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本文在20°—300°K研究了室温载流子浓度2×1012—1×1020cm-3含硼或磷(砷)Si的电学性质。对一些p-Si样品用弱场横向磁阻法及杂质激活能法进行了补偿度的测定,并进行了比较。从霍尔系数与温度关系的分析指出,对于较纯样品,硼受主能级的电离能为0.045eV,磷施主能级为0.045eV,在载流子浓度为1018—1019cm-3时发现了费米简并,对载流子浓度为2×1017—1×1018cm-3的p-Si及5×1017—4×1018cm-3的n-Si观察到了杂质电导行为。从霍尔系数与电导率计算了非本征的霍尔迁移率。在100°—300°K间,晶格散射迁移率μ满足关系式AT-a,其中A=2.1×109,α=2.7(对空穴);或A=1.2×108,α=2.0(对电子)。另外,根据我们的材料(载流子浓度在5×1011—5×1020cm-3间),分别建立了一条电阻率与载流子浓度及电阻率与迁移率的关系曲线,以提供制备材料时参考之用。 相似文献
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本文将电子迁移方程应用于研究空腔电离现象,证明了空腔的存在对腔内电子能谱的影响可归结为在空腔内分布一均匀电子源。导出了这一等效源谱的表示式。计算了等效电子源在平行板电离室中沉积的能量。与实验相比,明显地证实新理论比Spencer-Attix理论更好地描述了空腔电离现象。
关键词: 相似文献
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ScH_2分子的结构及分析势能函数 总被引:1,自引:1,他引:0
本文利用相对论有效原子实(RECP)和密度泛函(B3LYP)的方法对Sc原子采用SVP基组,对H原子采用6-311++G基组,对ScH_2分子的结构进行了优化,得到了它的平衡几何构型和谐振频率.使用多体项展式理论方法,导出了基态ScH_2分子的分析势能函数,该势能表面准确地再现了ScH_2(C_(2v))平衡结构,然后根据势能函数等值图讨论了反应势能面的静态特征,并利用杂化轨道理论解释了ScH_2分子的结构. 相似文献