SYSTEMATIC STUDY OF POLARIZATION OF TWO-PHOTON ABSORPTION IN SYMMETRY ASSIGNMENTS

In this paper, we have systematically analyzed the degenerate and nondegenerate two-photon polarization ratios of various point groups. We present the maximum of symmetry assignments of two-photon transition with the combination of degenerate and nondegenerate two-photon absorption. These results provide the theoretical basis for the experimental assignments.     

三元合金Cu76Ni15Sn9的离子溅射研究

在２７ｋｅＶ Ａｒ⁺离子轰击时,用收集膜技术结合俄歇谱仪（ＡＥＳ）,研究了三元合金Cu₇₆Ni₁₅Sn₉系统的择优溅射行为。同时使用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）与电子探针微分析（ＥＰＭＡ）．观察了靶点表面形貌变化并测定了形貌特征微区的合金组份原子的相对百分浓度。结果表明,Ｃｕ原子较Ｎｉ原子、Ｎｉ原子较Ｓｎ原子,在所测定范围（０─６０°）内择优发射。最后讨论了靶点表面形貌特征和“元素局域富集”现象对择优溅射过程的影响。 关键词：     

高掺镁LiNbO3晶体折射率温度系数的表示式

推导了掺５ｍｏｌ％ＭｇＯ的ＬｉＮｂＯ３晶体折射率温度系数的表示式。利用这些表示式可以计算２９３～４２８Ｋ温度和０．５３９８μｍ～１．３４１４μｍ波长范围内的折射率温度系度，结果表明：计算值和实验值的最大相对偏差是１２％，用具有最大相对偏差的折射率温度系数的计算值，计算１．０７９５μｍ波长的非临界相位匹配温度，其值为３８２．４Ｋ，它与实验值仅差６Ｋ。因此，本文得到的表示式，对于采用这种晶体，设计在上     

线阵扫描超声相关合成成像方法与实验

本文讨论了改进的医用B超线阵扫描探头在工业无损检测中的应用．在合成孔径聚焦技术（SAFT）基础上提出了改进方法，在探元响应带宽较窄的情况下可获得较高信噪比的成像结果．文中介绍了成像系统，实验方法，并给出了一些实验结果．     

气液界面微观结构研究的一种实验新方法

许多物理、化学和生物过程发生于气液界面,且受到局域微观结构的深远影响. 不同于液体的体相,分子取向是界面处微观结构突出的不对称特征之一. 本文综述了电子碰撞时间延迟质谱方法和近期取得的进展. 利用这个崭新的方法,不仅可以侦测得到利用小角度X射线或中子散射以及振动和频光谱方法获得的界面微观结构,同时也提供了一种研究气液界面处电子驱动化学反应的实验方案.     

TWO POSITIVE SOLUTIONS FOR A CLASS OF SINGULAR BOUNDARY VALUE PROBLEMS

An existence theorem of two positive solutions of the singular BVP1/(p(t))(p(t)y′(t))′+λα(t)f(y(t))=0,t∈(0,1),αy(0)-βp(t)y′(t)=0=γy(1)+δp(t)y′(t)was established by using topological degree theory.     

广义 Liénard 方程的整体渐近性态

我们研究如下的广义 Liénard 方程的整体渐近性态(?)+f(x)(?)+g(x)=e(t),或等价地,(?)其中,f(x),g(x)是实数轴上的连续函数,e(t)为正半轴上的连续函数.     

数学分析中的一题多解问题

通过两个积分 (一个是不定积分 ,一个是定积分 )及一个极限 ,说明如何灵活使用积分法解决积分问题 ,方法灵活、巧妙 ,适用范围广 .     

大亚湾核电站周围大气流场监测数据同化分析

在大亚湾核电站周围大气流场分布模拟计算中,引入了一种简化的同化技术,用以解决观测数据在时间、空间上分布不均匀导致的流场预报误差.测试并分析了该同化技术对计算模式和初始场的影响,结果表明该同化方法对模式误差和初始场误差的抑制是显著的.     

Comparative investigation of resistance and ability to trigger high voltage discharge for single and multiple femtosecond filaments in air

A comparative investigation of resistance and ability to trigger high voltage (HV) discharge for single filament (SF) and multiple filaments (MF) has been carried out. The experimental results show that the trend of the breakdown threshold of the SF exactly follows that of its resistance, but this is not the case for the MF. The MF's resistance is much smaller than SF's. However, the MF shows a bit higher HV breakdown threshold than the SF. The underlying physics is that the measured resistance of the MF is collectively contributed by every filament in the MF while the HV breakdown threshold is determined by only one single discharging path.