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Global existence and blow-up of solutions to a parabolic system with nonlocal sources and boundaries 总被引:2,自引:0,他引:2
Ling-hua KONG~ 《中国科学A辑(英文版)》2007,50(9):1251-1266
This paper deals with a semi-linear parabolic system with nonlinear nonlocal sources and nonlocal boundaries.By using super-and sub-solution techniques,we first give the sufficient conditions that the classical solution exists globally and blows up in a finite time respectively,and then give the necessary and sufficient conditions that two components u and v blow up simultaneously.Finally,the uniform blow-up profiles in the interior are presented. 相似文献
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以S-(1-芳基-1H-四唑-5-基)巯乙酰肼(1a~1c)和糖基异硫氰酸酯(2a,2b)为原料,高产率地合成了新的N-糖基-2-[S-(1-芳基-1 H-四唑-5-基)巯乙酰氨基]硫脲3a~3f,然后分别在醋酸汞/乙醇体系或乙酸酐/磷酸体系中合环,得到一系列新的2-(1-芳基-1 H-四唑-5-硫亚甲基)-6-糖氨基噁二唑/噻二唑化合物4a~4f,5a~Sf.目标化台物的结构均经1R,1H NMR及元素分析确证. 相似文献
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空间相机电控机箱的热设计及仿真分析 总被引:2,自引:0,他引:2
为了保证空间相机电控机箱在轨运行期间的工作温度满足使用要求,根据电控机箱的结构特点和导热路径,对电控机箱内部大功耗电子元器件进行了详细热控设计,解决了某些电子元器件发热量大、导热路径较长的问题。以某个典型元器件为例,进行了散热效果估算。最后应用有限元分析软件IDEAS-TMG建立了详细的电控机箱热分析有限元模型,根据电控机箱所处温度边界条件进行了稳态仿真分析,给出了电控机箱整体的热响应性能、印制线路板(PCB)及板上大功耗电子元器件的稳态温度分布云图,结果显示,PCB的温度为40.6~51.1℃,板上大功耗电子元器件的结温为46.3~62.5℃,均满足热控设计的指标要求。热分析结果表明电控机箱热设计合理可行,能够满足使用要求。 相似文献
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基于对数灰关联度的加权几何平均组合预测模型的有效性 总被引:2,自引:0,他引:2
基于对数灰关联度的加权几何平均组合预测是一种新的非线性组合预测。针对该方法提出新的优性组合预测、预测方法优超、冗余度等概念,给出优性组合预测存在的充分条件,最后证明冗余预测方法的一个判定定理。 相似文献
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WEN Ling-hua KONG Ling-bo LIU Min ZHAN Ming-sheng 《原子与分子物理学报》2004,21(Z1):337-340
A semi-classical scheme is presented to solve the coupled-channel cavity QED (CQED) model. Such model exhibits remarkable characteristics as shown by numerical calculations. A relation between the swing or angular velocity of the detuning and the motion of the atoms is discussed. With the augmentation of the optical field intensity or frequency, the atoms are trapped firstly and then they move stochastically and finally chaos sets in. 相似文献
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制备了两种胍基化试剂:N-硝基-1-(3,5-二甲基吡唑)脒1,N,N'-二叔丁氧羰基硫脲2,将一系列胺类化合物分别与两种胍基化试剂作用,制得新化合物1a-1J,2a-2j,并对两种胍基化试剂的性能进行了比较.所有新化合物的结构均经IR,1H NMR和元素分析证实. 相似文献
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对AlGaInAs多量子阱1 300 nm FP激光器进行反射式倒装封装,在热沉上靠近激光器出光端面约10~20 μm的区域采用Au反射层,对器件垂直方向出光进行反射。测试结果显示,与常规封装相比,采用这种结构封装芯片垂直发散角从34.5°降低至17°,器件单模光纤的平均耦合功率从1 850 μW提高至2 326 μW,耦合效率从21.1%提高到26.5%。对两种激光器进行光电参数的测量,结果表明:与常规封装器件相比,采用反射式倒装结构器件的饱和电流从135 mA提高至155 mA,饱和输出功率从37 mW提高至42 mW,热阻从194 K/W降低至131 K/W。最后对两种器件在95℃环境温度、100 mA电流下进行加速老化实验,老化结果显示:在老化条件下,器件衰退系数从常规封装的4.22×10-5降低至1.06×10-5,寿命从5 283 h提高至21 027 h。 相似文献
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