Ge组分分布对基区杂质非均匀分布的SiGe HBT温度特性的影响

众所周知, 双极型晶体管的设计主要是基区的设计. 一般而言, 基区的杂质分布是非均匀的. 本文首先研究了非均匀的杂质高斯分布对器件温度分布、增益和截止频率的温度特性的影响, 发现增益和截止频率具有正温度系数, 体内温度较高. 随后研究了基区Ge组分分布对这些器件参数的影响. 均匀Ge组分分布和梯形Ge组分分布的SiGe 异质结双极型晶体管增益和截止频率具有负温度系数, 具有较好的体内温度分布. 进一步的研究表明, 具有梯形Ge组分分布的SiGe 异质结双极型晶体管, 由于Ge组分缓变引入了少子加速电场, 不但使它的增益和截止频率具有较高的值, 而且保持了较弱的温度敏感性, 在增益、特征频率大小及其温度敏感性、体内温度分布达到了很好的折中.     

白光LED用Ba3La（PO4）3∶Dy3+荧光粉的制备与发光性能

通过高温固相法合成了一系列Ba3La1-x(PO4)3∶xDy3+荧光粉材料。利用XRD测量样品的物相,结果显示样品为纯相Ba3La(PO4)3晶体。样品的激发光谱由一系列宽谱组成,峰值分别位于322,347,360,386,424,451 nm。在347 nm激发下,荧光粉在482 nm(4F9/2→6H15/2)和575 nm(4F9/2→6H13/2)处有很强的发射。研究了不同Dy3+掺杂浓度对样品发射光谱的影响,当Dy3+摩尔分数x=0.10时出现猝灭现象,浓度猝灭机理为电偶极-电偶极相互作用。确定了不同Dy3+掺杂浓度的Ba3La(PO4)3∶Dy3+的荧光寿命。Ba3La(PO4)3∶Dy3+荧光粉发射光谱的色坐标位于白光区域。     

一种电流型超导储能脉冲变压器的放电模式

本文针对高温超导电感储能脉冲变压器(HTSPPT)提出了一种振荡放电模式.该模式中HTSPPT的原边绕组电感与电容器组成振荡回路,放电时原边电流通过该振荡回路使电流变化量增加,使得副边绕组感应出更大的电流脉冲.在放电过程中,电容器作为能量转换器件可实现开关的零电压关断,避免了断路开关出现过电压的问题.本文对振荡放电模式的工作原理进行了理论分析,利用一个小型HTSPPT搭建了小型实验系统,成功实现了从电流100A到3.78kA的放大,证明了的该放电模式的可行性.     

基于小波包分析的心磁信号消噪

心磁图(Magnetocardiography)是一种无创性记录和分析心脏电磁场的方法.由于心磁场强度极其弱小,必须使用超导量子干涉仪(SQUID)才能检测,其中心磁信号消噪处理十分重要.本文对心磁测量中的消噪进行了研究,在小波分析的基础上,提出使用小波包分析方法消噪,通过实验发现小波包分析消噪能获得很好的效果.     

平面对称标量场的静态时空

本文求出零质量标量场产生的平面对称度规的静态通解,并研究了它的对称性、奇异性等整体特性,发现平面对称情况与球对称不同,标量场的引入与否,其时空的奇异性没有本质差别。 关键词：     

牙齿化石中由辐照产生的陷阱电子的热稳定性研究

本文对周口店北京猿人遗址的动物牙齿化石进行了辐照产生的陷阱捕获电子的热稳定性研究和釉质样品及牙质样品的热稳定性对比实验。得到釉质样品中g=2.0016 ESR峰的寿命为7.1×10⁶年(20℃)。说明了取该峰进行ESR年代测定的可信性和用釉质样品进行ESR年代测定的必要性。     

Intelligent Reflecting Surface–Assisted Wireless Secret Key Generation against Multiple Eavesdroppers

In this paper, we propose an improved physical layer key generation scheme that can maximize the secret key capacity by deploying intelligent reflecting surface (IRS) near the legitimate user aiming at improving its signal-to-noise ratio (SNR). We consider the scenario of multiple input single output (MISO) against multiple relevant eavesdroppers. We elaborately design and optimize the reflection coefficient matrix of IRS elements that can improve the legitimate user’s SNR through IRS passive beamforming and deteriorate the channel quality of eavesdroppers at the same time. We first derive the lower bound expression of the achievable key capacity, then solve the optimization problem based on semi-definite relaxation (SDR) and the convex–concave procedure (CCP) to maximize the secret key capacity. Simulation results show that our proposed scheme can significantly improve the secret key capacity and reduce hardware costs compared with other benchmark schemes.     

HL-2M 装置宽谱段光谱诊断系统研制

HL-2M 装置宽谱段光谱诊断系统由采集光学、石英光纤和集成式光栅光谱仪构成,工作波段为 300~1100nm,可实现对工作气体(氢及其同位素)和内在杂质(碳、铁、氧等)线辐射的同步监测。通过将 5 台紧凑 型光谱仪并联形成集成式光栅光谱仪,可在保证宽谱段覆盖的同时实现较好的光谱分辨(0.04~0.19nm⋅pixel⁻¹)。目 前系统具有一个空间通道,最优时间分辨为 1.05ms,常规采样时间为 20ms。在 HL-2M 装置初始等离子体放电 实验期间,利用该套系统识别出氢等离子体的主要杂质为碳和氧,并对不同粒子的辐射特性进行了初步分析。     

Negative thermal expansion: Mechanisms and materials

Negative thermal expansion (NTE) of materials is an intriguing phenomenon challenging the concept of traditional lattice dynamics and of importance for a variety of applications. Progresses in this field develop markedly and update continuously our knowledge on the NTE behavior of materials. In this article, we review the most recent understandings on the underlying mechanisms (anharmonic phonon vibration, magnetovolume effect, ferroelectrorestriction and charge transfer) of thermal shrinkage and the development of NTE materials under each mechanism from both the theoretical and experimental aspects. Besides the low frequency optical phonons which are usually accepted as the origins of NTE in framework structures, NTE driven by acoustic phonons and the interplay between anisotropic elasticity and phonons are stressed. Based on the data documented, some problems affecting applications of NTE materials are discussed and strategies for discovering and design novel framework structured NET materials are also presented.     

电气线路互联系统线缆抗高空核电磁脉冲耦合效应

高空核电磁脉冲（HEMP）对电子设备的耦合途径主要有两方面：一方面是通过装备（产品）上的天线耦合通道进入到电子系统内的“前门耦合”方式;另一方面则是“后门耦合”,即通过装备（产品）上的壳体、电源线、电缆、机箱的缝隙、孔洞等途径进行耦合。主要研究电气线路互联系统(EWIS)线缆抗高空核电磁脉冲耦合效应,通过研究HEMP干扰的特征、能量分布,搭建HEMP数学模型,采用控制变量法,改变EWIS线缆类型、离地高度等要素,通过在CST上建立仿真模型以及开展试验,分析HEMP对电子设备造成的影响程度,得到HEMP耦合效应的一般性结论与规律。