全文获取类型
收费全文 | 113260篇 |
免费 | 28556篇 |
国内免费 | 24336篇 |
专业分类
化学 | 74189篇 |
晶体学 | 1891篇 |
力学 | 7298篇 |
综合类 | 1140篇 |
数学 | 14686篇 |
物理学 | 66948篇 |
出版年
2024年 | 500篇 |
2023年 | 1132篇 |
2022年 | 1893篇 |
2021年 | 1787篇 |
2020年 | 2165篇 |
2019年 | 2646篇 |
2018年 | 2457篇 |
2017年 | 3299篇 |
2016年 | 3477篇 |
2015年 | 4047篇 |
2014年 | 4134篇 |
2013年 | 6536篇 |
2012年 | 7340篇 |
2011年 | 9130篇 |
2010年 | 11903篇 |
2009年 | 12105篇 |
2008年 | 6440篇 |
2007年 | 5592篇 |
2006年 | 5119篇 |
2005年 | 5161篇 |
2004年 | 5575篇 |
2003年 | 4366篇 |
2002年 | 4205篇 |
2001年 | 4305篇 |
2000年 | 3605篇 |
1999年 | 3340篇 |
1998年 | 2603篇 |
1997年 | 2353篇 |
1996年 | 2683篇 |
1995年 | 3092篇 |
1994年 | 3132篇 |
1993年 | 3179篇 |
1992年 | 2708篇 |
1991年 | 2322篇 |
1990年 | 2003篇 |
1989年 | 2037篇 |
1988年 | 2048篇 |
1987年 | 1262篇 |
1986年 | 1336篇 |
1985年 | 993篇 |
1984年 | 1079篇 |
1982年 | 972篇 |
1981年 | 803篇 |
1980年 | 841篇 |
1979年 | 596篇 |
1978年 | 593篇 |
1977年 | 681篇 |
1976年 | 1090篇 |
1973年 | 495篇 |
1972年 | 559篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
151.
152.
E. C. Ferreira J. A. P. da Costa J. A. K. Freire G. A. Farias V. N. Freire 《Applied Surface Science》2002,190(1-4):191-194
Confined excitons in non-abrupt GaAs/AlxGa1−xAs single quantum wells are studied. The graded interfaces are described taking into account fluctuations in their thickness a and positioning with respect to the abrupt interface picture. Numerical results for confined (0,0),(1,1) and (0,2) excitons in GaAs/Al0.3Ga0.7As quantum wells show that while the interfacial fluctuations produce small changes (<0.5 meV) in the exciton binding energies, the confined exciton energies can be red- or blue-shifted as much as 25 meV for wells with mean width of 50 Å and 2 ML wide interfaces. 相似文献
153.
本文采用椭圆偏振光谱法研究了剂量为1×1016—3×1012cm-2的As+注入硅,及其在700℃退火后的光学性质。得出:当As+注入剂量增大到某一程度后,便呈非晶特性。低于临界剂量的样品,其n-λ,ε2-λ关系曲线随剂量的增大而往下方移动,呈有规律变化;退火后,在大于4000?波段,n-λ与ε2-λ曲线基本恢复到单晶硅状态。但在小于4000?的紫外区却未完全恢复,注入剂量越大,偏离单晶硅就越大。并指出,紫外光区是离子注入硅的信息敏感区;用有效质量模型计算出注入剂量与损伤度的关系。计算结果与实验符合得较好。
关键词: 相似文献
154.
155.
图G称为K1,n-free图,如果它不含K1,n作为其导出子图.对K1,n-free图具有给定性质的[a,b]-因子涉及到最小度条件进行了研究,得到一个充分条件. 相似文献
156.
烷基硫酸盐表面张力的量子化学研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用AMl量子化学计算法优化了十三烷基硫酸根阴离子和——CH3在不同取代位的十二烷基硫酸根阴离子的几何构型,得到最优构型时最高占据分子轨道能级EHOMO、最低空轨道能级ELUMO、电子能量Eele和偶极矩μ等数据.将这些电子结构数据分别与表面张力相拟合,得到很好的相关性。文中讨论了——CH3在不同位置取代对表面张力的影响。 相似文献
157.
本文首先将文[1]中的BLD映射推广为弱(L1,L2)-BLD映射,并证明了如下正则性结果:存在两个可积指数 P1=P1(n,L1,L2)<n<q1=q1(n,L1,L2),使得对任意弱(L1,L2)-BLD映射f∈(Ω,Rn),都有f∈(Ω,Rn),即f为(L1,L2)-BLD映射. 相似文献
158.
159.
160.