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21.
22.
采用激发样品表层和样品中心两种激发方式,在300K和77K温度下研究叶绿素A(Chla)的较高激发行为,观测到峰值位于493、520和580nm三条新的荧光发射带.分别测量它们的荧光激发光谱,证明这三条新的荧光带属于Chla的第二激发单线态向基态的不同振动能级的辐射跃迁发光.最后提出电子跃迁模型,同时进行了讨论. 相似文献
23.
Tai-Man Tang 《Journal of Mathematical Sciences》2007,144(5):4504-4510
Wildly embedded tiles in ℝ3 with spherical boundary are discussed. The construction of the topologically complicated, crumpled cube tiles is reviewed.
We construct an infinite family of wildly embedded, cellular tiles with Fox-Artin-type wild points. Finally, a condition on
the set of wild points on a cellular tile is given to show that certain wild cells cannot be tiles. Several observations are
recorded for further investigations.
__________
Translated from Fundamentalnaya i Prikladnaya Matematika, Vol. 11, No. 4, pp. 203–211, 2005. 相似文献
24.
本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1. 相似文献
25.
26.
27.
In this paper the authors establish the concept of generalized ball-intersection (GBI) and prove that an injective metric space is freely contractible to its each GBI, which generalizes a result of Isbell from a point to a GBI. 相似文献
28.
The hydrothermal synthesis and magnetic entropy change for the perovskite manganite La0.5Ca0.3Sr0.2MnO3 have been studied. The La0.5Ca0.3Sr0.2MnO3 can be produced as phase-pure, crystalline powders in one step from solutions of metal salts in aqueous potassium hydroxide solution at a temperature of 513 K in 72 h. Scanning electron microscopy shows that the materials are made up of cuboid-shaped particles in typical dimension of 4.0×2.5×1.6 μm. Heat treatment can improve the magnetocaloric effect for the hydrothermal sample. The maximum magnetic entropy change ΔSM for the as-prepared sample is 0.88 J kg−1 K−1 at 315 K for a magnetic field change of 2.0 T. It increases to 1.52 J kg−1 K−1, near its Curie temperature (317 K) by annealing the sample at 1473 K for 6 h. The hydrothermal synthesis method is a feasible route to prepare high-quality perovskite material for magnetic refrigeration application. 相似文献
29.
30.
本文对用C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度的方法进行了理论和实验分析. pn结的存在所造成的埋沟MOS结构C-V曲线的畸变为沟道载流子浓度的提取带来一些问题. SiC/SiO2界面上界面态的存在也会使提取出的数值与实际数值产生偏差. 本文首先从理论上分别分析了沟道深度和界面态对沟道载流子浓度提取结果的影响,然后对两种沟道深度的埋沟MOS结构C-V曲线进行了测试,提取出了沟道掺杂浓度. 在测试中,采用不同的扫描速率,分析了界面态对提取结果的影响. 理论分析结果和实验测
关键词:
C-V法
SiC
隐埋沟道MOSFET
沟道载流子浓度 相似文献