢纵波速度 和衰减的低频近似公式.与Biot理论对比,BISQ模型中慢纵波的衰减随频率降低急剧增大, 且随喷射流长度的减小而增加;相速度随喷射流长度的减小而增加,其低频极限值不是零; 孔隙流体位移与固相骨架位移之比的幅值随喷射流长度的增加而减小,其相位特点与Biot模 型预测的不同;在流体与孔隙介质的边界上可产生更大的渗流.为对比,同时也给出快纵波 的行为.依据BISQ模型可推断:非黏滞流体饱和孔隙介质中不存在喷射流机理;BISQ模型中
关键词:
多孔介质
喷射流
慢纵波
动力协调 相似文献
988.
研究了多壁碳纳米管(MWNTs)薄膜的湿敏特性,实验所用的多壁碳纳米管是用热灯丝化学气相沉积法(CVD)合成的.分别对未修饰和修饰的多壁碳纳米管膜温度和湿度特性进行研究后发现,修饰的多壁碳纳米管对温度和湿度非常敏感,且对湿度的响应时间和恢复时间短,重复性好.而未修饰的多壁碳纳米管对温度和湿度不太敏感.对修饰多壁碳纳米管的湿敏特性进行了理论分析,给出了其理论表示式.
关键词:
多壁碳纳米管
化学修饰
湿敏特性
物理吸附 相似文献
989.
990.