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121.
IntroductionN,N′-Bis [1-( hydroxymethyl) alkyl] dicarboxa-mides are important intermediates for the syntheses ofbis-oxazolines, which are a class of the most importantand widely used ligands in catalytic asymmetric reac-tions[1,2]. On determining the str…  相似文献   
122.
The impact of fabrication errors on a planar waveguide demultiplexer is analyzed based on an analytical method. The explicit expression of the transfer function taking into account phase and amplitude errors is presented in order to analyze the loss and crosstalk of the demultiplexer caused by fabrication errors. A basic requirement for the demultiplexer with a certain crosstalk criterion can be easily obtained. Using an etched diffraction grating demultiplexer as an example, it is shown that the analytical results have a good agreement with results from a numerical method.  相似文献   
123.
124.
The purpose of this work is to investigate the weakened Ambrosetti–Prodi type multiplicity results for weak doubly periodic solutions of damped beam equations. By using the topological degree theory, the author obtains a result which is similar to the result for damped wave equations in the literature.  相似文献   
125.
We present a semimonolithic frequency-doubler from 1080 to 540 nm with 80% doubling efficiency and up to 849-mW output power of green light.  相似文献   
126.
The new phenylpropanoid diglycoside ligusinenoside A ( 1 ), and the two new 8,4′‐oxyneolignan(‘8‐O‐4′‐neolignan’) diglycosides ligusinenosides B ( 2 ) and C ( 3 ), together with nine known compounds, were isolated from the rhizomes of Ligusticum sinensis Oliv. The structures of 1 – 3 were elucidated on the basis of spectroscopic analyses.  相似文献   
127.
128.
Raman scattering studies were performed on hot-wall chemical vapor deposited (heteroepitaxial) silicon carbide (SiC) films grown on Si substrates with orientations of (1 0 0), (1 1 1), (1 1 0) and (2 1 1), respectively. Raman spectra suggested that good quality cubic SiC single crystals could be obtained on the Si substrate, independent of its crystallographic orientation. Average residual stresses in the epitaxially grown 3C-SiC films were measured with the laser waist focused on the epilayer surface. Tensile and compressive residual stresses were found to be stored within the SiC film and in the Si substrate, respectively. The residual stress exhibited a marked dependence on the orientation of the substrate. The measured stresses were comparable to the thermal stress deduced from elastic deformation theory, which demonstrates that the large lattice mismatch between cubic SiC and Si is effectively relieved by initial carbonization. The confocal configuration of the optical probe enabled a stress evaluation along the cross-section of the sample, which showed maximum tensile stress magnitude at the SiC/Si interface from the SiC side, decreasing away from the interface in varied rate for different crystallographic orientations. Defocusing experiments were used to precisely characterize the geometry of the laser probe in 3C-SiC single crystal. Based on this knowledge, a theoretical convolution of the in-depth stress distribution could be obtained, which showed a satisfactory agreement with stress values obtained by experiments performed on the 3C-SiC surface.  相似文献   
129.
光电倍增管脉冲性能研究   总被引:6,自引:1,他引:5  
采用外腔式电光开光,调制主动照相探测光源,使光电倍增管处于脉冲工作状态下,以提高光电倍增管的输出幅度和动态范围,改善信号的信噪比,同时避免样品和探测器受长时间强激光照射.对滨松H6780光电倍增管进行了调试,使其线性输出电流由静态的0.1mA提升到脉冲状态的4.4mA,信噪比提高4.5倍.该技术对其他光敏探测有借鉴意义.  相似文献   
130.
增强型延迟反馈法控制低维混沌系统的解析研究   总被引:10,自引:0,他引:10       下载免费PDF全文
基于时间延迟反馈控制混沌系统的方法,提出一种增强型控制方案,并利用分析延迟系统产生Hopf分支条件的方法,给出这种方案控制低维连续自治混沌系统时,在达到控制目标的条件下,控制参数的一般解析关系.将这一方案和分析方法应用到两个混沌模型中,结果表明:采用修正的方案可以明显地改善控制混沌的效果和质量;解析分析的结果与实际数值计算的结果一致. 关键词: 延迟反馈 混沌控制 Hopf分支  相似文献   
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