带强迫项高阶中立型微分方程的振动性和非振动性

我们给出一类强迫高阶非线性中立型时滞微分方程一切解振动的充分条件.而且,也研究了一类强迫一阶中立型方程非振动解的渐近性.     

工科物理实验教学改革的实践与探索

介绍了近年来华中科技大学物理实验中心教学改革的历程及构建物理实验创新基地的思路和体会．     

CO2激光自差信号的功率谱研究

利用10MHz高速数据采集和处理系统分析了激光自差信号的功率谱.其功率谱分布在低频区;当多普勒频移增大时,自差信号的带宽增加,功率谱对频率的积分收敛于信号的功率.实验结果还表明,利用高速数据采集和处理的分析方法,比频谱分析仪有更多的优点.     

大长细比弹体斜侵彻混凝土靶的动力学响应

基于刚塑性自由梁在横向冲击载荷下的动力学响应研究方法,结合空腔膨胀理论给出的弹体载荷分析,给出了弹体作为自由梁在塑性铰出现之前的响应行为,得到了梁内任一截面在横向载荷下剪力和弯矩分布规律以及轴向载荷下的轴力分布规律。计算结果表明,大长细比结构弹体的危险截面在承受较大轴向惯性压力载荷后,对由非正侵彻导致的横向载荷极为敏感。最后基于压弯联合作用载荷分析,给出了动能弹设计的抗弯极限壁厚要求。     

北五味子对糖尿病脑病大鼠脑中神经活性物质含量影响的在线微透析-高效液相色谱-串联质谱联用分析

采用在线微透析-高效液相色谱-串联质谱联用方法,测定了糖尿病脑病大鼠大脑海马区的8种脑递质的含量,从脑中神经活性物质的角度研究五味子改善学习记忆能力的作用机制.实验结果表明,经五味子治疗后,痴呆大鼠脑透析液中的谷氨酸(Glu)、丝氨酸(Ser)、多巴胺(DA)及5-羟色胺(5-HT)的含量显著降低(P0.05),牛磺酸(Tau)及乙酰胆碱(Ach)的含量显著升高(P0.01),天冬氨酸(Asp)和γ-氨基丁酸(GABA)的含量有降低趋势(P0.05),8种神经活性物质的水平均向正常水平发生了调节.此结果说明五味子可能通过调节糖尿病大鼠大脑中神经活性物质的含量发挥保护中枢神经系统的作用,从而改善糖尿病脑病大鼠的学习记忆能力.Morris水迷宫实验结果表明,五味子水提物可以明显缩短糖尿病脑病大鼠的逃避潜伏期,增加穿越目标区域次数及中心区域(%)(P0.05).     

阳离子表面活性剂存在下水/有机两相体系中双环戊二烯氢甲酰化

研究了在阳离子表面活性剂存在下水/有机两相中水溶性铑配合物RhCI(CO)(TPPTS)2(TPPTS:P(m-C6H4SO3Na)3)催化双环戊二烯氢甲酰化反应,考察了反应温度、催化剂浓度、不同水溶性膦配体TPPTS和TPPDS(C5H5P(m-C6H4SO3Na)2),以及表面活性剂结构对催化反应的影响.结果表明,...     

Magnetic and Electrical Transport Properties of Sr1-xLaxRuO3 (0≤x≤0.10)

We investigate the lightly doped polycrystalline Sr1-χLaχRuO3 （χ = 0, 0.02, 0.08 and 0.10）. With La doping, the ferromagnetism in the system has been suppressed. The transition temperature is T＇c at which the long-range ferromagnetism establishes and the magnetization under 3 T at 5 K decreases with increasing χ. In contrast to Sr1-χCaχRuO3, the samples remain with the PM-FM transition at 162K, which might be attributed to the valency change of Ru.     

生长温度和结构参数对InGaAs／GaAs量子阱光学特性的影响

研究了不同生长温度下制备的In0.15Ga0.85As/GaAs应变量子阱的PL谱,结果表明,生长温度越高,In偏析和In-Ga互混越严重,同时,导致更多的In脱附,PL谱发光峰蓝移。对不同In含量的和不同InGaAs厚度的InGaAs/GaAs量子阱进行PL谱测试,分析表明In含量<0.2,生长温度低于560℃时,In含量和InGaAs层量子阱的厚度对In偏析、脱附和In-Ga互混基本没有影响。     

THE QUANTUM CORRECTIONS ON THE THEORY OF TRANSITION RADIATION

A Scheme of quantum treatment for transition radiation is proposed. The Fresnel coefficients are adopted to describe the stationary states of electromagnetic fields near the interface between two mediums before a canonical field quantization procedure can be performed. Then an usual perturbation approach in field theory leads to the general expressions of radiation intensity in two different polarizations. The second order quantum corrections are ascribed to the existence of electron spin. Some concrete formulas for the cases of electron or monopole acrossing a metal surface are presented as well.

     

AlAs/GaAs分布布拉格反射镜(DBR)的反射谱拟合与优化生长

对分布布拉格反射镜(DBR)的原理和特征进行了分析,使用传输矩阵方法计算了不同对数GaAs/AlAs反射镜的反射率曲线.利用分子束外延(MBE)设备生长了波长为920nm和980nm的半导体多层膜DBR反射镜,分析了实验测得的反射谱与理论拟合曲线之间的差异及其产生原因,实现了材料的优化生长,获得了反射率大于99;、中心波长和带宽接近理论计算值的DBR材料.该DBR的反射谱拟合与优化生长研究可应用于VCSEL和VECSEL激光器.