非晶TbCo/Si多层膜的磁性和磁光特性

利用射频磁控溅射方法制备了非晶TbCo/Si多层膜,并对多层膜的磁性和磁光特性进行了测量.实验发现,随着Si层厚度的增加,非晶TbCo/Si多层膜的饱和磁化强度M_s、垂直各向异性常数K_u、磁光克尔角θ_K都显著下降.分析认为这是由于在TbCo层与Si层之间的层间互扩散形成了非磁性的Co₂Si所致. 关键词：     

有限长通电螺线管空间的磁场分布

本文计算了有限长通电螺线管空间的磁感应强度分布，给出了解析表达式，并绘出了它们的空间分布图。     

一种新型的稀土Tb配合物的光致和电致发光性能的研究

用一种新型的含酚羟基的Schiff碱三足配体H₃L3稀土Tb配合物作发光层制备了三层结构电致发光器件,器件在正向直流偏压下发出明亮的绿光。器件的电致发光(EL)光谱和Tb配合物薄膜的光致发光(PL)光谱与典型的Tb配合物的发光光谱相同。研究了器件发光及电学特性,讨论了该种新型的稀土Tc配合物的发光机理。     

三量子位Heisenberg XX 链中杂质对纠缠的影响

研究了有杂质时三量子位Heisenberg-XX链中正常格点之间的热纠缠情况，给出了Concurrence的解析表达式.进一步的讨论发现，杂质对正常格点的热纠缠有着重要的影响，甚至能够改变纠缠在反铁磁区的特性.理论表明，可以通过调节温度和杂质参数来控制纠缠. 关键词： Heisenberg -XX链 热纠缠 杂质格点     

三维层流等离子体射流中陶瓷颗粒的运动与加热

本文对带载气-颗粒侧向喷射的三维层流等离子体长射流中陶瓷颗粒的运动与加热进行了模拟研究,并与忽略载气喷射影响时的结果进行了比较。模拟结果表明,侧向载气喷射所引起的三维效应对颗粒行为有明显影响,陶瓷颗粒在等离子体射流中加热时颗粒内部可能出现相当大的温差,取决于环境参数,陶瓷颗粒表面温度可以高于也可以低于中心温度。     

Oxidation process of SiGe on SOI substrates

The oxidation of SiGe film epitaxial grown on top of SOI wafers has been studied. These SiGe/SOI samples were oxidized at 700, 900, 1100 °C. Germanium atoms were rejected from SiGe film to SOI layer. A new Si_1−xGe_x (x is minimal) layer formed at SiGe/Si interface. As the germanium atoms diffused, the new Si_1−xGe_x (x is minimal) layer moved to Si/SiO₂ interface. Propagation of threading dislocation in SiGe film to SOI substrate was hindered by the new SiGe/Si interface. Strain in SOI substrate transferred from SiGe film was released through dislocation nucleation and propagation inner. The relaxation of SiGe film could be described as: strain relaxed through strain equalization and transfer process between SiGe film and SOI substrates. Raman spectroscopy was used to characterize the strain of SiGe film. Microstructure of SiGe/SOI was observed by transmission electron microscope (TEM).     

PbMoO4晶体生长基元和生长习性的高温拉曼光谱研究

应用高温拉曼光谱研究了PbMoO₄熔体中的生长基元.通过对不同温度下PbMoO₄晶体拉曼光谱和熔点温度附近熔体高温拉曼光谱的研究,发现PbMoO₄熔体中存在Pb²⁺阳离子和［MoO₄］^2－阴离子生长基元.进一步讨论了PbMoO₄晶体生长基元和各个低指数晶面间的相互作用,解释了晶体的生长习性和枝晶生长的原因,并指出:PbMoO₄晶体生 关键词： 钼酸铅晶体 枝晶 籽晶取向 拉曼光谱     

有机溶剂热生长技术制备纳米CdS及其与聚苯胺复合膜的光学性能

以溶剂热生长技术(solvothermal technique)制备了半导体CdS的纳米微粒,并采用XRD、TEM、ED对其结构进行表征。在ITO导电玻璃上,采用电化学方法合成聚苯胺薄膜,以提拉的方法将CdS的纳米颗粒涂布其上,自组装得纳米CdS／PANI膜,并以荧光光谱(PL)及非线性Z-扫描法研究其光学特性。实验结果显示：经CdS修饰后,CdS／PANI膜的荧光发射峰强度增强,位置较单一PANI膜移至420nm处,同时经修饰后的复合物膜的非线性光学特性也有显著的提高。     

压缩真空场与原子非线性作用过程中的纠缠与消纠缠

用Von Neumann熵研究了附加克尔介质的压缩真空场与二能级原子依赖强度耦合相互作用量子体系的量子纠缠特性.讨论了初始压缩真空场的压缩度以及克尔非线性作用的强度对该量子体系纠缠特性的影响.结果表明，克尔介质的非线性作用的强弱可以改变体系量子纠缠的周期性；在初始压缩度较大（r=5）时，克尔介质的非线性作用可导致原子与场持续地处于最大纠缠态，无消纠缠态或持续地处于消纠缠态. 关键词： 压缩真空态 克尔介质 依赖强度耦合J-C模型 Von Neumann熵 量子纠缠     

免跟踪透射式太阳聚光器的设计

针对目前太阳聚光器中因为自动跟踪系统故障率高导致使用成本大幅度增加的主要制约因素,在多年来探讨有效提高太阳能密度的基础上,提出了免跟踪线性菲涅尔透射式太阳聚光器设计的新思路,并对其结构形式和工作原理进行了阐述.