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531.
G. Attolini C. Bocchi R. Fornari C. Pelosi J. Oswald J. Pastrnak 《Crystal Research and Technology》1990,25(1):25-30
A series of epitaxial layers of the InGaAs alloy were deposited on (001) oriented InP substrates by using hydride VPE technique. The layers were characterized by Double Crystal Diffractometry (DCD), Photoluminescence (PL), Hall effect and Capacitance-Voltage (C-V) measurements. The growth parameters and the quality of the grown layers are discussed on the basis of electrical and structural data analysis. 相似文献
532.
Oswald Haan 《Fortschritte der Physik》1979,27(1):35-74
This review describes a field in the S-matrix theory of elastic stattering. Analyticity and elastic unitarity in the crossed t-channel are shown in a rigorous manner to yield constraints on s-channel quantities. Strong restrictions on s-channel partial wave with angular momenta l ⩾√s/2(b0 + λ In s) follow from realistic assumptions on the amplitude in the unphysical domain (Mandelstam analyticity and Regge behaviour). The possibility of phenomenological application of these results is discussed. 相似文献