半导体中多光子吸收跃迁速率的全量子理论分析

本文从非线性光学中辐射跃迁速率的表达式出发,在全量子理论下,导出了半导体中任意阶多光子吸收跃迁速率的一般表达式。理论分析结果表明,n光子吸收跃迁速率与光强的n次方和n阶光子相干度成正比。本文在多能带及二能带理论模型下,对多光子吸收跃迁速率的一般表达式进行了化简,并对非线性相互作用项对跃迁速率的贡献,作了讨论。     

硫酰胺的快速分析（Ⅱ） 

硫酰胺生产过程中副产的大量氯化铵要干扰硫酰胺的测定，采用四苯硼钠将全部氯化铵呈沉淀析出，再用次溴酸钠把滤液中的硫酰胺分解成氮气，测其体积，计算出硫酰胺的含量。对样品进行测定的结果表明，该法重现性好、准确度高、分析周期在３５ｍｉｎ内，相对误差在±１％以内。     

火焰原子吸收光谱法测定磁化杯中铅、镉和铁

本文研究了火焰原子吸收光谱法测定磁化杯陶瓷内胆中Ｐｈ、Ｃｄ和Ｆｅ含量的方法。样品经粉碎，用硝酸－高氯酸混合液进行消解后测定。本法灵敏度高，干扰少，简单，快速，具有良好的精密度和准确度，其相对标准偏差分别为Ｐｂ３．９９％，Ｃｄ１０．７％，Ｆｅ０．９％。回收率Ｐｂ１００．６１％，Ｃｄ１０１．１８％，Ｆｅ１０２．４％。     

惯性约束中子测温的误差研究

综合分析了ＩＣＦ（惯性约束）中子测温系统的误差与其参数的关系，这些参数包括靶核温度，探测的中子数、靶到探测器的距离、探测器的响应函数以及闪烁体厚度等，考虑到中子与探测器的相互作用，探测器的响应与靶的烧蚀过程，在此基础上提出了新的统计误差计算方法，该方法对于改善中子测温的相对误差并应用于闪烁体的设计具有重要意义。     

Application of novel SIMS technique for imaging the active sites of oxygen reduction at the SOFC cathode/electrolyte interfaces

The oxygen reduction active sites were visualized around the O₂/SOFC cathode/electrolyte triple phase boundaries (TPB) by the¹⁶O/¹⁸O exchange techniques and secondary ion mass spectrometry (SIMS) analysis. The higher¹⁸O concentration is observed on the cathode top surfaces (La_0.9Sr_0.1MnO₃-mesh, Au-mesh, and Ag-porous), which suggested the promotion of oxygen adsorption and oxygen surface exchange at the cathode. The oxygen diffusion through the bulk of cathode occurred at the La_0.9Sr_0.1MnO₃-mesh and the Ag-porous cathodes, not at the Au-mesh cathode. On the YSZ surfaces after removing the cathode, the active sites for oxygen incorporation were analyzed by SIMS. The active sites for oxygen incorporation were at the La_0.9Sr_0.1MnO₃/YSZ interface as well as the TPB. On the other hand, the active sites for oxygen incorporation are limited to the TPB in the case of the Au-mesh removed YSZ surface. From the SIMS analysis, the expansion of the active sites for oxygen incorporation is less than a few μm from the TPB lines. Paper presented at the 8th EuroConference on Ionics, Carvoeiro, Algarve, Portugal, Sept. 16–22, 2001.     

过量Zn对β-Zn4Sb3热电性能影响的研究

采用真空熔融缓冷方法制备了单相β-Zn4Sb3以及含有过量Zn的β-Zn4Sb3块体热电材料.在300—700K的温度范围内测试了材料的电导率、Seebeck系数和热导率,研究了β-Zn4Sb3化合物中过量Zn的分布状态及其对材料热电性能的影响规律.结果表明：过量的Zn作为第二相较均匀的分布在β-Zn4Sb3的晶界上,随着Zn含量增加,材料电导率和热导率上升,Seebeck系数下降,Zn第二相的引入能有效提高材料的功率因子,Zn过量2at%的材料在700K时其ZT值达到1.10.     

(Ni0.81Fe0.19)1-xCrx作为种子层对NiFe/FeMn交换偏置的影响

采用一种新的种子层材料:(Ni081Fe019)1-xCrx,通过改变种子层中Cr原子的含量,使得在其上生长的NiFeFeMn双层膜的织构和晶粒尺寸产生极大的差异,系统研究了NiFeFeMn双层膜中FeMn晶粒尺寸和织构对交换偏置的影响.实验结果表明,在FeMn的γ相(111)织构较好的前提下,交换偏置场的大小与织构的差异没有关系;FeMn的晶粒尺寸对交换偏置场有很大影响,较小的反铁磁层晶粒对交换偏置场有利,过大的反铁磁层晶粒不利于交换偏置场.将(Ni081Fe019)05Cr05与传统的种子层材料Ta进 关键词： 交换偏置 晶粒尺寸 织构 种子层     

VO2-Based Infrared Microbolometer Array

V0₂-based thin film materials on silicon substrates are fabricated by ion beam sputtering and a post-annealing which is different from the conventional fabricating method. An infrared linear microbolometer array with 128 pixels is prepared using as-deposited vanadium dioxide thin films. Optical and electrical properties for V0₂-based microbolometer array are tested.     

用区域分解算法结合蒙特卡罗法求坦克温度场和红外辐射出射度

本文将区域分解算法和蒙特卡罗法相结合，求坦克温度场和红外辐射出射度．采用蒙特卡罗法计算辐射传递系数，可以考虑界面的复杂辐射特性，如：镜反射、各向异性发射、各向异性反射等；可直接考虑界面的复杂几何特性，如:相互遮挡、太阳入射方向上的投影面积等．引入辐射传递系数，分离了计算的难点，使得在时间域（计算步骤）上能把整个问题分解为若干个子问题并行处理、在空间域（计算区域）上将坦克分解为若干个子区域，缩小计算规模，并可使用多个处理器并行计算；同时减轻了蒙特卡罗法编程的难度，缩短了计算时间．