MoxGe1-x,MoxSi1-x薄膜的非晶形成成份及超导转变温度

用直流吸气溅射法在液氮冷底板上分别制备了Mo_xGe_1-x,Mo_xSi_1-x的薄膜。其形成非晶的成份分别为Ge>22at%,Si>18at％。超导转变临界温度T_c在非晶状态下随着Ge,Si的含量增加而下降(约6—3K)。非晶Mo₇₇Ge₂₃膜的晶化温度为780℃,而非晶Mo₇₈Si₂₂膜的晶化温度为480℃。 关键词：     

掺杂聚吡咯薄膜的金属电导

用电化学方法制备了以BF₄^-,HSO₄^-和ClO₄^-掺杂的聚吡咯薄膜,其电导率和电导率的温度依赖性分别用标准四探针法和电压端短路法VSC(Voltage Shorted compaction)测试。实验结果表明:由标准四探针法所得到的电导率的温度依赖性呈现典型的半导体特性。由于掺杂聚吡咯薄膜的形态是块状物的堆砌,四探针法所得电导率及其温度依赖性由块与块之间的接触电阻所限制,并 关键词：     

Mo2C膜表面快速粗糙化现象研究

介绍了Mo₂C膜表面粗糙度的测量结果,引入晶粒边界修正,对Mo₂C 膜的表面快速粗糙化现象给予理论解释. 关键词： 2C膜')" href="#">Mo₂C膜 快速粗糙化 粗糙化指数     

关于带有关系箭图的路余代数

带有关系箭图的路余代数在余代数理论研究中起着重要作用.研究带有关系的路余代数,得到了一个有趣的结果,这对余代数结构的研究会有所裨益.     

Study of ■ decay parameter in J/ψ→Λ■ decay

The helicity amplitudes for J/ψ→Λ■ and the relevant background decays are presented for measuring the ■ decay parameter α (■→π ) in J/ψ→Λ■. The Monte Carlo (MC) simulations based on the helicity amplitudes information are carried out. The likelihood fit method to determine the ■ decay parameter is presented. Based on the MC generated sample, the sensitivity of the measurement for α has been estimated, which shows that the J/ψ→Λ■ channel can be used to measure the ■ decay parameter α (■→π ) well.     

高氧压下氧化物薄膜同质和异质外延的RHEED实时监测

我们自行研制了具有三级差分气路可以在高气压下工作的RHEED系统(High-pressure RHEED),并利用本系统实时监测了(001)SrTiO3基片上SrTiO3:Nb、Ba0.5Sr0.5TiO3、YBa2Cu3O7单层薄膜,及Ba0.5Sr0.5TiO3/SrTiO3:Nb双层膜的生长过程.研究结果表明当镀膜室氧压高达21Pa时该系统仍然可以正常工作,并且能够获取较清晰的衍射图样.通过分析衍射图样我们发现,所有这些薄膜都是外延生长且晶体质量良好,但薄膜生长模式及表面平整度受沉积条件影响较大.在真空下薄膜基本上以层状模式生长,具备纳米级光滑的表面,且其表面平整度并不因膜厚的改变而变化;而在10Pa量级氧压下薄膜更倾向于以岛状模式生长,膜表面平整度较差,并且随膜厚的增加粗糙度上升.此外对多层薄膜而言,底层薄膜的表面和结构直接影响到顶层薄膜的质量和品质.     

Mn位上Cu掺杂对La-Ca-Mn-O系统液氮温度磁电阻效应的影响

实验研究了Mn位上Cu掺杂对La_2/3Ca_1/3Mn_1-xCu_xO_y单相块材液氮温度磁电阻效应的影响.结果表明，在最佳掺杂(x≈0.15)的情况下，样品表现出非常明显的磁电阻效应，且磁电阻的主要变化发生在1T以下的低磁场下；当磁场增加到6T时，该样品的磁电阻效应比高达约5×10⁴%，相对于偏离最佳掺杂的样品，提高了近三个数量级. 关键词：     

硅甲烷射频放电分解动力学的CARS光谱研究

应用相干反斯托克斯喇曼光谱(CARS)技术对硅甲烷(SiH_4)的射频放电分解进行在位诊断.基于硅甲烷v_1振动模CARS信号强度的变化,研究了SiH_4-H_2及SiH_4-N_2体系中射频功率及总气压对硅甲烷分解速率的影响.此外,还用CARS方法检测硅甲烷分解的中间产物,得到信噪比较好的光谱,并试作了初步归属.     

10kW横流CO2激光器的增益特性

本文描述了一台10kW横流CO_2激光器在脉冲予电离下的增益特性及关于增益分布和脉冲予电离的理论分析.     

相依竞争风险场合下生存函数的广义自相合估计

近些年来,生存函数的非参数估计问题受到了很大的关注.首先,Kaplan 和 Meier(1958)提出了乘积限(product limit)估计,并且证明这种估计实际上也是极大似然估计.而后 Breslow 和 Crowley(1974)、F(?)ldes 和 Rejt(?)(1981)在特定的删失机制和某些连续性假定下探讨了 PL 估计(即乘积限估计)的一些基本性质.Langberg,Proschan 及Quinzi(1981)在相依竞争风险场合下进一步推广了 PL 估计,并证明了 PL 估计是强相合的.Tsai(1986)推广了 Efron 定义的自相合性,在一个风险及—个删失变量的场