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Zusammenfassung Eine einfache und genaue Methode zur Bestimmung von Si-H- und Si-Si-Gruppen wird vorgeschlagen, die auf alkalischer Hydrolyse der Substanz in einem verschlossenen und evakuierten Kolben und AuswÄgen des dem entwickelten Wasserstoff entsprechenden Wasservolumens beruht. Bei H-Gehalten von 1–2% betrÄgt die Genauigkeit ± 0,03% (abs.).
Note on the quantitative determination of Si-H- and Si-Si-groups
A simple, robust and surprisingly exact method for the quantitative determination of Si-H- or Si-Si-groups is based on alkaline hydrolysis of the Si-H- or Si-Si-containing substances in a sealed and evacuated vessel and weighing of the volume of water equivalent to the developed volume of hydrogen. The accuracy is ± 0.03% (abs.) with H contents of 1–2%.


Herrn Prof. Dr. E. Asmus zum 60. Geburtstag gewidmet.  相似文献   
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 An understanding of the correlation between microstructures and properties of materials require the characterization of the material on many different length scales. Often the properties depend primarily on the atomistics of defects, such as dislocations and interfaces. The different techniques of transmission electron microscopy allow the characterization of the structure and of the chemical composition of materials with high spatial resolution to the atomic level: high resolution transmission electron microscopy allows the determination of the position of the columns of atoms (ions) with high accuracy. The accuracy which can be achieved in these measurements depends not only on the instrumentation but also on the quality of the transmitted specimen and on the scattering power of the atoms (ions) present in the analyzed column. The chemical composition can be revealed from investigations by analytical microscopy which includes energy dispersive X-ray spectroscopy, mainly quantitatively applied for heavy elements, and electron energy-loss spectroscopy. Furthermore, the energy-loss near-edge structure of EELS data results in information on the local band structure of unoccupied states of the excited atoms and, therefore, on bonding. A quantitative evaluation of convergent beam electron diffraction results in information on the electron charge density distribution of the bulk (defect-free) material. The different techniques are described and applied to different problems in materials science. It will be shown that nearly atomic resolution can be achieved in high resolution electron microscopy and in analytical electron microscopy. Recent developments in electron microscopy instrumentation will result in atomic resolution in the foreseeable future.  相似文献   
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We have calculated inclusive single-jet production in lowQ 2 ep-collisions at next-to-leading order superimposing direct and resolved contributions. The results are compared with recent experimental results from the ZEUS Collaboration at HERA.Supported by Graduiertenkolleg der DFG Erzeugung und Zerfälle von Elementarteilchen an der Universität Dortmund  相似文献   
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We present new sets of fragmentation functions for charged pions and kaons, both at leading and next-to-leading order. They are fitted to TPC data taken at energy =29 GeV and describe excellently a wealth of othere + e data on charged-hadron production, ranging from =5.2 GeV way up to LEP 1 energy. They also agree with data on the production of neutral pions and kaons, if one makes the natural assumption that the respective fragmentation functions are related to the charged counterparts bySU(2) symmetry. We also list simple parameterizations of thex andQ 2 dependence of our results, which may be implemented conveniently in applications.Supported by Bundesministerium für Forschung und Technologie, Bonn, Germany, under Contract 05 6 HH 93P (5), and by EEC ProgramHuman Capital and Mobility through NetworkPhysics at High Energy Colliders under Contract CHRX-CT93-0357 (DG12 COMA)  相似文献   
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