Mean Value on the Difference Between a Quadratic Residue and Its Inverse Modulo p

The main purpose of this paper is to use the generalized Bernoulli numbers, Gauss sums and the mean value theorems of Dirichlet L-functions between a quadratic residue and its inverse modulo p value formula. to study the asymptotic property of the difference （a prime）, and to give an interesting hybrid mean     

Large second-order optical nonlinearities of s-triazine derivatives: View from micro molecules to macro crystals

Organic nonlinear optics (NLO) is also called mo-lecular nonlinear optics. In recent years organic mate-rials have been intensively studied because of their large NLO coefficients and structural diversities[1―3]. Second harmonic generation (SHG) is a bas…     

GPS/SINS组合导航系统在运载火箭中的应用

针对运载火箭特点,着重研究在发射惯性坐标系下,位置、速度组合模式的GPS/SINS组合导航算法,推导了该坐标系下的惯导一阶误差传播方程,建立了该坐标系下GPS/SINS组合导航系统的状态方程和观测方程,并进行了相关数学仿真验证。仿真结果表明,在该坐标系中,GPS/SINS组合导航算法能较准确地给出运载火箭的位置、速度和姿态信息,提高运载火箭制导精度。     

Measurement of small-signal and large-signal responses of packaged laser modules at high temperature

In this paper, the pulsed injection method is extended to measure the chip temperature of various packaged laser modules, such as the DFB laser modules, the FP laser modules, and the EML laser modules. An optimal injection condition is obtained by investigating the dependence of the lasing wavelength on the width and period of the injection pulse in a relatively wide temperature range. The small-signal frequency responses and large-signal performances of packaged laser modules at different chip temperature are measured. The adiabatic small-signal modulation characteristics of packaged LD are first extracted. In the large-signal measurement, the effects of chip temperature, bias current and driving signal on the performances of the laser modules are discussed. It has been found that the large-signal performances of the EML modules depend on the different red-shift speeds of the DFB and EAM sections as chip temperature varying, and the optimal characteristics may be achieved at higher temperature.     

40,48Ca+90,96Zr融合反应的动力学模型研究

应用改进的量子分子动力学模型,在严格挑选初始核考虑弹靶结构效应的基础上,研究了近垒和垒上融合反应^40,48Ca+^90,96Zr. 研究表明: 4个反应的理论计算截面与实验值很好符合; 丰中子反应⁴⁰Ca+⁹⁶Zr的垒下融合截面比其他3个反应有明显增强的现象.为了理解丰中子反应⁴⁰Ca+⁹⁶Zr与⁴⁰Ca+⁹⁰Zr相比垒下融合截面增强,而Ca+⁹⁶Zr垒下融合截面没有明显增强的原因, 进一步分析了484个反应的融合位垒,中子转移与融合位垒的关系、中子转移与Q值的关系,结果表明: 正反应Q值会引起核子(特别是中子)转移的增强,从而导致动力学融合位垒的下降和垒下融合截面增强.     

具有HfN/HfO2栅结构的p型MOSFET中的负偏置-温度不稳定性研究

研究了HfN/HfO₂高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中，负 偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO₂高K栅结构的等效 氧化层厚度(EOT)为1.3nm，内含原生缺陷密度较低.研究表明，由于所制备的HfN/HfO₂ 高K栅结构具有低的原生缺陷密度，因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO2高K栅结构的本征特征，而非工艺缺陷引起的；进一步研究表明，该HfN/HfO₂高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO₂基栅介质p-MOSFET器件中观察 到的NBTI具有类似的特征，可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征： HfN/HfO₂ 栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理，即在负 偏置和温度应力作用下，从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的 发生，并由此产生了Si^＋陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散 ，这种Si^＋陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生. 关键词： 高K栅介质 负偏置-温度不稳定性(NBTI) 反应-扩散(R-D)模型     

非扩张映象的重合点与不动点

本文在凸度量空间中讨论了集什扩张映象对的重合和非扩张映象列的公共不动点的存在性，所得结论是单值非扩张映象数情形的推广和发展。．     

色谱重叠峰的一种判别方法

本文通过引入峰形参数ε，提出一种判别色谱重叠峰的方法，该方法具有简单实用和灵敏度高等特点。不仅可以判别出有明显峰位的重叠峰，而且特别适用于判别因成分含量相差较大而被淹没的重叠峰。同时，还可以判别出重叠峰的相对位置和重叠程度。     

热丝CVD生长金刚石薄膜喇曼散射研究

本文报道热丝化学气相沉积法（ＨＦＣＶＤ）生长金钢石薄膜的喇曼散射结果。选取多种峰型，对金钢石薄膜喇曼谱（１１０－１８００ｃｍ－１）采用最小二乘法进行非线性拟合，得到最佳拟合模型，其计算得到的拟合曲线怀实验谱图符合得较好。该模型揭示，石墨Ｄ峰（１３５５ｃｍ－１）是金刚石薄膜喇曼谱中不可缺少的一个组份，并且结合石墨Ｄ峰和金刚石喇曼的空间相关线型，可以解释金刚石喇曼区特殊峰形的物理机制，拟合参量的进一步