Cr80-xFe20Mnx(x=10,15,20)合金的低温电阻率和热导率

报道了Cr80-xFe20Mnx(x=10,15,20)合金在10—300K的电阻率和热导率．结果表明样品的电输运性质和热输运性质均与样品的磁状态有关．在SDW反铁磁转变附近,电阻率出现极小．对Neel温度以下电阻率-温度曲线拟合结果表明：取温度相关的能隙函数2△∝√（TN-T）可以很好地描述SDW反铁磁能隙随温度降低而打开的过程．合金在反铁磁转变温度以下表现出与无序样品或者玻璃态样品类似的热导率温度关系,这可能是源于合金中磁性团簇的散射．     

基于高光谱成像技术的山楂损伤和虫害缺陷识别研究

采用高光谱成像技术（420～1 000 nm）对山楂的缺陷（表面的损伤以及虫害区域）进行识别研究。共采摘了134个样品,包含损伤果46个、虫害果30个、损伤及虫害果10个和完好果48个。考虑到山楂的花萼、果梗与损伤、虫害的RGB图像有相似的外观特征,容易造成误判,利用高光谱成像系统采集了损伤、虫害、完好、花萼和果梗五个区域一共230个山楂样本的高光谱图像,并提取相应的感兴趣区域（region of interest, ROI）,得到了样本的光谱数据。使用标准归一化（standard normalized variate, SNV）,卷积平滑（savitzky golay, SG）,中值滤波（median filter, MF）,多元散射校正（multiplicative scatter correction, MSC）方法进行光谱预处理,建立偏最小二乘（partial least squares method, PLS）判别分析模型,结果表明经过SNV预处理后的预测结果较好。最后选取SNV作为预处理方法。应用回归系数法（regression coefficients, RCs）从全波段中提取10条特征波段（483,563,645,671,686,722,777,819,837和942 nm）,利用Kennard-Stone算法将各类样本按照3:1的比例随机分成训练集（173个）和测试集（57个）,并对其建立最小二乘支持向量机（least squares-support vector machine, LS-SVM）判别模型,山楂缺陷的正确识别率为91.23%。然后,运用主成分分析（principal componentanalysis, PCA）进行10条敏感波段下单波段图像的数据压缩,分别采用“sobel”算子和区域生长算法“Regiongrow”识别出86个缺陷山楂样本的边缘与缺陷特征区域,得出单损伤、单虫害和损伤及虫害样本的识别率分别为95.65%,86.67%和100%。研究结果表明：采用高光谱成像技术可以对山楂的损伤、虫害、花萼和果梗进行定性分析和特征识别,该研究为山楂的缺陷无损检测提供了理论参考。     

Mn位上Cu掺杂对La-Ca-Mn-O系统液氮温度磁电阻效应的影响

实验研究了Mn位上Cu掺杂对La_2/3Ca_1/3Mn_1-xCu_xO_y单相块材液氮温度磁电阻效应的影响.结果表明，在最佳掺杂(x≈0.15)的情况下，样品表现出非常明显的磁电阻效应，且磁电阻的主要变化发生在1T以下的低磁场下；当磁场增加到6T时，该样品的磁电阻效应比高达约5×10⁴%，相对于偏离最佳掺杂的样品，提高了近三个数量级. 关键词：     

硅甲烷射频放电分解动力学的CARS光谱研究

应用相干反斯托克斯喇曼光谱(CARS)技术对硅甲烷(SiH_4)的射频放电分解进行在位诊断.基于硅甲烷v_1振动模CARS信号强度的变化,研究了SiH_4-H_2及SiH_4-N_2体系中射频功率及总气压对硅甲烷分解速率的影响.此外,还用CARS方法检测硅甲烷分解的中间产物,得到信噪比较好的光谱,并试作了初步归属.     

10kW横流CO2激光器的增益特性

本文描述了一台10kW横流CO_2激光器在脉冲予电离下的增益特性及关于增益分布和脉冲予电离的理论分析.     

相依竞争风险场合下生存函数的广义自相合估计

近些年来,生存函数的非参数估计问题受到了很大的关注.首先,Kaplan 和 Meier(1958)提出了乘积限(product limit)估计,并且证明这种估计实际上也是极大似然估计.而后 Breslow 和 Crowley(1974)、F(?)ldes 和 Rejt(?)(1981)在特定的删失机制和某些连续性假定下探讨了 PL 估计(即乘积限估计)的一些基本性质.Langberg,Proschan 及Quinzi(1981)在相依竞争风险场合下进一步推广了 PL 估计,并证明了 PL 估计是强相合的.Tsai(1986)推广了 Efron 定义的自相合性,在一个风险及—个删失变量的场     

掺杂聚吡咯薄膜的金属电导

用电化学方法制备了以BF₄^-,HSO₄^-和ClO₄^-掺杂的聚吡咯薄膜,其电导率和电导率的温度依赖性分别用标准四探针法和电压端短路法VSC(Voltage Shorted compaction)测试。实验结果表明:由标准四探针法所得到的电导率的温度依赖性呈现典型的半导体特性。由于掺杂聚吡咯薄膜的形态是块状物的堆砌,四探针法所得电导率及其温度依赖性由块与块之间的接触电阻所限制,并 关键词：     

Al~(10+)的电子碰撞电离及有关过程

用扭曲波方法计算Al~(10+)基态在Is~22s的Is,2s电子和第一激发态Is~22p的2p电子的电离截面以及基态的总电离截面(包括内壳层激发自电离).入射电子能量(?)(即(?)以2s电离能I_(2s)为单位)为1.05,1.125,l.25,1.5,2.25,4……同时计算出了电离阈值以下的激发截面(乘以所谓态密度),实现了在电离阈值处与阈值以上电离能量微分截面光滑联接;计算了光电离截面积分值,实现了在入射电子能量趋于无穷时与电子碰撞电离截面衔接.计算结果与其他方法进行了比较. 关键词：     

群体粒子场圆偏入射光侧向散射的角分布实验研究(英文)

对圆偏振光入射到群体粒子场时侧向散射光随角度分布的特性进行了实验研究,散射介质为直径0.065μm和1.24μm的粒子与过滤的蒸馏水所构成的不同浓度的悬浮液。实验结果表明,粒子侧向散射光的各种成分在探测平面内相对散射角度始终呈现对称分布的规律,而随着粒子尺寸、浓度、探测深度的变化,散射光强也相应出现变化,但变化不明显。     

晶体材料研究——从体块晶体到微纳米晶体

本文首先简要介绍了晶体的重要性和过去几十年来中国晶体材料研究取得的代表性成果.正文主要以我们课题组开展的工作为例,介绍了激光晶体、非线性光学晶体、磁光晶体、声光晶体、半导体晶体、有机晶体、有机-无机复合晶体、二维晶体、单晶光纤、药物结晶、微纳米晶体等方面的研究进展.这些研究实例的维度已覆盖体块-二维-一维-零维,晶体材料已在国防、经济建设、人类健康和科学技术发展的许多领域,发挥了重要作用并仍将是关键材料.