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991.
采用从头计算方法,计算了反式和顺式聚乙炔的氢原子在垂直于聚乙炔分子面方向振动的红外光谱,计算表明,Gibson等用红外吸收实验所测得的谱线的确是聚乙炔的CH面外振动产生的谱线,经100℃长时间加热后,顺式聚乙炔变为反式聚炔,但波数为740cm^-1的谱级仍保留5%的强度。 相似文献
992.
一类随机环境中的随机游动 总被引:5,自引:2,他引:3
在Solomn的模型的基础上对一类随机环境中随机游动进行了讨论,并得出了一个常返性准则和一些极限性质。 相似文献
993.
甲基红染料掺杂的聚乙烯醇薄膜光存储特性的实验研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用2倍频小型YAG激光(532nm)作为写入光和擦除光,用He-Ne激光器623.8nm线作为读出光,用CCD作为探测器,研究了不同写入光功率下,甲基红/聚乙烯醇(MR/PVA)薄膜光栅生长的动力学过程和不同擦除光功率下,光栅擦除的动力学过程.结合光栅生长曲线的波动现象,对光存储机制进行了新的探讨.实验发现,两写入光和读出光的功率配比为1:1:1时,可获得最大衍射效率,提出读出光对写入过程具有双重作用的物理模型,对此实验结果给出了合理的解释. 相似文献
994.
995.
996.
997.
V. Katchkanov J.F.W. Mosselmans S. Dalmasso K.P. ODonnell S. Hernandez K. Wang R.W. Martin O. Briot N. Rousseau G. Halambalakis K. Lorenz E. Alves 《Superlattices and Microstructures》2004,36(4-6):729
The local structure of Tm3+ ions incorporated into GaN epilayers was studied by means of Extended X-ray Absorption Fine Structure. The samples were doped either in situ during growth by Molecular Beam Epitaxy or by ion implantation of layers grown by Metal Organic Chemical Vapour Deposition. The implantation was done at ion energy of 300 keV and different nominal fluences of 3×1015, 4×1015 cm−2 and 5×1015 cm−2. The concentration of Tm in the samples studied was measured by Wavelength Dispersive X-ray analysis. For the in situ doped sample with concentration of 0.5%, and for all of the implanted samples, Tm was found on the Ga site in GaN. The ion implanted sample and an in situ doped sample with a similar concentration of Tm showed the same local structure, which suggests that the lattice site occupied by Tm does not depend on the doping method. When the average Tm concentration for in situ doped samples is increased to 1.2% and 2.0%, Tm is found to occupy the Ga substitutional site and the presence of a substantial number of Tm ions in the second coordination sphere indicates dopant clustering in the films. The formation of pure TmN clusters was found in an in situ doped sample with a dopant concentration of 3.4%. 相似文献
998.
In the reversible addition–fragmentation transfer (RAFT) copolymerization of two monomers, even with the simple terminal model, there are two kinds of macroradical and two kinds of polymeric RAFT agent with different R groups. Because the structure of the R group could exert a significant influence on the RAFT process, RAFT copolymerization may behave differently from RAFT homopolymerization. The RAFT copolymerization of methyl methacrylate (MMA) and styrene (St) in miniemulsion was investigated. The performance of the RAFT copolymerization of MMA/St in miniemulsion was found to be dependent on the feed monomer compositions. When St is dominant in the feed monomer composition, RAFT copolymerization is well controlled in the whole range of monomer conversion. However, when MMA is dominant, RAFT copolymerization may be, in some cases, out of control in the late stage of copolymerization, and characterized by a fast increase in the polydispersity index (PDI). The RAFT process was found to have little influence on composition evolution during copolymerization. The synthesis of the well‐defined gradient copolymers and poly[St‐b‐(St‐co‐MMA)] block copolymer by RAFT miniemulsion copolymerization was also demonstrated. © 2004 Wiley Periodicals, Inc. J Polym Sci Part A: Polym Chem 42: 6248–6258, 2004 相似文献
999.
一类含有非线性传染率的传染病模型的全局稳定性 总被引:3,自引:0,他引:3
王拉娣 《应用数学与计算数学学报》2004,18(1):52-56
讨论了一类带有非线性传染率的SIRS型传染病模型,得到了无病平衡点和地方病平衡点存在的阈值条件,借助构造Dulac函数和Liapunov函数,找到了两类平衡点全局渐近稳定的充要条件. 相似文献
1000.
Zhang Zhongzhi Liu ChangrongSchool of Math. Science Central South Univ. Changsha China Dept. of Math. Hunan City Univ. Yiyang China. Faculty of Mathematics Econometrics Hunan Univ. Changsha China. 《高校应用数学学报(英文版)》2004,(3)
§1 IntroductionWe considerthe following inverse eigenvalue problem offinding an n-by-n matrix A∈S such thatAxi =λixi,i =1,2 ,...,m,where S is a given set of n-by-n matrices,x1 ,...,xm(m≤n) are given n-vectors andλ1 ,...,λmare given constants.Let X=(x1 ,...,xm) ,Λ=(λ1 ,λ2 ,...,λm) ,then the above inverse eigenvalue problemcan be written as followsProblem Given X∈Cn×m,Λ=(λ1 ,...,λm) ,find A∈S such thatAX =XΛ,where S is a given matrix set.We also discuss the so-called opti… 相似文献