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991.
Yoon MS Ahn KH Cheung RW Sohn H Link JR Cunin F Sailor MJ 《Chemical communications (Cambridge, England)》2003,(6):680-681
Free-standing porous Si multilayer dielectric mirrors, prepared by electrochemical etching of crystalline Si, are treated with a ruthenium ring-opening metathesis polymerization (ROMP) catalyst followed by norbornene to produce flexible, stable composite materials in which poly(norbornene) is covalently attached to the porous Si matrix. 相似文献
992.
F. Pérez-Giménez G. M. Antón-Fos F. J. García-March M. T. Salabert-Salvador R. A. Cercós-del-Pozo J. Jaén-Oltra 《Chromatographia》1995,41(3-4):167-174
Summary The possible relation existing between RF values obtained by thin-layer chromatography for a group of anilines with connectivity indices proposed by Kier and Hall has been studied. Using multivariable regression the corresponding connectivity functions, selected for their respective correlation coefficients, standard deviations, Snedecor's F and Student's t were obtained. Regression analysis of the connectivity functions gives a correct prediction of the experimental elution sequence for this group of substances on silica gel stationary phases and various mobile phases of different polarity. The corresponding random and stability studies of the different prediction models selected were carried out, showing good stability and null randomness in all cases. 相似文献
993.
M. Colomina P. Jiménez R. Pérez-Ossorio C. Turrión 《The Journal of chemical thermodynamics》1979,11(12):1179-1184
The enthalpies of formation in the crystalline state at 298.15 K of o-, m-, and p-t-butyl-benzoic acids have been determined by static-bomb calorimetry. Vapour-pressure determinations were made by the Knudsen-effusion technique and the sublimation enthalpies at the mean temperatures of the measurement ranges have been derived for the three acids. The values obtained are:
o-t-butylbenzoic acid | 476.2 ± 1.9 | 99.8 ± 0.4 | (at 314.6 K) |
m-t-butylbenzoic acid | 504.3 ± 1.6 | 103.0 ± 0.5 | (at 326.5 K) |
p-t-butylbenzoic acid | 502.9 ± 1.7 | 103.8 ± 0.4 | (at 334.1 K) |